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46 2017年02月28日 星期二东芝NAND Flash部门释股案 张忠谋回应:确实在观察中
DIGITIMES (0)日本半导体大厂东芝(Toshiba)独立NAND Flash储存事业部门释股案,引发全球各**马关注,不仅鸿海董事长郭台铭表示与东芝合作有信心也有诚意,业界传出台积电亦有意参与竞标,台积电董事长张忠谋2日首度回应指出,我们确实在观察中。由于张忠谋并未否认竞标东芝的可能性,让东芝释股案热度急升温。张忠谋2日参加交通大学颁授博通(Broadcom)共同创办人Dr. Henry Samueli名誉博士学位典礼暨专题演讲时透露,对于东芝释股案,台积电确实在观察中,言谈中并未否认参与东芝竞标案,若台积电出手,将对整个半导体产业造成巨大影响。由于大数据、物联网等应用对于储存需求大增,加上牵涉到国家资讯**等机密资料储存,让NAND Flash成为炙手可热的***关键芯片,然全球NAND Flash主要技术却掌握在少数厂商手中,包括韩国三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix),美系美光(Micron)/英特尔(Intel),日厂东芝,大陆长江存储则通过飞索(Spansion)技转自主研发。东芝为填补财务黑洞,将NAND Flash储存事业部门独立,并计划释股
Q2 NAND市场供不应求 SSD与eMMC价格上涨约5~10%
集邦科技 (0)集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)*新研究显示,**季2D-NAND Flash的供货持续紧缩,且由于MWC(Mobile World Congress;世界通信大会)后将进入今年首波智能手机新机上市潮,预估**季NAND Flash整体市场供需吃紧的情况依旧,使SSD与eMMC价格持续将上涨约5~10%。2016年底,NAND Flash市场缺货情况达到*高峰,在供货持续吃紧的预期心理带动下,DRAMeXchange估计2017年**季eMMC单季涨幅达15~20%,而SSD合约价也上涨10~15%,创下近八个季度以来单季涨价幅度的新高。不过,由于近期NAND Flash、面板与DRAM等关键零部件涨势凌厉,已冲击到智能手机与笔电的成本管控、压缩厂商利润,因此eMMC与SSD的平均存储容量搭载量的成长速度将因而趋缓。DRAMeXchange研究协理杨文得表示,由于NAND Flash累积涨价幅度已高,迫使终端厂商纷纷调整产品平均存储容量搭载量,预估**季NAND Flash市场在整体供需仍健康的情况下,SSD与eMMC合约价上涨幅度将出现明显收敛,过去几个季度大幅涨价
东芝沉落,闪存业务何去何从?
中国电子报 (0)东芝近两年可谓处于水深火热之中。继2015年爆出财报造假事件后,2016年底又陷入核电业务减记、财务危机、董事长辞职的泥潭。为避免公司股票被摘牌,东芝只得再次宣布以分拆并出售核心业务股份的方式,筹资自救。这一次东芝能拿得出手的只有其*核心、*赚钱的闪存等芯片业务了。截至记者发稿前,*新消息是路透社爆出的东芝计划寻求至少1万亿日元(约88亿美元)的报价。由于美国核电站项目延期导致成本超支,东芝对旗下子公司美国西屋2015年收购的核电工程建设公司CB&IStone&Webster进行了63亿美元的减记处理。原本只想以20%股份一搏的东芝**执行官纲川智(Satoshi Tsunakawa)不得不表态,东芝或考虑出售芯片业务大部分股份甚至可能全部资产。失守日本存储*后标的说起来不免有些令人唏嘘,东芝这次选择出售股权的闪存业务,其技术***正是已有140多年历史的东芝。1984年,正在东芝公司工作的舛冈富士雄博士首先提出了闪存的概念。1987年,东芝又成功开发出NAND闪存。由于非易失性、抹写速度快、存储单元面积小等特征,成为越来越多公司选择的硅存储方式,被广泛应用于存储卡、USB设备乃至消费
东芝64层64GB 3D Flash送样
