群联董事长:NAND Flash第3季会史上*缺；

群联潘健成：Q3 NAND Flash爆*大缺货潮

存储型快闪存储器(NAND Flash)控制芯片大厂群联董事长潘健成表示，由于NAND Flash芯片需求相当强劲，主要制造大厂表示未来三年的产能仍无法供应，今年第3季不但不会缓跌，货源比今年第1季还缺，而且将是史上*缺货的一季。他研判，这波NAND Flash价格将会在6月下旬止稳后再出现急涨，也预告如果手中没充裕货源，将受到不小的冲击。这波推升NAND Flash芯片*大推手就是因应各项影音需求的数据中心和服务器。集邦咨询(TrendForce)曾预估，2017年第四季全球笔电出货的固态硬盘渗透率将超越50%,2017年整体固态硬盘需求成长率将高达60%，所消耗的NAND Flash比重也将正式站上40%大关。潘建成表示，各家NAND Flash厂为竞逐存储容量更高的3D NAND Flash，去年开始都调拨产能投入3D NAND Flash生产，结果因良率未达预期，造成全球NAND Flash大缺货，今年首季更写下历年来淡季*大涨幅。潘健成强调，本季NAND Flash虽然小幅下滑，但这只是渠道商见涨幅过大获利抛货的短暂现货，供应商货源仍然短缺，也都采取配售措施。他强调，随着很多

东芝是大股东的群联董事长：东芝芯片会卖给日资

东芝半导体事业各**马抢亲，包括鸿海集团等展现高度意愿，东芝是群联大股东，对于东芝内存出售案，但长期和东芝半导体合作的群联董事长潘健成分析，东芝不可能被单一企业或公司买下。 他推断*后结果，将会由日本境内私募基金或现有股东拿下，仍会维持原有东芝控制权，再让部分策略合作伙伴持有少数股权入股。 潘健成强调，东芝半导体和早期的尔必达破产不一样，东芝半导体是东芝*赚钱的事业体，而且东芝的储存型闪存（NAND Flash）也是日本*引以为傲的技术，引发东芝财务危机的是核电事业，因此切割半导体事业独立新公司，才会吸引各**马抢亲。但据他个人长期和东芝合作观察的结果，他认为，东芝切割半导体事业独立新公司，不可能轻易让出经营控制权，换句话说，不会让单一公司或企业吃下逾51%的股权。对于近来包括鸿海、博通及SK海力士，以及东芝合作伙伴威腾等，和先前传出苹果、美光也有意入股东芝半导体公司。 潘健成表示，只要让这些公司取得多数股权，都会破坏现有NAND Flash产业生态，群联相当关注此事后续发展。潘健成坦承，今年1月接到东芝电话，希望群联能在**阶段释股19%时，计划筹资5亿美元，当下群联表达同意会参与投

NAND与NOR当红 群联旺宏获利将**高

储存型闪存（NAND Flash）和编码型闪存（NOR Flash）今年产业当红，也将推升群联和旺宏在今年第3季写下单季获利新高。 群联董事长潘健成预告，第3季将是史上NAND Flash*缺的一季，无独有偶，日前全球*大NOR Flash供货商赛普拉斯（Cypress）也确认将淡出NOR Flash，业者也预期NOR Flash缺货问题更为严重，连带让台厂*大供货商旺宏业绩也将翻身。群联公布首季每股纯益6.5元，未再创高，主因首季汇损达3.47亿元，拖累获利表现。 但因NAND Flash价格仍处于涨势，且策略性产品组合，包括有SSD控制芯片出货明显成长，工业及车用等应用产品的出货比重也显著提升，让首季毛利达29.33亿元，毛利率达30.7%；营业利益也16.89亿元，同步改写历史单季新高纪录。潘健成预估，群联本季获利仍可优于上季，且下半年若货源供应充足，全年营收和获利仍有机会挑战历史新高。旺宏今年营运也将NOR Flash供不应求，市场价格大涨，并且有任天堂Switch平台订单加持，以及车用与工业用相关业绩也快速成长等激励，不但于18日脱离全额交割股的交易限制，更有外资给予买进评等

东芝芯片业务引多家公司竞购

据外媒报道，东芝半导体（存储芯片）业务出现多家公司竞购局面，进一步加剧了全球半导体产业通过并购维持**地位的趋势。 据路透社援引消息人士话称，在19日**轮竞标截止前，包括私募股权投资公司KKR、贝恩资本和美国芯片生产商博通在内的公司，均参与对东芝半导体业务的竞购。东芝对芯片业务的估值至少为2万亿日元。在现已破产的美国核电业务成本严重超支导致公司现金短缺后，东芝今年不得不出售上述资产。出售该业务对东芝复苏至关重要。东芝方面曾表示，**轮竞标后仍可以有新竞标者加入。但竞购结果仍不确定，因与东芝共同经营其主要半导体工厂的西部数据也是竞购者之一。路透社报道称，该公司将寻求通过法律途径阻止东芝在未征得其同意的情况下出售芯片业务。一位消息人士称，KKR可能成为*受青睐的竞标方之一。KKR将与日本政府支持的基金——产业革新机构联手，开出规模至少为1.8万亿日元的报价。并称该报价有可能进一步上调以增强竞争力。日本政府已明确表态，将会阻挠任何可能导致高价值芯片技术从日本流出的交易，而且会把有政府背景投资方的参与视为关键的批准标志。知情人士称，产业革新机构和日本政策投资银行已分别向东芝表示，有意参与投标

传三星今年资本支出较去年增长85.6% 达219.5亿美元

三星为攀上全球半导体龙头，不惜砸重金拼了，传今年资本支出将大幅加码逾十万亿韩元。新韩投资 存储器目前供不应求，也是三星今年布局的重点，预料将占据资本支出的一半左右。据新韩分析师预测，光是 NAND 快闪存储器，三星就将砸下 12.05 万亿韩元(约 108 亿美元)，非存储器部门(包含晶圆代工)则占 8 万亿韩元。三星 NAND 快闪存储器量产技术**，分析师看好三星借由新增投资，可趁机扩大市占率。集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)数据显示，三星 2016 年第四季 NAND 存储器营收市占达 37.1%，遥遥****名东芝的 18.3%。

英特尔发布3D NAND数据中心级固态盘

本报讯 英特尔在其大连工厂发布了两款全新的采用3D NAND的数据中心级固态盘：英特尔固态盘DC P4500系列及英特尔固态盘DC P4600系列。这两款产品主要为云存储解决方案所设计，英特尔固态盘DC P4500系列专门针对数据读取进行优化，能让数据中心从服务器中获得更多价值并存储更多数据。而针对混合型工作负载所设计的英特尔固态盘DC P4600系列则可以加速缓存，并使每台服务器可运行的工作负载量实现提升。同时，作为“非易失性存储器”制造基地的英特尔大连工厂正在扩建，以满足市场对3D NAND供应日益增长的需求，今天发布的这两款产品也是英特尔大连工厂升级后出货的基于3D NAND数据中心级固态盘。英特尔公司非易失性存储器解决方案事业部副总裁兼全球制造总经理Keyvan Esfarjani表示：“通过发布全新数据中心级固态盘DC P4500系列及P4600系列，英特尔将进一步扩大在云存储解决方案领域的技术**优势。我对英特尔大连工厂的执行工作感到满意，并为进一步扩展我们的运营，实现规模效益来满足客户日益增长的需求而倍感兴奋。” （陈炳欣）

麦格理分析师：DRAM和Flash价格会持续涨到年底

存储芯片市场上周出现降温杂音，麦格理分析师Daniel Kim提出反驳。 他认为下半年DRAM和NAND价格仍会续涨，有利美光、西部数据、三星、南亚科、力成、东芝和SK海力士股价。据巴隆周刊（Barron's）报导，Daniel Kim发布报告说：「所有数据和消息都表明存储芯片市场今年下半年会比预期更强。 」他看好存储芯片价格会持续涨到今年底。整体来说，Daniel Kim认为芯片价格上涨，即暴露看空论点的瑕疵。他指出，建构数据中心的厂商「重视的是系统的表现而非管控成本」，「材料成本上扬会影响存储芯片类股的说法似无说服力」，「此外，连智能手机厂商也没有多少减少存储容量的空间」。Daniel Kim也指出，三星不愿像过去一样「让DRAM充斥市场」，中国厂商供过于求之说也「不可靠」。更具体来说，他认为美光等厂商供应PC市场的DRAM合约价，「第3季将持平甚至微幅上扬」，手机等移动设备的DRAM合约价同季将继PC和服务器之后「接棒涨价」。移动设备用DRAM是「利润*薄」的一环，金桐完认为，苹果在内的厂商「在供应短缺和季节性因素下，势必得接受涨价」。他也看好NAND闪存会上涨，他在报告中说：「