集微网 (0)3D 架构的 NAND 型闪存竞争越来越激烈,继去年 7 月东芝便宣布**全球同业开始提供堆栈 64 层的32GB 3D Flash 样品出货之后,三星于去年第四季度已开售旗下堆栈 64 层的 3D Flash 产品。*新消息显示,东芝宣布将容量提高 1 倍的 64 层 64G 3D Flash 已进行送样,即将在今年下半年量产。东芝 22 日发布新闻稿宣布,采用堆栈 64 层制程技术的 64GB 3D Flash 已于 2 月上旬进行样品出货,且预计将在 2017 年下半年进行量产,主要用于抢攻数据中心/PC 用 SSD等市场。 另外,堆栈16片 64G 芯片、实现业界*大容量 1TB 的产品预计将在今年 4 月进行样品出货。东芝表示,和 48 层 32GB 产品相比,64 层64GB产品每单位面积的存储容量扩大至约 1.65 倍,且每片晶圆所能生产的存储容量增加,每 bit 成本也下滑。据东芝指出,东芝是****家提供 64 层64GB 3D Flash 样品的厂商;东芝已于今年 1 月量产 64 层32GB 3D Flash 产品。东芝推出 64GB 产品,就是要用来对抗三星等竞
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47 2017年02月21日 星期二两岸存储器厂3D NAND、ReRAM大拼战
Digitimes (0)全球半导体业者纷投入3D NAND、ReRAM/MRAM新存储器技术发展,两岸半导体厂相关布局亦陆续浮上台面,目前包括联电与Panasonic合作开发40纳米ReRAM技术,旺宏长达10年的3D NAND大计可望在2017年下半推出产品,华邦秘密研发ReRAM技术多年,将进入量产阶段,中芯国际亦相中ReRAM技术,计划导入28纳米制程生产,各厂纷看好新存储器商机全力投入。 半导体业者表示,目前不仅是NAND Flash技术,包括DRAM等已发展超过20年的技术,都陆续遭遇制程微缩极限不易突破的状况,对于半导体业者是一大挑战,并成为全球存储器技术掌握权大**的****,就看谁的眼光够精准,且愿意提前投资布局。NAND Flash技术应用经历10年热潮,从*早期随身碟、快闪记忆卡应用,再到智能手机、笔记型电脑(NB)、固态硬碟(SSD)、云端服务器及数据中心等应用,由于对于NAND Flash需求不减,且采用容量越来越大,引爆全球12吋晶圆厂盖厂风潮。旺宏总经理卢致远指出,全球NAND Flash技术发展面临一个大问题,当制程微缩到约15纳米便做不下去,各存储器阵营纷纷转进到3D NAND
iPhone 8拉货 有助NAND Flash行情
集微网 (0)集微网消息,市调机构集邦科技存储器储存研究(DRAMeXchange)*新研究显示,第2季2D NAND Flash的供货持续紧缩,且由于世界移动通信大会(MWC)后将进入今年首波智能手机新机上市潮,预估第2季NAND Flash整体市场供需吃紧的情况依旧,使固态硬碟(SSD)与嵌入式eMMC价格持续将上涨约5~10%。至于苹果iPhone第2季也将开始备货,将有助下半年NAND Flash市场行情。 NAND Flash市场缺货情况在去年底达到*高峰,在供货持续吃紧的预期心理带动下,DRAMeXchange估计本季eMMC价格单季涨幅达15~20%,而SSD合约价也上涨10~15%,创下近8个季度以来单季涨价幅度的新高。不过,由于近期NAND Flash、面板、DRAM等关键零组件涨势凌厉,已冲击到智能型手机与笔电的成本管控,并压缩厂商利润,在此一情况下,eMMC与SSD的平均储存容量搭载量的成长速度将因而趋缓。DRAMeXchange研究协理杨文得表示,由于NAND Flash累积涨价幅度已高,迫使终端厂商纷纷调整产品平均储存容量搭载量,预估第2季NAND Flash市场在整体供需
研调:SSD/eMMC Q2价格看涨 新机潮有助NAND H2市况