日美“卡脖子” 国产大存储崛起能否取得成功？

小时候并不知道为什么唐僧要取经,取的什么经?后来知道了,唐僧要的是所谓“大乘佛法”,简单说就是普度众生,救民于水火。既有这样的佛法,孙悟空何不多翻几个筋斗,快快取来就是,为什么非要肉体凡胎的唐僧不辞劳苦、跋山涉水呢?难道上天就没有好生之德吗?还要设置各种妖怪来捣乱,岂不是折腾人吗? 上天当然会有好生之德,这没有什么好怀疑的。至于为什么折腾唐僧,并不是上天要以此为乐,所谓天机不可泄漏,九九八十一难其实就是真经的一部分,对吗?其实现实生活也是如此。前不久,美国商务部长Wilbur Ross在接受路透社记者采访时表示: “半导体是美国优势产业之一,但已从大量盈余走向赤字,相比中国有一项1500亿美元的半导体投资计划,从现在一直延伸至2025年,这太可怕了。”尽管连美国商务部长都感觉到害怕,但这并意味着中国半导体自此可以高枕无忧了。所谓1500亿美元投资,就像唐僧取经需要徒弟们保护一样,它只是一个不可缺少的条件,1500亿美元并不保障一定成功,同样存在随时可能被妖怪吃掉,取经失败。用现在的话说,挑战和机遇其实并存。作为中国半导体战略的践行着,对于紫光集团来说,有利的外部条件是,以**制程工艺为

东芝姿态放软、不和WD硬碰！工厂禁入措施暂喊卡

为了筹措重建资金，东芝(Toshiba)正积极着手进行以NAND型快闪存储器(Flash Memory)为主轴的半导体事业出售手续，只不过，东芝合作伙伴、共同营运NAND Flash主要据点“四日市工厂”的Western Digital(WD)在4月向东芝提出严正抗议，称东芝严重违反双方所签定的合资契约，要求东芝立即停止招标手续。而东芝不甘示弱，于5月3日向WD警告，若在美国时间5月15日以前没有停止妨碍招标的行为的话，就不会让WD员工再进到四日市工厂、且将中断双方的情报交流。 不过，关于东芝上述警告，WD完全不甩，于5**14日向国际仲裁法庭诉请仲裁、要求东芝停止半导体事业出售手续，也让东芝与WD之间的对立情势急速攀升。而为了早期出售半导体事业、解除“债务超过(债务超过资产)”局面，东芝姿态放软，并未如原先警告一般、禁止WD员工进入四日市工厂也没阻断WD员工进入双方的通信网路。日本媒体报导，东芝于16日决定，将暂缓执行日前对WD所提出的警告内容，当前将不会禁止WD员工进入四日市工厂、且也不会阻断WD员工连接进入通信网路。WD位于美国的研发据点目前借由网路和东芝四日市工厂进行连结，分担

英特尔全新3D NAND全新数据中心级固态盘大连造

传苹果谷歌亚马逊都在觊觎东芝NAND闪存业务

腾讯科技讯 日本《读卖新闻》（Yomiuri Shimbun）周六报道称，苹果、亚马逊和谷歌(微博)均参与了东芝NAND闪存部门的竞购。 东芝股东在本周四举行的股东大会中批准了分拆旗下NAND闪存业务的提案，这也为东芝随后出售闪存业务控股股权或全部股权铺平了道路。东芝希望募集到至少90亿美元资金，以应对美国核电业务破产可能给集团构成的影响。该公司此前表示，旗下闪存业务的估值在180亿美元左右。消息人士透露，目前约有10家潜在竞购方对东芝闪存业务很感兴趣，其中包括与东芝在日本合资投建芯片工厂的西部数据、美光、SK海力士、以及其它财务投资人。虽然富士康对收购东芝芯片业务充满信心，但消息人士称，由于富士康与中国关系紧密，日本政府可能会阻止该交易。《读卖新闻》在报道中并未透露苹果、亚马逊和谷歌竞购东芝NAND闪存业务的价格。《日本经济新闻》周五报道称，美国私募公司银湖和美国芯片制造商博通已向东芝提供了约2万亿日元（约合180亿美元）的报价，欲收购后者的NAND闪存业务。截至目前，东芝方面对此报道未予置评。东芝本月初就出售内存芯片业务向10家潜在收购方发出问询函，力争竞购价格能达到约1.5万亿日

东芝：再妨碍半导体出售、就别想进四日市工厂

东芝(Toshiba)以NAND型快闪存储器(Flash Memory)为主轴的半导体事业第2轮招标预计将在5月中旬截止，除鸿海(2317)、博通(Broadcom)、Western Digital(WD)和韩国SK Hynix等据传已通过首轮筛选的4个阵营之外，美国投资基金Kohlberg Kravis Roberts(KKR)和日本官民基金“产业革新机构(INCJ)”也传出可能将筹组“日美联军”加入战局。 其中，东芝合作伙伴、共同营运NAND Flash主要据点“四日市工厂”的WD曾在4月时向东芝董事会送交了一份由WD CEO Stephen D. Milligan署名的抗议意见书，向东芝提出严正抗议，称东芝想将半导体事业出售给第三方的举动已严重违反双方所签定的合资契约，主张在没有获得WD的同意下，东芝不得擅自将半导体事业出售给第三方，要求东芝立即停止招标手续、且向东芝要求独占交涉权。而关于WD上述抗议举动，东芝也正式展开反击，称WD误解双方的合资契约内容，要求WD停止妨碍半导体事业招标的举动，否则WD技术人员别想再进入四日市工厂。日经新闻、路透社等多家日本媒体9日报导，东芝已于5

硅晶圆抢货战火升温 传武汉新芯遭日供应商砍单

全球硅晶圆缺货严重，已成为半导体厂营运成长瓶颈，后续恐将演变成***的战火，半导体业者透露，日本硅晶圆大厂Sumco决定出手下砍大陆NOR Flash厂武汉新芯的硅晶圆订单，优先供货给台积电、英特尔(Intel)、美光(Micron)等大厂，不仅加重NOR Flash短缺情况，日系供应商供货明显偏向台、美、日厂，恐让大陆半导体发展陷入硅晶圆不足困境。硅晶圆已成为半导体产业的关键物资，过去10年来硅晶圆产能都是处于供过于求状态，如今硅晶圆却面临缺货，且已缺到影响半导体厂生产线运作，尤其是12吋规格硅晶圆，包括晶圆代工、DRAM、NAND Flash及NOR Flash厂等各方人马抢翻天。世界先进表示，2017年营运恐无法如期成长，部分原因是硅晶圆短缺，且预期将一直缺到年底；华邦透露，过去因付款和取货信用良好，这一波将签保障长约；旺宏则指出，硅晶圆很缺，且短期内无法纾解，公司政策是无论加价多少，都要买到足够的量。信越日前对台积电、联电、英特尔、GlobalFoundries等半导体大厂提出签3年长约，然这几家大厂为确保未来扩产无虞，仍积极寻求其他硅晶圆供应商货源。值得注意的是，近期传出日本

数据中心等需求带动 存储器为首零组件价格上扬

2017年4~6月的主要电子零组件与材料交易价，以存储器为中心，包括DRAM等挥发性存储器以及NAND Flash与硬盘等非挥发性存储器，呈现持续走扬，除了智能型手机与个人电脑(PC)需求外，4K电视与数据中心需求也带动相关市场。根据日本经济新闻(Nikkei)报导，大屏幕4K电视除了带动存储器需求外，同时也带动液晶面板市场走势，大陆液晶面板厂仍在建设中，目前仍无法供应市场需求，鸿海与夏普(Sharp)得以利用价格优势积极抢夺市场。另外，存储器需求还影响到硅晶圆需求成长，硅晶圆材料厂投资仍谨慎，供货量无法提升，导致硅晶圆材料市价跟着上涨。华为创办人暨总裁任正非在2017年4月中旬，于微博上发表一段话，提及该厂*新款智能型手机的存储器规格不一问题，表示主因在存储器的严重短缺。日本经济新闻报导，其实不只是华为，大陆智能型手机厂现在都困于存储器的不足。存储器不足的主因，则源自北美的数据中心建设风潮，亚马逊(Amazon)、Google、Facebook等公司，均积极增设数据中心，数据中心不仅需要大量的硬盘与SSD，同时对DRAM的需求也不低，导致高性能存储器缺货。除了数据中心抢存储器之外，P

传苹果谷歌亚马逊都在觊觎东芝NAND闪存业务

腾讯科技讯 日本《读卖新闻》（Yomiuri Shimbun）周六报道称，苹果、亚马逊和谷歌(微博)均参与了东芝NAND闪存部门的竞购。 东芝股东在本周四举行的股东大会中批准了分拆旗下NAND闪存业务的提案，这也为东芝随后出售闪存业务控股股权或全部股权铺平了道路。东芝希望募集到至少90亿美元资金，以应对美国核电业务破产可能给集团构成的影响。该公司此前表示，旗下闪存业务的估值在180亿美元左右。消息人士透露，目前约有10家潜在竞购方对东芝闪存业务很感兴趣，其中包括与东芝在日本合资投建芯片工厂的西部数据、美光、SK海力士、以及其它财务投资人。虽然富士康对收购东芝芯片业务充满信心，但消息人士称，由于富士康与中国关系紧密，日本政府可能会阻止该交易。《读卖新闻》在报道中并未透露苹果、亚马逊和谷歌竞购东芝NAND闪存业务的价格。《日本经济新闻》周五报道称，美国私募公司银湖和美国芯片制造商博通已向东芝提供了约2万亿日元（约合180亿美元）的报价，欲收购后者的NAND闪存业务。截至目前，东芝方面对此报道未予置评。东芝本月初就出售内存芯片业务向10家潜在收购方发出问询函，力争竞购价格能达到约1.5万亿日

存储器供货短缺将持续一整年？

2017年会是flash/SSD年？随着3D NAND转型步调缓慢，加上智慧型手机到服务器等市场需求旺盛，如今的flash晶粒供应极其吃紧… 近三年来，我一直预测2017年会是快闪存储器(flash)/固态硬盘(SSD)丰收的一年。然而，由于3D NAND转型步调缓慢，加上智慧型手机到服务器等市场的需求旺盛，如今的flash晶粒供应极其吃紧。不仅价格持续上涨20%或甚至更多，而像个人电脑(PC)等领域的存储器供应不足更对其销售数字带来冲击。这让IT人员得多花一点时间才能接受这一点。毕竟对于电脑储存而言，SSD会是更快速的解决方案。但我们讨论的是更巨大的因素，性能更高千倍以上，因此，你可能会想知道为什么这个市场花了这么久的时间才终于起飞。我想价格是其中一项因素，不过，只有聪明的人才了解特定的服务器使用SSD能让性能倍增，同时节省更多成本。同样地，一般都认为“企业”级HDD不再是储存的主要选择。此外，随着3D NAND可在每个硬盘实现约30-100TB的容量，我们几乎要接受HDD市场的其余部份(主要是SATA碟)也受到SSD冲击的事实了。目前面对的**个困难点在于，3D NAND需要重新组

10年千亿美元，紫光集团目标跻身全球前五的存储器企业

集微网消息，国家01专项技术总师、清华大学微电子学研究所所长魏少军曾说过，存储器产业讲求规模，是一个需要长期持续投入的行业。据台湾电子时报报道，紫光集团全球执行副总裁暨长江存储代行董事长高启全透露，紫光集团以拿下 25% 的 DRAM 市占为目标，若计入 3D NAND 投入成本，需要长达十年共计 1000 亿美元的投资金额。 DRAM 产业正在从一个波动剧烈的市场，逐渐走向成熟。现阶段，DRAM 技术每进入新一代制程技术仅增加 20%的半导体机台设备，这意味着既存的半导体厂商的多数机台设备已经折旧完，如果购买全新的设备投入追赶显得并不明智。然而，在传统 2D 走向 3D NAND 技术时，几乎所有的半导体机台设备都要更换，技术也在革新中，在投入方面所有存储器厂商都处在同一个出发点，踩准这一时机大力投入，积极追赶是非常好的机会。在具体的投入金额方面，高启全算了一笔账。紫光集团拿下 25% 的 DRAM 市占为目标做例子，晶圆厂的每月单月产能在 30 万片，制程设备方面投资需要 270 亿美元，建厂成本在 330 亿美元，产能满载后的每年固定投资在 30~40 亿美元，累计 5 年再投资

索罗斯基金出手 Violin Memory完成出售业务

全快闪存储器储存阵列与设备供应商Violin Memory于日前向美国证券管理委员会提交宣誓书，除了解释2016年12月宣布的破产事件，并透露已于4月24日完成重组工作，以及与索罗斯基金管理公司(Soros Fund Management)旗下私人投资基金Quantum Partners有关的出售流程。根据eWeek报导，Violin将保留知识产权、客户群和专业团队，Quantum Partners则接手公司业务。Violin于2013年9月上市，募集资金1.62亿美元，但股价从未达到预期水准，1年前股票变成壁纸。尽管近年Violin陷营运泥沼，但产品开发仍在进行，其*新的全快闪存储器产品阵列，包括快闪存储器储存平台7650和7450，已于2016年9月推出。此外，Violin公布对整个FSP系列的新白金级别客户服务内容，Violin还发表一个在云环境下运作的Concerto in the Cloud软件产品，是Violin操作系统的虚拟化实例，可以部署在公共、私有或混合云上。Violin新任**执行长兼总裁Ebrahim Abbasi表示，索罗斯购并Violin，认识到Violin的

传苹果谷歌亚马逊都在觊觎东芝NAND闪存业务

腾讯科技讯 日本《读卖新闻》（Yomiuri Shimbun）周六报道称，苹果、亚马逊和谷歌(微博)均参与了东芝NAND闪存部门的竞购。 东芝股东在本周四举行的股东大会中批准了分拆旗下NAND闪存业务的提案，这也为东芝随后出售闪存业务控股股权或全部股权铺平了道路。东芝希望募集到至少90亿美元资金，以应对美国核电业务破产可能给集团构成的影响。该公司此前表示，旗下闪存业务的估值在180亿美元左右。消息人士透露，目前约有10家潜在竞购方对东芝闪存业务很感兴趣，其中包括与东芝在日本合资投建芯片工厂的西部数据、美光、SK海力士、以及其它财务投资人。虽然富士康对收购东芝芯片业务充满信心，但消息人士称，由于富士康与中国关系紧密，日本政府可能会阻止该交易。《读卖新闻》在报道中并未透露苹果、亚马逊和谷歌竞购东芝NAND闪存业务的价格。《日本经济新闻》周五报道称，美国私募公司银湖和美国芯片制造商博通已向东芝提供了约2万亿日元（约合180亿美元）的报价，欲收购后者的NAND闪存业务。截至目前，东芝方面对此报道未予置评。东芝本月初就出售内存芯片业务向10家潜在收购方发出问询函，力争竞购价格能达到约1.5万亿日

全球半导体销售连续8个月成长 3月金额达到309亿美元

全球半导体每月平均销售额于2016年8月再现年增后，不但已连续8个月成长，并且每月年增幅度也在不断攀高。 根据美国半导体产业协会(SIA)*新公布数据，2017年3月全球半导体平均销售额为308.8亿美元，较2016年同期261.5亿美元，成长18.1%。年增幅度创2010年10月以来新高。此外，2017年第1季全球半导体合计销售额为926亿美元，亦较2016年期成长18.1%。不过与2016年第4季销售额相较，微幅下滑了0.4%。SIA总裁暨执行长John Neuffer表示，与2016年同期相较，2017年3月全球各地半导体市场平均销售额，都表现出双位数百分比的成长。各主要半导体产品类别销售额也都呈现成长，尤其是存储器产品销售额成长幅度更是强劲。数据显示，2017年3月大陆地区半导体销售额年增26.7%，达100.7亿美元。美洲市场年增21.9%，达59.6亿美元。欧洲、日本，以及亚太／其他地区亦分别年增11.1%、10.71%与11.9%，达29.6亿、28.7亿与90.2亿美元。与2月销售额相较，除美洲微幅下滑0.5%外，其余市场均出现成长。尤其是欧洲月增幅度达5.0%，*高；

紫光赵伟国：2020年前赶上高通、联发科

大陆政府全力扶持的***半导体芯片大厂紫光集团，即便在过去一段时间海外收购交易屡屡碰壁，但仍不减该公司跻身为全球**芯片大厂的雄心壮志。在与日经新闻(Nikkei)的专访中，紫光集团董事长赵伟国有信心让该公司在2020年前追近全球前两大移动芯片供应商高通(Qualcomm)、联发科(MediaTek)；并将目标设在10年内跻身全球前五大存储器芯片制造商之列。 赵伟国强调，大陆要跟上全球半导体产业水准只是假以时日的问题，这可从过去10年大陆在电视面板市场的崛起窥见一二。他指出，台湾及南韩的芯片产业技术也是经过长期间发展才能与美国芯片厂一较高下，相信大陆也能够做得到。身为大陆芯片产业的代表人物之一，赵伟国表示紫光正专注于先进的3D NAND Flash存储器芯片研发，主要可用于包括智能手机、移动装置及其他连网装置等广泛领域。目前包括先进3D类的NAND Flash存储器芯片仍主要由包括三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)、西数电子(Western Digital)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)及英特尔(Intel)等非陆厂所生产

紫光董事长赵伟国:力争10年内跻身全球存储器前5

参考消息网4月26日报道 日媒称，外界多视紫光集团董事长赵伟国为中国发展半导体领军人物，他近期接受Nikkei Asian Review专访时，提到两个发展重要目标，**，在行动芯片业务方面，要在2020年时，大幅缩小与全球两大手机芯片商美国高通、台湾联发科的距离。另一方面，在十年内，紫光要跃身成为全球前五大存储器制造商。 据《日本经济新闻》中文网4月25日报道，现在中国还完全没有存储器芯片产出，若以NAND Flash内存产能来说，韩国的三星、SK海力士，日本东芝、美国的西部数据（Western Digital）及美光、英特尔掌握了全球市场。而紫光旗下行动芯片商展讯通信，在4G行动业务及客户拓展也还大幅落后。赵伟国不否认目前仍处于落后态势，但是他说：“我认为只需要时间，中国半导体就能发展起来”。“看看几年前中国也没有面板业，但是现在面板业已经居世界领导地位，而随着技术更新换代，台湾跟韩国的芯片产业，也得以发展和美国同业竞争。中国也可以做到。”赵伟国说。赵伟国说，紫光集团现在*重要的两大发展方向，就是3D NAND flash内存技术，及行动芯片、物联网芯片。NAND flash内存被