精实新闻 (0)TrendForce存储器储存研究(DRAMeXchange)*新研究显示,今(2017)年**季2D-NAND Flash的供货持续紧缩,且因MWC(世界通信大会)后将进入今年首波智能手机新机上市潮,预估**季NAND Flash整体市场供需吃紧的情况依旧,使SSD与eMMC价格持续将上涨约5%-10%。 去(2016)年底,NAND Flash市场缺货情况达到*高峰,在供货持续吃紧的预期心理带动下,DRAMeXchange估计,2017年**季eMMC单季涨幅达15%-20%,而SSD合约价也上涨10%-15%,创下近八个季度以来单季涨价幅度的新高。不过,由于近期NAND Flash、面板与DRAM等关键零组件涨势凌厉,已冲击到智能手机与笔电的成本管控、压缩厂商利润,因此eMMC与SSD的平均储存容量搭载量的成长速度将因而趋缓。DRAMeXchange研究协理杨文得表示,由于NAND Flash累积涨价幅度已高,迫使终端厂商纷纷调整产品平均储存容量搭载量,预估**季NAND Flash市场在整体供需仍健康的情况下,SSD与eMMC合约价上涨幅度将出现明显收敛,过去几个季度大幅涨价的
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48 2017年02月20日 星期一RRAM 或将改写存储器历史—兼评国内学者如何做出**成果
集微网 (0)导语:上世纪中叶单晶硅和半导体晶体管的发明以及硅集成电路的研制成功,为后来的科技进步奠定了坚实的基础。随后,科研工作者们不断探索,先后将多种新型材料引入该产业,才有了如今半导体产业的蓬勃发展。全世界都在寻找更**半导体材料的道路上不曾止步,而一种新型二维材料的出现,或指明了未来存储器的发展方向。 集微网消息 文/陈冉三维(3D)材料以其实用性好,加工简便及成本低廉等特点一直在各大行业的占据着主导地位,而无论在科研界还是工业界,人们对二维材料的研究与应用却始终****。我们知道所有物质的结构都是由原子在三维空间堆叠而成的,但如果把原子平铺到一层会怎样?这是一个从来没有人关注过的问题。直到2004年石墨烯的出现让人们**次看到了二维材料对电子器件性能巨大的改善作用,从而引发了科学届对二维材料的探索热潮。国内团队**提出并验证了一种新型的基于二维材料的存储器件今年年初,在美国旧金山召开的IEEE国际电子元件会议(IEDM)上,一篇由美国斯坦福大学和苏州大学科研团队联合发布,阐述二维阻变式存储器的论文引起了业内的极大关注。该阻变式存储器件(RRAM)的功能层为一种新型的二维功能材料 – 六方氮
我国存储器产业有望率先获突破
维库电子市场网 (0)2月12日,总投资300亿美元的紫光南京半导体产业基地正式宣布开工;兆易**亦于2月13日公告拟收购北京矽成100%股权,矽成的主要业务为SDRAM。新年伊始,我国存储器产业便连续爆出两项重要消息,表明我国存储产业的布局正在加速推进当中。而随着数项重大投资的启动,存储器正在成为我国集成电路产业发展的重要突破口。国际存储巨头警惕中国存储力量成长 尽管存储器属于高度垄断的行业,但是我国在发展存储器产业道路上已经迈出了**步。2月12日,紫光集团在南京正式建立半导体产业基地,主要产品为3D NAND FLASH、DRAM存储芯片等,一期投资100亿美元,规划月产芯片10万片,项目总投资300亿美元。除此之外,紫光集团还与国家集成电路产业投资基金股份有限公司于2016年7月共同出资成立长江存储科技有限责任公司;项目于2016年12月30日正式开工建设。项目总投资金额约240亿美元,预期将于2018年完成建厂投产、2020年完成整个项目,总产能将达到30万片一个月。除紫光/长江存储之外,2016年福建晋华与联电签订技术合作协定,由联电协助其生产利基型 DRAM。新建的12英寸厂房已经动工,初步产
2017年DRAM出货成长率或将低于20%