南亚科2017年首季毛利率创7季新高 第2季DRAM涨幅10%以内

存储器大厂南亚科 26 日举行法说会，公布 2017 年第 1 季自结财报。根据财报显示，2017 年第 1 季营收为新台币 122.31 亿元，较 2016 年第 4 季增加 1.1%。营业毛利则为 49.01 亿元，毛利率 40.1%，也较 2016 年第 4 季增加 9.1%。营业利益为 38.53 亿元，营业利益率达到 31.5%。南亚科总经理李培瑛表示，在当前 DRAM 市场上供货吃紧，加上价格上涨的优势，使得南亚科 2017 年第 1 季毛利率创下 7 季以来新高水准。 李培瑛进一步指出，2017 年第 1 季 DRAM 平均售价较 2016 年第 4 季涨价 20.1%。因此，虽然南亚科在第 1 季的出货量，在部分机台由 30 纳米制程转换到 20 纳米制程的情况下，较 2016 年第 4 季减少 14.4%，再加上新台币兑换美元汇率升值的因素影响营收负影响1.7%，使得南亚科 2017 年第 1 季税后净利归属于母公司业主为 32.75 亿元，净利率 26.8%，较 2016 年第 4 季在扣除出售华亚科股票利益之税后的净利率 17.4%，还增加 9.4%，单季每股 E

南亚科首季毛利率创7季新高 Q2 DRAM涨幅10%以内

存储器大厂南亚科26日举行法说会，公布2017年第1季自结财报。根据财报显示，2017年第1季营收为122.31亿元(新台币，下同)，较2016年第4季增加1.1%。营业毛利则为49.01亿元，毛利率40.1%，也较2016年第4季增加9.1%。营业利益为38.53亿元，营业利益率达到31.5%。南亚科总经理李培瑛表示，在当前DRAM市场上供货吃紧，加上价格上涨的优势，使得南亚科2017年第1季毛利率创下7季以来新高水准。李培瑛进一步指出，2017年第1季DRAM平均售价较2016年第4季涨价20.1%。因此，虽然南亚科在第1季的出货量，在部分机台由30纳米制程转换到20纳米制程的情况下，较2016年第4季减少14.4%，再加上新台币兑换美元汇率升值的因素影响营收负影响1.7%，使得南亚科2017年第1季税后净利归属于母公司业主为32.75亿元，净利率26.8%，较2016年第4季在扣除出售华亚科股票利益之税后的净利率17.4%，还增加9.4%，单季每股EPS为1.19元。李培瑛进一步指出，南亚科于2016年12月投资美光私募股57,780,138股，每股价格为17.29美元，交易总金

Gartner发表超乐观预期 今年芯片市场规模可望成长12%

近年半导体产业成长趋缓，年成长率常常仅在2～3%之间，甚至还一度出现微幅下滑的局面，但研究机构Gartner认为，自2016下半年起，有利于半导体产业景气复苏的条件开始浮现，尤其是在标准型内存方面，随着这些有利条件持续发酵，2017年全球半导体产业的营收规模可望比2016年大幅增加12.3%，达３,860亿美元， 2018年市场前景同样十分乐观。 不过，由于内存市场变化无常，加上DRAM与NAND Flash产能增加，预期半导体产业景气将在2019年进入修正期。 Gartner研究总监Jon Erensen表示，虽然DRAM与NAND Flash价格双双上涨，让整体半导体市场前景更为看好，但这也对智能型手机、个人计算机(PC)与服务器系统厂商的获利带来压力。 零组件缺货、原物料价格上涨，加上业者可能必须提高平均售价(ASP)做为因应，2017年与2018年市场都将因此动荡。从2016年中以来，个人计算机用的DRAM价格已上涨一倍。 原来只要12.50美元的4GB模块，现在已涨到将近25美元，NAND Flash的平均售价也从2016下半年持续上扬到今年**季。 Gartner预期DRA

机构:DRAM与NAND FLASH价格下半年将下降

Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季将会开始呈现反转，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的价格会在 2018 年出现明显下滑，并在 2019 年重新陷入一个相对低点。 Gartner 表示，自 2016 年中期以来，随着 NAND Flash 的涨价，SSD 的每字节的成本也出现了惊人上涨。 不过，这种上涨趋势将在本季达到顶峰。 其原因在于中国厂商大量投入生产的结果，在产能陆续开出后，市场价格就一反过去的涨势，开始出现下跌的情况。Gartner 进一步指出，中国曾在 2014 年表示，将在未来 10 年内花费 1,500 亿美元来扩大半导体产能。 而在大量中国制造的 NAND Flash 涌入市场之后，势必会缓解当前供不应求的情况，价格下降也就成了必然。 Gartner 预估，NAND Flash 方面，2017 年第 2 季将会开始呈现反转，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的价格会在 2018 年出现明显下滑，并在 2019 年重新陷入一个相对低点。不过，在 NAND Flash 降价的基础下，Gartner 却不认为消费

Gartner：DRAM与NAND FLASH价格下半年将下降

Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季将会开始呈现反转，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的价格会在 2018 年出现明显下滑，并在 2019 年重新陷入一个相对低点。Gartner 表示，自 2016 年中期以来，随着 NAND Flash 的涨价，SSD 的每字节的成本也出现了惊人上涨。 不过，这种上涨趋势将在本季达到顶峰。 其原因在于中国厂商大量投入生产的结果，在产能陆续开出后，市场价格就一反过去的涨势，开始出现下跌的情况。Gartner 进一步指出，中国曾在 2014 年表示，将在未来 10 年内花费 1,500 亿美元来扩大半导体产能。 而在大量中国制造的 NAND Flash 涌入市场之后，势必会缓解当前供不应求的情况，价格下降也就成了必然。 Gartner 预估，NAND Flash 方面，2017 年第 2 季将会开始呈现反转，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的价格会在 2018 年出现明显下滑，并在 2019 年重新陷入一个相对低点。不过，在 NAND Flash 降价的基础下，Gartner 却不认为消费者

全球3D NAND大军技术对决 下半年产出可望大增

2017年将是3D NAND Flash应用市场快速崛起的关键年，包括三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、东芝(Toshiba)等陆续推出具竞争力的64层3D NAND Flash加入竞局，SK海力士(SK Hynix)更一举跳到72层3D NAND Flash技术以求突围，由于新旧技术转换，良率仍不稳定，加上固态硬碟(SSD)需求起飞，造成NAND Flash市场大缺货，业者预期2017年下半产出可望大增，**开启3D NAND Flash时代。三星在2016年底宣布量产64层3D NAND技术，在整体市场竞局持续技术**地位，但从2D技术转换到3D NAND过程中，面临2D产品投片量减少，3D NAND初期良率又不稳定，让整个NAND Flash市场缺货问题更严重，业者预期三星64层3D NAND会在5、6月开始放量生产，可望纾解市场吃紧状况。 三星2017年3D NAND投资规模将高于先前计划，三星平泽半导体厂预计*快6月完工，7月有机会正式投产，并进一步扩大增设3D NAND生产线，三星2017年在半导体投资额将创下史上新高纪录，上看176

全球3D NAND 2017下半年产出可望大增

2017年将是3D NAND Flash应用市场快速崛起的关键年，包括三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、东芝(Toshiba)等陆续推出具竞争力的64层3D NAND Flash加入竞局，SK海力士(SK Hynix)更一举跳到72层3D NAND Flash技术以求突围，由于新旧技术转换，良率仍不稳定，加上固态硬碟(SSD)需求起飞，造成NAND Flash市场大缺货，业者预期2017年下半产出可望大增，**开启3D NAND Flash时代。三星在2016年底宣布量产64层3D NAND技术，在整体市场竞局持续技术**地位，但从2D技术转换到3D NAND过程中，面临2D产品投片量减少，3D NAND初期良率又不稳定，让整个NAND Flash市场缺货问题更严重，业者预期三星64层3D NAND会在5、6月开始放量生产，可望纾解市场吃紧状况。三星2017年3D NAND投资规模将高于先前计划，三星平泽半导体厂预计*快6月完工，7月有机会正式投产，并进一步扩大增设3D NAND生产线，三星2017年在半导体投资额将创下史上新高纪录，上看176亿

东芝存储器*低2兆日圆　日媒称失言

东芝存储器(Toshiba Memory)股权出售案进行中，东芝(Toshiba)社长纲川智对于出售价格表示，至少要2兆日圆(约180亿美元)，由于外传东芝存储器资产总值约1.5兆~2兆日圆，有些媒体认为纲川智开价太高，但日本微细加工研究所所长汤之上隆表示，这是致命失言，应该开价到8兆日圆才对。 据日文版Business Journal报导，东芝NAND快闪存储器的2016会计年度(2016/4~2017/3)营收，估达8,166亿日圆，若以2兆日圆卖出，出售价除以年营收约为2.45，也就是买下东芝存储器的经费，等于东芝存储器2.45年的营收。与近年来其他半导体厂的购并案比较，英特尔(Intel)购并营收3.58亿美元的以色列Mobileye，用了153亿美元，出售价除以年营收等于42.74；SoftBank购并营收1,791亿日圆的安谋(ARM)，出了3.3兆日圆，出售价除以年营收等于18.43，比例上都比东芝存储器高出很多倍。英特尔与SoftBank的购并，算是比例比较高的案例，之所以要出这么多钱购并，原因在被购并企业的事业前景值得期待：英特尔与BMW进行自动驾驶相关技术合作后，才

耗资136亿美元 三星全球*大芯片工厂将在7月开始运营

据The Investor网站北京时间4月12日报道，三星电子将从7月份开始运营位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂。新设施是******的芯片工厂，占地289万平方米。三星将在该工厂量产第四代3D NAND闪存芯片，该芯片垂直堆叠达到64层。据《首尔经济新闻》报道，三星已要求合作伙伴在5月底之前供应必要的芯片制造设备。消息称，一开始，新工厂的产量将较为有限，需要几年时间才能**运转。三星预计将于今年开始在这一芯片制造综合体运营，但是尚未正式宣布具体时间表。新工厂从2015年开始建造，耗资15.6万亿韩元(约合136亿美元)。平面和垂直NAND闪存芯片的总产能预计将达到每月45万片晶圆，3D NAND闪存芯片将占据一半以上。三星目前是全球*大的NAND闪存芯片制造商。市场研究公司IHS Markit发布的报告显示，三星去年在NAND闪存芯片市场的份额从2015年的32%增长到了36.1%。

高启全强调紫光存储自主研发，内存不走台湾授权的老路

外界认为高启全到大陆发展内存产业后，带走许多台湾半导体产业的人才，对此，他接受媒体采访时强调，找人才不分地方、国籍，不会特定挖哪一公司的员工。 他解释，长江存储是一家国际化的公司，拥有全球各地的人加入，美国人、日本人、南韩人都有，绝不是只有挖台湾工程师，长江存储内部是规定要用英文沟通，因为外籍主管很多，以国际化的规格在打造企业。高启全说，长江存储2016年7月16日正式成立后，就购并武汉新芯100%股权，现在的武汉新芯约1,200人，另外，长江存储成立至今也招募将近700人，当中的研发人员占500人，台湾人约50名。紫光稍早也发出声明表示，作为一家国际化的高科技公司，紫光一向非常重视与严格遵守相关法律，尊重对知识产权的保护，鼓励技术**。在遵守相关法律和商业惯例的原则下，紫光会在世界各地寻找我们需要的人才，并向他们提供较好的薪资和职业发展的机会另外，谈到2016年7月16成立的长江存储，高启全说，已齐聚500名研发人员在武汉投入3D NAND开发，也考虑研发20/18纳米DRAM，会在技术开发具竞争力后才开始投产，欢迎美光(Micron)加入合作，双方合则两利，且时间会对长江存储有利！

台积电公开答复东芝竞标案和3nm厂选址的问题

台积电13日的法说会中，针对近期两大热门议题：日本半导体大厂东芝NAND Flash部门竞标案、先进制程3奈米晶圆厂的选址，一一对外界做*新的回覆。自从台积电董事长张忠谋公开表示，考虑参与日本半导体大厂东芝(Toshiba)竞标案后，台积电对该案的态度备受市场关注，尤其参与竞标者又是鸿海、SK海力士(SK Hynix)、威腾(WD)等全球大厂。台积电13日指出，内部确实评估过该案，但*后决定不去参与竞标，主要是两大原因，**，内部认为这种标准型记忆体的商业模式和逻辑产业很不一样，**是认为这样做并没有太多综效，因此，台积电没有参与，且强调假使台积电参与其中，也会自己去竞标，不会是呼朋引伴的景象，间接否认和鸿海一同竞标的猜测是不正确的。针对记忆体技术的布局，台积电表示，对于标准型独立式的记忆体晶片如PC DRAM晶片、NAND Flash晶片等并没有兴趣，但是对于嵌入式记忆体技术的布局，则是下了很大功夫。台积电目前是全球*大的嵌入式记忆体技术提供者，用在逻辑制程平台上，做晶圆代工，像是新式记忆体技术如ReRAM、MRAM等，台积电都有这些嵌入式记忆体技术，且因为28奈米以下，传统的嵌入式

台积电谈两大议题　东芝竞标和3nm厂选址

台积电13日的法说会中，针对近期两大热门议题：日本半导体大厂东芝NAND Flash部门竞标案、先进制程3奈米晶圆厂的选址，一一对外界做*新的回覆。 自从台积电董事长张忠谋公开表示，考虑参与日本半导体大厂东芝(Toshiba)竞标案后，台积电对该案的态度备受市场关注，尤其参与竞标者又是鸿海、SK海力士(SK Hynix)、威腾(WD)等全球大厂。台积电13日指出，内部确实评估过该案，但*后决定不去参与竞标，主要是两大原因，**，内部认为这种标准型记忆体的商业模式和逻辑产业很不一样，**是认为这样做并没有太多综效，因此，台积电没有参与，且强调假使台积电参与其中，也会自己去竞标，不会是呼朋引伴的景象，间接否认和鸿海一同竞标的猜测是不正确的。针对记忆体技术的布局，台积电表示，对于标准型独立式的记忆体晶片如PC DRAM晶片、NAND Flash晶片等并没有兴趣，但是对于嵌入式记忆体技术的布局，则是下了很大功夫。台积电目前是全球*大的嵌入式记忆体技术提供者，用在逻辑制程平台上，做晶圆代工，像是新式记忆体技术如ReRAM、MRAM等，台积电都有这些嵌入式记忆体技术，且因为28奈米以下，传统的嵌入

KLA-Tencor为先进积体电路元件技术推出全新量测系统

KLA-Tencor公司(纳斯达克股票代码：KLAC)今日针对次十奈米(sub-10nm)积体电路(IC)元件的开发和量产推出四款**的量测系统：Archer?600叠对量测系统，WaferSight?PWG2图案化晶圆几何形状测量系统，SpectraShape?10K光学线宽(CD)量测系统和SensArray? HighTemp 4mm即时温度测量系统。 这四款新系统进一步拓宽KLA-Tencor的**5D Patterning Control SolutionTM应用，提升包括self-aligned quadruple patterningSAQP)和极紫外(EUV)微影在内的先进图案成形技术。“**的设备製造商正面临着极为严苛的图案成形製程规格。” KLA-Tencor**营销官Oreste Donzella指出：“为了解决图案成形误差，晶片製造商需量化製程变化，区别变化产生的塬因并从根源解决问题。 今日发布的全新量测系统可以为客户提供关键的数据，协助工程师确认微影製程中具体的曝光机校準，以及蚀刻、薄膜和其他製程模块的製程改进。 我们推出的全新叠对量测，图案晶圆几何形状，光学

中国半导体业再启航

之前中国半导体业发展一直是由政府资金来推动，加上技术引进策略。到2000年时出现中芯国际，它的*大不同之处试图脱开国家资金的支持，而进入市场化运作。如今回过头来看，无论从那个方面去比较2000-2005年期间中芯国际是相当的成功，因为它至少能表明没有国家资金的支持，在短期内是能成功的，加上它的目标明确，要追赶，迅速赶上去，导致当时的台积电也把它作为竞争对手来看待。尽管中芯国际在2004年于美国，香港两地同时上市，然而由于瓦圣纳条约的技术封锁，及当时它的12英寸生产线执行存储器代工策略，导致后来的资金链断裂，迫使中芯国际与地方政府合作发展，以及求助于国家资金的支持。大基金新阶段2014年“大基金”的推出是中国半导体业的新启点。它的推出不是偶然的，有两个方面因素;一个是现阶段资金是限止产业发展的主要矛盾之一，必须加大投资发展产业;另一个是现阶段必须由国家资金来引导，并带动。另外“大基金”与之前国家的“01与02专项基金”完全不同，它是投资入股，需要投资有回报，它不再是无偿的使用。2017年3月15日，国家大基金总裁丁文武在上海出席中国产业和技术投资论坛时介绍，截止2016年底，国家大基金成

美光业绩连超预期 DRAM芯片Q2涨价21%

北京时间3月24日上午消息，由于供应趋紧和需求旺盛导致存储芯片价格上升，美光科技预计当前季度的营收和利润远超分析师预期。该公司**财季利润也超出分析师预期，促使其股价在周四盘后交易中大涨9.4%。由于各大企业都在争相开发体积更小、效率更高的芯片，引发了供应瓶颈，但与此同时，智能手机、人工智能、无人驾驶汽车和物联网的数据存储需求却在飙升，导致全球存储芯片制造商正在经历分析师所谓的“超级周期”。美光科技周四表示，该公司的DRAM芯片**季度涨价21%，此前一个季度已经涨价5%。DRAM芯片大约占到美光科技上季度营收的64%。与此同时，该公司的NAND芯片业务也表现不俗，把握了智能手机的存储容量的爆发趋势。在截至3月2日的**财季内，美光科技的NAND销量增长18%。美光科技CEO马克·邓肯(Mark Durcan)在分析师电话会议上说：“我们看到客户端DRAM价格持续攀升，但也受益于移动、云计算和企业端涨价的影响。”邓肯表示，一旦找到接班人，他就会退休。他曾在去年12月表示，PC DRAM平均售价较低谷期上涨50%至60%。美光科技预计当前季度调整后每股收益为1.43至1.57美元，远超分