digitimes (0)一般估计,DRAM的位元出货成长率(bit growth)低于40%,DRAM厂商便可获利,而2017年因为大厂没有新的投资计划,DRAM的出货成长率甚至可能低于20%,所有的大厂都可能因此受惠。这也是DRAM产业成形以来,出货成长率首度可能低于20%的年份,不少人甚至认为,DRAM将有个不算短的好光景。三星电子(Samsung Electronics)高层*近提到,2017年位元成长率可能为15~20%,对于2017年的获利,抱持着高度的期待,而美光(Micron)也在2016年底的法说会上,提出类似的看法,SK海力士(SK Hynix)则指出,DRAM投资转向NAND Flash,因此DRAM的供应量,将于低于需求量的成长率。在DRAM大厂多数的异口同声下,遥遥**的三星,当然可以好整以暇等待大笔获利入袋。深究近期DRAM没有新投资,关键在于技术尚未突破,生产线转换并无意义。回顾1990年代,甚至2000年开始的前5年,全球DRAM市场的位元成长率动辄70~90%,造成大家流血竞争,直到全球DRAM市场整合为三星、海力士、美光三大厂后,成长率就维持在25~30%,市场景气与获利状况
敏博新款SSD搭载3D MLC快闪记忆体
新电子 (0)敏博(MemxPro)近日发表PCIe Gen3x4高速介面之U.2 PCIe A4E系列产品,成为继英特尔与叁星之后,全球第叁家推出U.2系列的固态硬碟製造厂商。敏博新推出的PCIe Gen3x4 SSD系列採用主控晶片大厂慧荣Silicon Motion SM2260控制器,支援NVMe传输控制标準,搭载美光Micron先进3D NAND架构MLC快闪记忆体,切入伺服器与资料中心储存装置应用市场,目前亦推出M.2 PCIe 2280,符合专业人士、科技狂热者与玩家的使用需求。随着SSD市场快速成长以及SATA III产品逐渐普及,在速度上已达到理论传输频宽6.0Gbit/s的上限,敏博积极开发新一代PCIe 3.0规格NVMe SSD,採用四线道高传输速度,理论传输频宽达32Gbit/s。在PCIe匯流排频宽奥援下,速度为 SATA6.0Gbit/s机种的数倍。此外,敏博的U.2 PCIe SSD搭配先进之3D MLC快闪记忆体,**技术**储存效能与耐用度的**提升。3D NAND技术,採用垂直堆叠多层数据储存单元的方式来提高NAND的容量,当3D NAND快闪记忆体单位面积容量
东芝急筹资补坑 然寻找半导体事业买家恐不容易
DIGITIMES (0)为筹资来填补核能事业的钜额亏损,日本东芝(Toshiba)于日前不得不宣布将出售旗下核心的半导体事业。不过,据彭博(Bloomberg)报导指出,东芝要为半导体事业找到买家可能比想像中要难。 此前,东芝仍坚持仅出售旗下快闪存储器芯片业务的少数股权,直到日前公布因旗下核能事业大幅亏损必须减损超过63亿美元;因此,该公司社长纲川智(Satoshi Tsunakawa)不再坚持,表示可接受多数股权、乃至整个事业部门的收购要约。不过,据消息人士透露,东芝要在3月31日合约到期前找到半导体事业买家,恐怕不容易。对竞争对手SK海力士(SK Hynix)、西部数据(Western Digital)及美光科技(Micron Technology)等而言,能够购并东芝存储器芯片业务是个能够让公司与市场龙头三星电子(Samsung Electronics)缩小差距的难得机遇。此外,对NAND存储器的需求仍相当强劲,因目前仍是智能手机上主要的储存组件,同时在数据中心的需求也是持续增长。研究机构Jefferies驻东京分析师Zuhair Khan表示,东芝终于了解到,那些想要投资NAND业务的买家们,心里想的
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NAND
49 2017年02月14日 星期二规模300亿美元的闪存市场,一个巨头即将倒下