中国半导体业需要多元化推动力

之前中国半导体业发展一直是由政府资金来推动，加上技术引进策略。到2000年时出现中芯国际，它*大不同之处是试图脱离国家资金支持，采用市场化方式运作。回头来看，2000年~2005年期间中芯国际是相当的成功，因为它至少能表明没有国家资金的支持，在短期內是能成功的，加上它的目标明确，要迅速追赶上去，导致当时的台积电也把它作为竞争对手来看待。尽管中芯国际在2004年于纽约、香港两地同时上市，然而由于瓦圣纳条约的技术封锁，及当时它的12英寸生产线执行存储器代工策略，导致后来的资金链断裂，迫使中芯国际与地方政府合作发展，以及求助于国家资金的支持。“大基金”是中国半导体业新起点2014年“大基金”的推出是中国半导体业的新起点。它的推出不是偶然的，有两个方面因素；一个是现阶段资金是限制产业发展的主要矛盾之一，必须加大投资发展产业；另一个是现阶段必须由国家资金来引导，并带动。另外“大基金”与之前国家的“01”与“02”专项基金完全不同，它是投资入股，需要投资有回报，它不再是无偿的使用。2017年3月15日，国家集成电路产业投资基金总裁丁文武在上海出席中国产业和技术投资论坛时介绍，截止到2016年年底，

英特尔未来优先供应企业硬盘 三星美光受惠

根据科技网站ZDNet的报导指出，半导体龙头英特尔(intel)正透过管道向合作伙伴发出通知，预计2017年全年SSD硬盘因为供应吃紧，这也迫使得英特尔未来将优先以供应资料中心级SSD硬盘为主，而其搭低成本的消费级SSD硬盘则暂时退到供货的**线上。报导指出，日前英特尔向合作伙伴发出了一份“英特尔SSD硬盘供应健康资讯”的备忘录，其中说明SSD硬盘和NAND Flash快闪存储器产业目前正处于市场的需求供货吃紧的状态。因此，预计2017年全年SSD硬盘供应仍然十分竞争的情况下，将迫使英特尔专注于优先生产并供应资料中心级SSD硬盘的需求。此外，英特尔还在备忘录中表示，目前公司正积极地将部分业务转到3D NAND SSD硬盘的产品上。因此，英特尔表示，鼓励客户立即认证，并更新采用3D NAND SSD硬盘产品，与英特尔一起达成相关的需求。只是，对此英特尔拒绝作出回应。并强调，因为目前公司处在在即将发布季财报前处于缄默期，因此不做任何的回应。不过，业内消息人士指出，随着SSD硬盘每GB价格滑落到接近传统机械式硬盘(HDD)的情况下，加上NAND Flash快闪存储器的制造商开始逐渐向3D N

英特尔3D XPoint内存SSD发布 性能**各种NAND SSD

英特尔（Intel）终于发布了**款采用3D XPoint内存的固态硬盘（SSD），这款Optane固态硬盘预期能为此试图在闪存与DRAM之间开**市场的新一代内存技术，建立虽然小巧但意义重大的滩头堡。新款DC P4800X系列固态硬盘采用NVMe标准接口，一开始将提供375GB容量、零售价1，520美元的版本，约是目前类似NAND快闪记忆卡的三倍价格；该SSD号称读写延迟低于20微秒（microsecond），以及估计**30次磁盘写入的耐久度、长达三年的产品寿命。而在今年底之前，英特尔还将推出750GB与1.5TB、寿命估计可达五年的版本；该系列SSD都能以2.5吋的U.2接口以及扩充卡的规格供应。英特尔的SSD性能号称依据工作负载，能比各种NAND快闪磁盘高出2.5倍到77倍；该款产品在读取速度上一般能轻松击败NAND SSD，但是非常依赖缓冲存储器的写入速度，两者之间则是不相上下。新款SSD一开始的目标市场很广泛，包括元数据（metadata）关键值搜寻、事务处理、登录/日志（logging/ journaling）以及内存数据库（in-memory database）。同时英

KLA-Tencor为先进集成电路元件技术推出全新量测系统

综合制程控制提为先进的Multi-Patterning和EUV微影技术提供完善**的制程管控 集微网消息，KLA-Tencor公司（纳斯达克股票代码：KLAC）今日针对次十纳米（sub-10nm）集成电路（IC）元件的开发和量产推出四款**的量测系统：Archer™600叠对量测系统，WaferSight™PWG2图案化晶圆几何形状测量系统，SpectraShape™10K光学线宽（CD）量测系统和SensArray® HighTemp 4mm即时温度测量系统。 这四款新系统进一步拓宽KLA-Tencor的**5D Patterning Control SolutionTM应用，提升包括self-aligned quadruple patterningSAQP）和极紫外（EUV）微影在内的先进图案成形技术。“**的设备制造商正面临着极为严苛的图案成形制程规格。” KLA-Tencor**营销官Oreste Donzella指出：“为了解决图案成形误差，晶片制造商需量化制程变化，区别变化产生的原因并从根源解决问题。 今日发布的全新量测系统可以为客户提供关键的数据，协助工程师确认微影制程中

北美半导体设备出货 16年新高

集微网消息，SEMI 17日公布*新出货报告（Billing Report），今年2月北美半导体设备制造商出货金额达19.731亿美元，创下16年来新高纪录，显示晶圆代工厂及IDM厂在跨入10奈米及7奈米世代的投资放大，内存厂则积极投入3D NAND扩产。 SEMI公告今年2月北美半导体设备制造商出货金额为19.731亿美元，与1月的18.603亿美元相较月增6.1％，若与去年同期的12.044亿元相较，则大幅成长63.8％。 而较值得注意之处，2月出货金额创下了16年来新高纪录。SEMI台湾区总裁曹世纶表示，设备的出货水平持续成长，主要来自于内存及晶圆制造持续投资于先进制程，显示制造商已为升级3D NAND及1x奈米先进技术做好准备。 SEMI所公布的Billing Report，是根据北美半导体设备制造商过去3个月的平均全球出货金额数值。今年对半导体市场来说，*大的投资来自于先进制程微缩。 包括台积电、三星、英特尔等大厂今年主力在于10奈米的扩产及7奈米的制程研发与试产，比较特别之处，是今年是半导体厂开始大动作投入极紫外光（EUV）技术试产，由于EUV机台设备价格高，单套设备卖价就

志贺俊之：INCJ不救东芝　于法于理与夏普案大不同

东芝(Toshiba)因核能事业减损影响半导体事业，一如先前夏普(Sharp)液晶面板事业导致公司经营危机，但日本产业革新机构(INCJ)愿意出资拯救事业前景不乐观的夏普液晶面板，却对东芝半导体事业与核能事业袖手旁观，引发质疑。日本东洋经济(Toyo Keizai)为此特地访问产业革新机构CEO志贺俊之，谈其中缘由。 志贺俊之表示，产业革新机构虽然与创投基金一样，是投资单位，但其成立是依照日本的产业竞争力强化法，运作原则与利益优先的一般创投基金不同，只能投资具成长力的事业。在夏普案中，志贺俊之表示，液晶面板虽然被视为供过于求且技术落后的产业，但夏普也有先进的OLED显示技术，与日本显示器(JDI)合作，从显示器技术的角度来看，还算具有成长力；且夏普的家电事业与东芝的家电事业统合，也有望开创日本白色家电产业的新局，因此产业革新机构愿意投入。但东芝的NAND Flash，市占率虽高，却不像夏普的事业能与其他厂商整合，产业革新机构旗下的瑞萨电子(Renesas Electronics)也是半导体业者，主力却是微控制器(MCU)，与NAND Flash关联不大，不能像日本显示器与夏普的显示器事

三星NAND存储器新厂施工顺遂，上半年有望如期投产

三星电子周二宣布，位在首尔南方的新芯片厂施工进度顺利，将如期于 2017 上半年投产。（韩联社） 三星新芯片厂于 2015 年动土，共投入 15.6 兆韩圜（约 144 亿美元）建厂，为三星史上*大单一产线投资案。据三星表示，新厂**阶段施工目前已完成九成。新芯片厂主要用于生产高容量 3D 立体 NAND 快闪存储器。快闪存储器可取代传统硬盘，并广泛应用于数字相机、智能手机与其他 USB 接口储存装置。市调机构 DRAMeXchange 日前指出，三星稳坐去年第四季 NAND 快闪存储器龙头，受惠于供给吃紧、平均报价（ASP）飙升，三星 NAND 快闪存储器当季报价增加 5%、单位出货量季增 11-15%，推升营收成长近两成（19.5%），市占率来到 37.1%。东芝同期间 NAND存储器市占率达 18.3%，暂居**。Western Digital 紧追在后，仅差东芝 0.6 个百分点。