维库电子市场网 (0)东芝为弥补核能设备事业大幅减损,终于愿意割爱视为核心的芯片事业,也象征日本曾经雄霸记忆芯片的时代,即将画下句点。东芝原本只打算出售记忆芯片少数股价,但在本周公布核能事业减损63亿美元后,东芝社长纲川智改口说,愿意出售主要股权甚至出售整个事业,以补强东芝的财务。 SK Hynix、威腾电子(Western Digital)、美光科技(Micron Technology )若能并购东芝,将是拉近与记忆芯片龙头三星电子的难得契机。 拜智能手机需求所赐,NAND记忆芯片需求仍相当强旺,这种芯片近年来也开始用于容纳云端数据的数据中心。彭博引述Jefferies 分析师Juhair Khan的话:东芝终于认清现实,无论谁买NAND事业,都希望能掌握多数股权。不过,彭博指出,东芝芯片事业的潜在买主得克服许多障碍,像是得拥有多达140亿美元的并购资金,还可能面临反托辣斯的障碍,日本政府也可能不愿意把关键技术让给外国。曾经,东芝、日立、三菱电机、NEC在1970年代末期从美国手中抢占存储芯片市场,后来三星电子在1980年和90年代也靠存储芯片奠基,成为全球电子大厂。 台湾业者在存储芯片表现不佳,但台积电
西数若加入东芝半导体股权收购,可扩大NAND Flash市占
集微网 (0)集微网消息,据海外媒体报道,日本东芝有意出售旗下半导体事业19.9%股权,以在3月底前筹措足够资金,弥补美国核能事业的资产亏损。近来也传出西部数据(WD)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)、富士康(Foxconn)及Bain Capital有意竞购,对此外界分析认为,西部数据或可借由收购东芝半导体事业部分股权,扩大在全球NAND Flash市场的影响力与竞争力,并减低对硬盘存储器领域的依赖,具备收购的策略性优势。 根据TheStreet网站报导,市场分析师预测东芝欲出售的股权价值逾20亿美元,虽然截至2016年12月西部数据净债务余额已达80亿美元,因此若由西部数据达成收购交易,势将增加西部数据净债务余额,但由于西部数据过去12个月创造17亿美元自由现金流,未来12个月可能还会创造更多自由现金流,因此西部数据仍应具备消化这逾20亿美元收购价格的本钱。西部数据2016年以160亿美元购并闪迪(SanDisk)后,NAND Flash全球市占率排名仅次于亚军的东芝,鉴于东芝与闪迪长期的NAND Flash结盟关系,外传东芝可能将部分股权出售给西部数据。此前东芝与闪迪借由
卖半导体业务度日!东芝财务减记63亿美元
达普芯片交易网 (0)北京时间2月15日消息,东芝昨日发布声明称,预期其核能业务将进行7,125亿日元(63亿美元)的减记,指出美国的子公司成本超支,原子能业务前景转黯。对此有外媒报道称,东芝为此或将会出售60%的半导体业务股份,来换取足够的资金维持公司运转。业内人士表示,NAND芯片制造一直是东芝*核心,也是*赚钱的业务。通过NAND芯片的自给自足,东芝和西数可以更低的成本垂直开发新的存储设备,包括U盘、固态硬盘以及存储卡等等,从而获得更高的利润。目前业内人士分析可能的潜在投资者包括SK海力士、美光、希捷以及清华紫光。而作为东芝*紧密合作伙伴的西数也已经表态,直言会投资东芝的半导体业务,从而保护伙伴及自身的利益。另外,志贺重范将辞去企业集团董事长一职。东芝周二在公告中还表示,该费用将导致截至12月31日的9个月内暂列亏损5000亿日元。
传紫光挖Mstar创始人杨伟毅任长江存储CTO
经济日报 (0)近年来在半导体产业动作频频的大陆紫光集团宣布,总投资300亿美元的南京半导体产业基地已于本月12日开工。 据了解,紫光集团已网罗前晨星创办人杨伟毅出任紫光旗下长江存储公司研发长,带领紫光突破各国技术防卫战。 大陆媒体报导,紫光南京厂的技术很有可能部分来自于台湾。 据消息来源透露,这个重要人物正是杨伟毅,将让紫光朝自主研发3D NAND Flash等先进内存发展。 但未获本人证实。根据紫光集团官网上消息,紫光集团上个月18日与南京签约,将投资300亿美元成立南京半导体产业基地,并总投资人民币300亿元兴建「紫光IC国际城」,这两大投资项目已于本月12日动工兴建。 这也是紫光集团继2016年12月30日的武汉长江存储项目开工后,时隔42天又一起新台币千亿元级的半导体大型投资案。紫光集团称,南京半导体产业基地主要产品为3D-NAND FLASH、DRAM存储芯片等,占地面积约1,500亩。 **期投资约100亿美元,月产芯片10万片,未来「将有力地支撑我国(指中国大陆)在主流内存领域的跨越式发展」。此外,紫光集团还投资约人民币300亿元兴建配套的IC国际城,包含科技园、设计封装产业基地、国际
群联电子董事长潘建成 2017年NAND供货仍吃紧
新电子 (0)新兴手机市场导致2017年 NAND FLASH缺货状况持续,特别是在第3季*为剧烈。 随着全球对于手机、计算机、汽车等消费性产品需求持续增强,NAND FLASH始终处于一个供不应求的情况,特别是印度、印度尼西亚及越南等新兴智能手机市场,当地消费者智能手机持有率大增,进而使得NAND FLASH需求大幅攀升。 因此,预计2017年NAND FLASH全年供货仍将持续吃紧,特别是在**、三季*为严重。 群联电子董事长潘建成表示,预计NAND FLASH今年将持续缺货,特别是在**、第三季*为明显。 原因在于手机、计算机、汽车等终端消费性产品需求仍旧强劲;那因应此一情况,有些业者会将一些固定的产能转去做3D NAND,但3D NAND的生产也没有想象中顺利,因此总产能并没有增加,NAND FLASH于市场的供货情形仍旧处于一个吃紧的状态。潘建成进一步指出,NAND FLASH供货短缺的另一个*大原因,便是在于智能手机新兴市场需求大增。 我们可以发现,过去两三年,印度尼西亚、印度及越南等这些人口数很多的国家,过去都是使用功能机。 但从2016年开始,这些国家的消费者开始使用低阶的智能手机,
NAND
50 2017年02月14日 星期二DRAM封测厂淡季不淡 力成、华东陆续拿下大单
DIGITIMES (0)存储器封测需求淡季不淡将由力成拉开序幕,力成2017年1月营收写下历年同期新高的新台币43.89亿元,仅月减4.33%,但比2016年同期年增14.67%,虽然第1季为传统淡季,但由于存储器市况仍然正向,后段封测的力成2017年展望乐观,估计能够优于产业平均水准的7.1%。而拿下美系存储器大厂美光(Micron)委外封测订单的华东,第1季表现也可望接棒存储器封测厂的稳健表现。 事实上,半导体通路相关业者透露,2017年存储器市况仍然乐观,除非手机市场出现萎缩,否则移动装置所使用之存储器容量越来越高已经是趋势,今年看起来也不容易有供过于求的情况,SSD(固态硬碟)用于NB、PC的渗透率持续提升,将会大量应用到NAND Flash。除了通讯产品的存储器需求外,力成也同步看好如虚拟实境(VR)、4K UHD液晶电视等产品,都陆续增加DRAM用量,存储器持续缺货,估计缺货潮可以再延续半年。力成董事长蔡笃恭先前于法说会中表示,DRAM容量、密度随着新产品趋势大举提高,几家存储器大厂产销政策调整,加上制程转换,估计DRAM缺货潮将持续。以往DRAM应用主要在PC等领域,但随着VR、4K液晶电视等产
首款采用Intel 3D NAND芯片的SSD终于来了
中关村在线 (0)拥有十数年存储历史的台电科技近年来,不断开拓新的存储市场,特别是随着固态硬盘行业的壮大,台电在固态硬盘存储行业的投入和研发也不断加码。也推出了数款,品质和性能都十分优异的固态硬盘存储产品。 今天,笔者为大家推荐一款来自台电科技研发的,中国大陆*先采用Intel 3D NAND的固态硬盘产品台电极光系列固态硬盘,电商报价499元。作为中国大陆*先采用Intel 3D NAND颗粒的固态成品,此款台电极光系列固态硬盘产品无论在性能上还是价格上都有着非常巨大的优势。在性能上,采用Intel原装3D NAND颗粒,保证了闪存颗粒在质量上和性能上的**强悍;同时,还采用成熟的慧荣SMI系列主控芯片,作为全球首屈一指的主控芯片厂商,慧荣科技的主控方案一直深受全球各大存储厂商的认可。在价格上,240GB容量产品报价不到500元,在如今固态硬盘大涨的背景下,此价格可以说是良心价。对于,近段时间有入手固态硬盘产品的朋友来说,此款装载着Intel 3D NAND颗粒的台电极光固态硬盘**是一款好的选择。
美光出售NOR芯片业务 兆易华邦接手可能性大