慧荣科技亮相2017纽伦堡国际嵌入式应用展览会

原标题：慧荣科技亮相2017纽伦堡国际嵌入式应用展览会，主推采用3D NAND的BGA SSD新产品 新型SATA FerriSSD®採用3D NAND，助力嵌入式应用实现超高可靠性和超大容量新突破集微网消息，2017年3月15日，德国纽伦堡——在设计和推广固态存储设备专用NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技公司（Silicon Motion Technology Corporation, 纳斯达克交易代码: SIMO）今日宣布继续扩展旗下广受欢迎的SATA 6Gb/s FerriSSD®工业级BGA SSD产品线，推出采用*新一代3D NAND、拥有端到端路径保护、NANDXtend™ 代码纠错（ECC）以及IntelligentScan™ 功能的新产品，为嵌入式存储应用提供**的数据可靠性。新的FerriSSD产品提供高达256GB的灵活数据容量选择，并拥有消除停机时间和延长SSD使用寿命的专有数据保护技术。FerriSSD是可定制化的解决方案，能够迎合终端市场各种各样的需要，并可通过相应优化来满足客户的特定需求。当下，苛刻的工业、超大规模服务器和汽车应用对SSD数据可

中国半导体业再启航

之前中国半导体业发展一直是由政府资金来推动，加上技术引进策略。到2000年时出现中芯国际，它的*大不同之处试图脱开国家资金的支持，而进入市场化运作。如今回过头来看，无论从那个方面去比较2000-2005年期间中芯国际是相当的成功，因为它至少能表明没有国家资金的支持，在短期內是能成功的，加上它的目标明确，要追赶，迅速赶上去，导致当时的台积电也把它作为竞争对手来看待。尽管中芯国际在2004年于美国，香港两地同时上市，然而由于瓦圣纳条约的技术封锁，及当时它的12英寸生产线执行存储器代工策略，导致后来的资金链断裂，迫使中芯国际与地方政府合作发展，以及求助于国家资金的支持。大基金新阶段2014年“大基金”的推出是中国半导体业的新启点。它的推出不是偶然的，有两个方面因素；一个是现阶段资金是限止产业发展的主要矛盾之一，必须加大投资发展产业；另一个是现阶段必须由国家资金来引导，并带动。另外“大基金”与之前国家的“01与02专项基金”完全不同，它是投资入股，需要投资有回报，它不再是无偿的使用。2017年3月15日，国家大基金总裁丁文武在上海出席中国产业和技术投资论坛时介绍，截止2016年底，国家大基金成

杨士宁:长江存储2020年赶上世界前端 有信心折旧完成前盈利

长江存储执行长杨士宁点出，为何长江决定跨入存储领域？他表示，半导体组件可分为四大块领域：首要运算CPU、存储、通讯及第四部分涵盖了物联网(IoT)感测器、模拟IC等较为分散的领域。然CPU领域行业生态较为复杂、通讯芯片领域也已经形成fabless+foundry稳固态势，大举跨入存储这一领域仍是大有可为的。杨士宁引用《DIGITIMES》2017年1月中旬一篇分析，精准点出了大陆发展存储产业的战略思考。分析指出，大陆当下大力发展存储产业是正确的。 杨士宁分析，从半导体存储器技术分类来看，目前DRAM和NAND闪存储存的总产值占全球存储器产业的95%。未来10年，IBS数据预计，NAND闪存储存的需求量还将持续增长10倍，主要应用在云端运算、智能终端机等领域。尤其大陆市场更有庞大的内在需求。他说，有人说长江存储跨入此一市场对当前存储半导体是“打破平衡”，然他却认为正好相反，不论DRAM或是NAND市场都处于一个并“不平衡”的状态，不平衡来自于都集中在一家独大的公司，集中度越来越高。长江存储作为新的参考者，正好是要来“平衡”此一状况。杨士宁指出，存储器是个大好的机会。大陆在先进IC的制造领

2017半导体市场规模将达3610亿美元 长江存储等大陆厂商有崛起机会

华为轮值CEO徐直军在“拥抱公有云，共建云生态”主题演讲中表示：“从2017年开始，华为将以公有云服务为基础，强力投资打造开放的公有云平台，并将聚焦重点行业，携手合作伙伴构建云生态，共同做大产业蛋糕。为此，华为将成立专门负责公有云的CloudBU，在2017年增加投入2000人！”*新数据显示，到2016年为止，全球半导体市场规模与上一年相比增长1.1%，达到3389亿美元。预计到2017年将会继续保持6.5%的增长速度，达到3610亿美元。而这其中个存储器市场将会以年增长12.8%远超其他领域，总体市场规模也将达到866亿美元。就半导体产业的细分市场而言，2017年，增长速度*快的将会是传感器、模拟和存储器市场。JEDEC主席特助和委员会JC63及JC64.8副主席彭安先生彭安先生认为，推动DRAM市场快速发展的因素在于，大数据对于存储产品的需求，以及手机市场的蓬勃发展对于低电压型存储产品的需**DRAM市场增长的两个主要原因。中国存储器市场在全球的总份额不超过1%，并且没有主要的相关技术支持，中国市场将会是全球存储器企业的下一个战场。中国企业的技术还相对落后，无法满足市场的需求。中

搭载韧体并支持3D NAND的UFS控制器方案

慧荣科技(Silicon Motion Technology)宣布推出全新的UFS(通用闪存标准)2.1控制器系列产品。 该系列产品支持UFS HS-Gear3x1L和HS-Gear3x2L，为移动电话提供新一代高效能、大容量且低功耗的嵌入式储存解决方案。 慧荣UFS 2.1控制器系列，整合慧荣科技专有的MIPI M-PHY、低功耗架构与先进的LDPC ECC技术来支持3D NAND，提供高达50,000/40,000 IOPS的超高随机读写效能、支持高达512GB的容量以及超低的功耗，可满足时下旗舰及主流智能型手机的需求。慧荣UFS系列产品符合JEDEC制定的*新一代行动应用标准，采用了基于MIPI M-PHY接口的串行链路和SCSI架构模型(SAM)，支持高效能和大容量嵌入式储存，以满足时下智能型手机不可或缺的多任务、多媒体需求。 慧荣*新UFS 2.1控制器系列所表现的顺序与随机读写效能，比eMMC 5.1控制器效能提高了三倍多。慧荣先进的UFS控制器韧体技术为业界带来*佳的嵌入式储存解决方案，迎合了当今行动装置要求性能不断提升的趋势。 全系列产品支持嵌入式UFS、UFS卡和uM

慧荣科技发布支持3D NAND的全新UFS控制器家族

新UFS控制器家族可为移动设备提供新一代高性能、大容量嵌入式存储解决方案 集微网消息，2017年3月7日，台湾台北和美国加洲MILPITAS —— 在设计和推广固态存储设备专用NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技公司（Silicon Motion Technology Corporation, 纳斯达克交易代码: SIMO）今日宣布推出全新的UFS（通用闪存标准） 2.1控制器系列产品。这个完整的产品线支持UFS HS-Gear3x1L和HS-Gear3x2L，是专为移动电话而设计的新一代高性能、大容量且低功耗的嵌入式存储解决方案。UFS 2.1控制器家族集成慧荣科技专有的MIPI M-PHY、低功耗架构与先进的LDPC ECC技术来支持3D NAND，提供高达50,000/40,000 IOPS*的超高随机读/写性能、高达512GB**的容量以及超低的功耗，可满足时下旗舰及主流智能手机的需求。作为由JEDEC***制定的*新一代移动应用标准，UFS采用了基于MIPI M-PHY接口的串行链路和SCSI架构模型（SAM），支持高性能、高能效和大容量嵌入式存储，以满足时下智能

台积电敲门东芝3D NAND代工 图谋封死三星

集微网消息，据台湾媒体报道，东芝(Toshiba)出售NAND Flash事业群的竞标案炒得热闹，近期台湾经济部工业局也找台湾多家存储器相关业者密谈应对之策，将再找晶圆代工业者作**轮商议，业界透露，台积电有意借由此案进入3D NAND代工，更说服东芝在台湾设厂生产，此举目的是击破三星电子长期来以存储器利润补贴逻辑亏损的策略，一报大客户高通(Qualcomm)被抢之仇。近期工业局找钰创、华邦、群联、力晶、力成等5家台湾存储器相关业者密谈，商讨东芝NAND Flash存储器部门释股案中，是否有机会凝聚力量帮台湾争取到NAND Flash产业落地深耕，有2009年台湾**存储器公司(TIMC)计划翻版的影子。据了解，与会业者提出建言，希望由政府主导，统筹成立一个单位来竞标东芝股权，协助台湾半导体产业更上一层楼，而如此行礼如仪的会议，*后不意外地以没有结论作为收场；另外，工业局也将再与晶圆代工业者作**轮的商议，传出台积电、联电等接获邀请。日前传出台积电出马竞标东芝释股案，台积电表示，不回应市场谣言。然相关业者透露，台积电有意借由参与此案，来进入3D NAND芯片代工领域，且说服东芝能在台湾