集微网 (0)全球存储器业务整并潮持续进行,美光科技将退出NOR Flash业务,计划出售旗下NOR芯片业务,正寻求相关买家,全力冲刺DRAM及3D NAND Flash,传华邦电及兆易**可能接手。美光当初并入此芯片事业花12亿美元,以目前内存市况持续加温来看,要以多少价格出售,有待观察。半导体设备相关人士透露,美光已和多家厂商接洽,主因美光认为NOR芯片业务在该公司营收占比不高,产能也不具经济效益,且近年全力聚焦在DRAM和NAND两大内存的效益整合,因而计划出售NOR芯片业务,战力集中在提升DRAM和NAND芯片全球份额。美光内部证实确有此规划,但发言体系不愿透露相关细节。 华邦电总经理詹东义则表示未听说此事,但会慎重进一步研究。美光的NOR Flash业务是在2010年并购恒忆,加上主要供应大厂飞索发生财务危机并宣布破产,曾一度取得全球份额首位。但近年来NOR Flash价格快速滑落,在美光营收占比节节滑落,地位已远被DRAM和NAND Flash两大内存业务取代。根据市调机构统计,美光在前年全球份额已掉到20%,被旺宏挤下,退居**位,与收购飞索的赛普拉斯(Cypress)伯仲相近,华邦电
2017年半导体业增长动能持续
中国电子报 (0)进入2月,半导体协会、咨询公司以及可参考的半导体公司预测数据大部分都已放出,基本可以判断出2017年半导体产业的热点和走向。为此,《中国电子报》记者特梳理相关数据,以前瞻新年度中的全球半导体行情。回顾2016年,从年初的缓慢起步,到受益于内存市场复苏,年中出现转折性的强劲成长,此后全球半导体的销售一路上冲。截至目前,对于2016年全球半导体市场总销售额数据,世界半导体贸易统计协会(WSTS)于2016年11月做出了3390亿美元总额的秋季预测,另外半导体产业协会(SIA)2017年2月刚刚公布的数据显示为3389亿美元,两者差别不大。2016年所出现的增长销售动能应当能持续到2017年。这也是各分析机构基本认同的观点。在对2017年全球半导体销售额展望中,较为保守的应当是WSTS,预计增长率为3.3%;Gartner*为乐观,将增长率从原本的4.7%上修至7.2%,预计总市场规模可望达到3641亿美元。同样上修预测数据的还有ICInsights和IBS,分别预测增长5%和4.6%。Semico Research、德意志银行和台积电的预测则分别为5.3%、5%和4%。“我们好像是更乐观些
三星公布64层NAND 芯片容量512Gb
DIGITIMES (0)世界*大的**半导体相关技术国际学术会议,国际固态电路研讨会(ISSCC)的2017年度大会中,三星电子(Samsung Electronics),及美国威腾(Western Digital)与日本东芝(Toshiba)的合作团队,都公布了64层、512Gb容量的3D NAND快闪记忆体,且基本的读写速度与技术特征都相似。 据日本PC Watch网站的半导体业专家福田昭报导,虽然三星与东芝公布的产品类似,但发表后的反应却截然不同。对东芝方面只有1个工程师提出发问,三星方面则大排长龙,显示三星的技术有其特出之处,值得关注。三星这次推出的64层3D NAND,被该厂归类于第三代技术,与**代的48层相比,*大的技术障碍是垂直穿孔要穿透的层数增加3分之1,这要不是穿孔深度增加,就是每层之间的厚度要减薄,而厚度减薄可能减薄每层之间的绝缘层厚度,如何降低互相干涉导致资料存取发生错误,就是*主要的课题。而三星特有的快闪记忆体制程技术,电荷撷取快闪记忆体(Charge Trap Flash;CTF),是以电荷撷取(Charge Trap)膜或电洞捕捉作为载子的电子,借此记录或消去资料。而这技术的主要
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NAND
51 2017年02月08日 星期三未来 3 年全球半导体资本支出 仍将维持持续成长态势
科技新报 (0)市场调查机构 Gartner 表示,由于 2016 年全球半导体资本支出成长达到 5.1% 的带动下,预估 2017 年全球半导体资本支出也将成长 2.9%,达到 699 亿美元。而且,从 2017 年到 2019 年的 3 年期间将保持成长态势。预估至 2019 年为止,全球半导体资本支出将达 783 亿美元。Gartner 研究分析师 David Christensen 表示,2016 年全球半导体资本支出的强劲成长,是由 2016 年年底支出成长所带动的。而支出增加的原因,则是因为 NAND 闪存短缺的问题,该问题在 2016 年年底变得更加严重,而且预估在 2017 年大部分时间仍将维持这样的状态。归咎 NAND 闪存短缺的原因,是在于整体智能手机市场优于预期,推动了升级生产 NAND 闪存的资本支出。2016年,NAND 的资本支出增加了 31 亿美元,而起多个与晶圆厂设备相关的细分项目,都表现出高于前预期的强劲成长趋势。预估到了 2017 年,包括热处理、涂胶显影以及离子注入等半导体制程的细分项目,都将分别成长 2.5%、5.6%、8.4% 等比率。Gartner 进一步指
华邦自主3x和2x纳米DRAM技术今年内实现量产
集微网 (0)集微网消息,据海外媒体报道,台系存储器大厂华邦自己研发的3x纳米DRAM技术即将在今年量产,2018年更进入2x纳米,2017年资本支出将创下高达新台币166亿元,惟产能受限下,2017年营收成长有限,会全力聚焦在冲刺毛利率上,尤其30纳米制程的技术陆续量产后,可让毛利提升,且进一步优化客户和产品结构。 华邦2016年全年合并营收为新台币420.92亿元,归属母公司净利为新台币28.98亿元,累计每股纯益0.81元;在存储器事业群方面,2016年利基型存储器(SDRAM)占营收49%,年增率3%;移动存储器(Mobile DRAM)占营收14%,年增率达30%;快闪存储器(Flash Memory)占37%,年增率11%。华邦2016年资本支出为新台币48亿元,在部分支出递延,以及全力投入新产品新制程3x和2x纳米开发下,预计2017年资本支出将**高,达新台币166亿元。华邦总经理詹东义表示,2017年会全力致力于优化产品、客户组合和提升整体毛利率,然受限产能,营收成长会受限,同时也看好汽车电子、物联网、工控市场、移动装置、KGD等应用领域会有更为显著的成长。华邦看好产品线的规划越来
Tosoh强化韩国石英玻璃业务 锁定半导体及OLED需求
DIGITIMES (0)以石化产品及基础化学品起家的Tosoh,该厂子公司在2016年底于韩国开设营业据点后,针对韩国三星电子(Samsung Electronics)等大厂的需求,决定强化半导体设备与液晶面板用石英玻璃行销,并考虑进一步投资OLED相关设备。 据日本工业新闻报导,Tosoh石英玻璃事业的特色,在于从材料加工到生产一体化的生产体系,品质有保证,不仅可用在显示器面板上,在半导体设备的冶具、OLED生产用光罩、医疗与光学器材市场上,都可应用。由于夏普(Sharp)在2016年底停止对三星电子的液晶面板供货,韩国厂商需扩大自己的液晶面板生产线,因此Tosoh Quartz在2016年12月就到韩国设立行销据点,希望抢得相关商机。而且石英玻璃在韩国的商机,还不仅液晶面板,三星从2013年起生产3D NAND快闪存储器,其他存储器厂则从2016年才投入相关产品市场,**的三星不愿让出地位,因此与其他厂商竞相展开3D NAND快闪存储器厂房投资,相关石英玻璃需求跟着水涨船高。而且3D NAND快闪存储器的生产工序,比过去的2D NAND快闪存储器多出许多道步骤,属于耗材的石英玻璃用量料将随着3D NAND
传SK海力士拟入股东芝NAND Flash业务 已提初步报价
DIGITIMES (0)全球**大存储器制造商SK海力士(SK Hynix)传出有意入股东芝(Toshiba) NAND Flash业务,已提出初步报价。 根据路透(Reuters)及韩联社(Yonhapnews)报导,知情人士透露,由于这笔交易仍在早期阶段,SK海力士尚未决定要投资多少股权。SK海力士已于2月3日投标,预计交易成本介于2兆~3兆韩元(18亿~27亿美元)。东芝现为全球**大NAND Flash制造商。东芝于1月表示,因美国核电业务减损数十亿美元,将销售其NAND Flsah业务的约20%股份筹措资金。SK海力士则因全球NAND Flash需求大增,想借此进一步强化NAND Flash业务。SK海力士在1月亦表示将斥资2.2兆韩元在韩国兴建1座NAND Flash制造厂。