鸿海或寻大陆资金合作入股东芝半导体

集微网消息，日前东芝曾就拆分旗下半导体事业，并成立为公司而出售股权以弥补母公司严重的财务亏损计划发布新闻，包括西部数据（Western Digital）、鸿海集团、美光科技、及 SK海力士等企业均有意参与竞标。手机中国联盟秘书长老杳透露，鸿海想收购东芝半导体意图非常明显，不过因资金不足，据传正在大陆寻找资金方和合作伙伴，一种说法是目前正在和中投进行谈判。 ​ 路透社援引多位知情人士消息称，东芝计划通过出售闪存芯片业务大部分股权至少融资1万亿日元（约合88亿美元）。日经新闻(Nikkei)也曾报导，东芝甚至希望买家将半导体事业估值提高至2兆日圆水准。东芝将于 2月底确定具体的出售条件，3月份开始接受首轮竞价，5月底确定一家或多家优先竞购方，东芝希望尽快重启出售程序，这部分股权可能出售给一家竞购者，也可能出售给多家，出售工作预计于明年 3月底完成。*初，东芝只计划出售芯片业务19.9%的股权。但是，在对美国核能业务进行63亿美元的资产减记后，为了解决资金问题，东芝调整了出售计划。2月24日，经东芝董事会决议，由半导体事业所拆分成立的新公司，命名为“东芝存储器 (Toshiba Memory

鸿海竞标东芝半导体无望？恐沦“美、中大战抢日亲”

备受业界关注的日本东芝(Toshiba)出售半导体事业案，传闻吸引来自美国、南韩、中国大陆、台湾等多**马参与竞标，前外资分析师陆行之先前曾提出3大理由，认为鸿海等台厂出线机会*大。但另有产业专家研判，东芝释股案*后应是“美、中大战抢日亲”局面。 东芝是全球第2大储存型快闪记忆体(NAND Flash)供应商，市占率约20%，仅次于三星(Samsung)。由于NAND Flash应用层面包括记忆卡、随身碟、笔记型电脑、手机及资料中心等，需求与日具增，自去年下半年起供不应求，使东芝半导体事业出售案相当受到瞩目。市场点名美光、威腾(WD)、苹果、微软、金士顿、海力士(SK Hynix)、中国紫光、鸿海、台积电等，都是本案竞标者，其中紫光、台积电已经否认传言。工研院IEK计划副组长杨瑞临认为，紫光及联想、华为、浪潮等中国大陆业者仍不排除可能以藏镜人方式私下运作。他认为，为避免关键零组件遭到断货，苹果应会参与竞标，采取防御性策略。至于英特尔(Intel) 、先前收购储存大厂EMC的戴尔(Dell)，以及长期投入下一世代储存元件、技术及储存管理软体与系统的惠普(HPE)，也都可能参与东芝半导体释

东芝半导体抢手 专家：台厂出线机率低

日本东芝(Toshiba)规划分拆出售半导体事业股权，吸引鸿海与苹果(Apple)等来自台湾、美国及韩国多家厂商有意参与竞标，专家研判，结果由美商出线机率高。 东芝为全球第2大储存型快闪记忆体(NAND Flash)供应商，据市调机构集邦科技统计，东芝市占率约20%水准，仅次于南韩三星(Samsung)。因NAND Flash应用广泛，除记忆卡与随身碟，还可应用于笔记型电脑、手机及资料中心等，且随着手机记忆体容量增加，固态硬碟(SSD)高度成长，NAND Flash去年下半年起即供不应求，使得东芝出售半导体事业股权案备受各界关注。市场传言不断，除鸿海、威腾(WD)、海力士(SKHynix)、苹果外，中国大陆紫光集团、晶圆代工龙头台积电及微软也都遭市场点名，可能参与东芝半导体事业释股竞标，只是紫光与台积电已否认传言。工研院IEK计划副组长杨瑞临认为，台积电与微软都不太可能参与东芝半导体释股竞标，紫光尽管否认参与竞标传言，不过，紫光及联想、华为、浪潮等中国大陆业者仍不排除可能以藏镜人方式私下运作。至于苹果，杨瑞临认为，为避免关键零组件遭断货的危机发生，苹果应会参与竞标，采取防御性策略。此外

台积电为3D NAND闪存，加入争抢东芝芯片业务行列

新一代QLED TV可以捕捉到不同亮度所导致的*细微的颜色差异，从而呈现出导演所期待的*真实的色彩，观众可以看清画面的每一个细节和令人难以置信的对比层次：即使一片叶子上显示的不同颜色，从黄绿色到绿松石的颜色，也可真实呈现。三星QLED TV的全新面板设计还减少了光反射，在复杂光线环境下也能忠实还原UHD视频和电影画质，充分呈现每一处光影和细节带来的感动，使得用户从任何角度观赏，都可以享受到一致的颜色和画质。 HDR技术所带来的色彩鲜活度也因此得到了*大程度的体现。高动态范围让细节在您面前展露无遗。夜晚的颜色，光线的层次，都能在具有出色细节的量子点显示屏上看到。在RGB色彩空间的DCI标准下，QLED能够在不牺牲亮度的情况下表现更加缤纷、**真实的色彩，达到当今市场上的*高水准。据来自行业信息源的消息称，苹果供应商台积电正打算通过投资东芝闪存业务进军3D NAND闪存领域。台积电还希望成功劝说东芝在台湾建立3D NAND闪存工厂，为其提供包括降低当地生产成本等支持。信息源已确定台积电是东芝优先选择的几个竞标者之一，因为该半导体企业符合诸多条件，比如并未涉足NAND闪存芯片制造，而且不需要

DRAM、NAND Flash价格居高不下影响手机品牌获利能力

智能手机关键零部件于2016年下半年开始供应吃紧导致涨价，甚至2017年**季度的传统淡季，行情也逆市上扬。市场研究机构集邦咨询*新研究显示，2017年DRAM、NAND Flash、AMOLED面板价格攀高，智能手机纷纷导入**规格，品牌厂提前备货的态势明显，预估全年度存储器、AMOLED面板价格仍将处于高点，对于品牌厂获利能力带来负面影响。首先，缺货将延续，移动式内存价格全年涨幅将大于10%。随着双镜头、影音流媒体及人工智能相关应用等不断推陈出新，2017年移动式内存单机搭载量的需求仍持续攀升，上半年已有6GB甚至8GB的旗舰机种陆续面市。另外，今年LPDDR4已成为主流，而为了让手机达到更好的节电效果，内存大厂推出电压更小的LPDDR4X，成为许多手机大厂急于采用的解决方案。价格方面，由于整体内存产业仍面临供货紧张，2017年**季度移动式内存价格已涨逾一成，集邦预估移动式内存的涨价态势将延续一整年，全年涨幅将大于10%。其次，移动式NAND Flash需求持续攀升，价格将涨到今年年底。2017年移动式NAND Flash搭载量增加的趋势也将持续。中国手机品牌持续向iPhone主

移动式NAND Flash前景俏，群联营收看逐季成长

全球市场研究机构TrendForce*新研究显示，2017年移动式NAND Flash搭载量增加的趋势将持续攀升，且价格涨到年底。法人估计，群联(8299)可望受惠于此一趋势，今年营收有望呈现逐季成长。 TrendForce表示，中国手机品牌持续向iPhone主流储存容量靠拢，在高阶机种的移动式NAND Flash搭载量主流，已从32GB／64GB攀升至64GB／128GB，也连带让中低阶机种的移动式NAND Flash搭载量上升。TrendForce指出，自从2015年三星于自家手机导入性能更佳的UFS后，各家品牌的高阶机种也陆续跟进。另外，2017年手机芯片厂在**芯片支援UFS的态势已然确立，预估今年智能型手机采用UFS的比重将增加至20%左右。TrendForce进一步表示，在价格已接近高点的状况下，2017年**季移动式NAND Flash的涨幅预估在5%~10%之间，涨势略趋平缓，而由于整体供货依然紧俏，涨价仍将延续至下半年。群联1月业绩小幅回温，单月合并营收为31.47亿元，月增2.5%。群联电子董事长潘建成先前表示，由于手机、电脑、汽车等终端消费性产品需求仍旧强劲，加上

东芝NAND Flash**钱 三势力抢亲

东芝计划分拆半导体业务，已吸引包括三大股势力介入抢亲，首先，国际科技大厂如南韩SK海力士（SK Hynix）、美商威腾电子（WD）、美光科技、苹果，其次是国内科技大厂如鸿海与台积电，还有私募基金如贝恩资本、银湖和KKR，这些被点名的厂商有的否认，有的低调未予证实，但也显示东芝NAND Flash的热门程度。 稍早东芝计划分拆半导体事业，由于其储存型快闪记忆体（NAND Flash）加计合作伙伴威腾合计市占率35%，仅次三星的36%，三星若参与恐因市占过半涉及市场垄断，因而不太可能参与，但因这项产品已超越DRAM，成为主流记忆体，且是东芝*赚钱的部门，占东芝总营收仅15%，却贡献一半以上的获利，且收购后将可与三星分庭抗礼，因此吸引包括SK海力士、美光、鸿海、威腾，及包括大陆等至少九组人马抢亲。尤其东芝不排除全部释股后，更让有意角逐人马兴趣大增。据了解，近期有意出面投标入股的企业，包括SK海力士、鸿海旗下的富士康及威腾等公司。

不怕NAND缺货 金士顿推全球*大容量随身碟

虽然目前NAND Flash市场缺货，但各种产品的相关需求有增无减，记忆体模组厂龙头金士顿今日宣布，推出储存容量高达2TB的随身碟，堪称拥有目前世界上*大容量的产品，并配备USB 3.1高传输速度。 金士顿指出，其DataTraveler Ultimate GT随身碟有1TB和2TB产品可供选择。若以影片换算，2TB可储存高达70小时的 4K 影片。