SK海力士今年投资规模上看62亿美元 致力于技术提升

以往半导体产业的竞争要素在产能扩大与降低成本，但制程愈趋于先进，研发难度提高，投资规模扩大不保证能带来对等获利。面对产业环境改变，SK海力士(SK Hynix)期盼借由技术**开拓全球市场。据韩媒每日经济报导，SK海力士计划在2017年下半提高10纳米级DRAM生产比例，并持续增加14纳米NAND Flash产量，以取得更具优势的成本竞争力，提高事业获利性。SK海力士将持续以大规模研发投资提高技术竞争力。资通讯技术发达带动存储器需求成长，移动装置用DRAM及NAND Flash产品的容量持续增加，用于大数据及云端资料中心的服务器DRAM、固态硬碟(SSD)需求激增，人工智能(AI)、深度学习(Deep Learning)的技术发展更是带动存储器需求扩大的市场利基。2017年1月SK海力士推出LPDDR4X，是全球*高容量的超低功耗移动装置DRAM;4月开发出超高速绘图DRAM Graphics DDR6(GDDR6)，可作为AI、虚拟实境(VR)、自驾车、4K以上高像素显示器的存储器解决方案。在NAND Flash部分，2017年SK海力士成功开发72层3D NAND Flash之后，

杭州矽力杰下半年营运节节高

据台湾工商时报报道，矽力杰今年下半年营运将可望逐季增长，本季受到非苹智能手机阵营下单偏向保守，以及工业用SSD因缺货让出货受到压抑，不过今年第四季可望因为各项产品出货表现开始放量出货，全年合并营收将冲上年成长2成的高水平表现。目前矽力杰*受瞩目的产品线莫过于先前并购恩智浦（NXP）的LED照明IC部门及美信（Maxim）智能电表及能源监控部门，业界表示，硅力-KY原先进攻中高功率LED驱动IC，在合并收购的两大部门后，已经成功打入亚洲厂商难以进入的欧美中高阶市场。不过，今年矽力杰长期布局的工业用SSD产品，受到NANDFlash缺货影响，矽力杰长期配合的SSD客户也放缓出货脚步，预计今年第三季工业用SSD电源驱动IC表现可能将与上季持平，不过市场预期，NANDFlash第四季供给将可望顺畅，因此第四季相关产品出货表现将可望明显回温。在两大工业用产品挹注下，今年相较去年将可望持续成长。至于消费性市场部分，矽力杰主攻穿戴、LED电视、机顶盒及家电产品等，业界指出，近来LED电视跃升市场主流，矽力杰今年除了打入三星供应链之外，更打入大陆家电大厂，市场人士透露，今年第四季大陆家电厂将针对农历年

创见：NAND Flash供给缺口仍未见缓减

时序进入第3季传统旺季，存储器的供需情况未见好转，且供货吃紧的程度更转趋严重，创见即表示，NAND Flash供给缺口仍未见缓减，DRAM则因美光桃园厂氮气系统意外事故，影响原料市场供货状况，导致消费型NAND Flash与DRAM出货仍受到原料缺货干扰。创见强调，将配合市场状况控管风险，调整采购及定价策略，维持一贯稳定获利，同时近来积极拓展新产品线，近期发表全新DrivePro 130及DrivePro 110机种，丰富行车记录仪产品线，进一步推升行车记录仪销售量攀升。回顾6月营收，创见6月合并营收新台币17.1亿元，与上月相比成长5.6%;其中工控产品占整体营收比重43.5%、策略性产品占18.8%、消费型 Flash产品占19.3%，标准型DRAM产品则占18.4%。创见表示，工控产品及策略性产品仍为营运重点，工控产品在各区域间的团体战力发挥综效，尤以海外先进市场相较前月有不错的成绩表现。消费型Flash与DRAM出货仍受到原料缺货影响，营收与前期持平。

旺宏Q2获利大增二倍

非挥发性内存大厂旺宏昨（24）日公布第2季财报，单季获利6.16亿元新台币（下同），季增二倍，以减资后股本计算，每股纯益0.35元，且连四季获利，每股净值站上10.75元，预料8月28日减资重新挂牌后将同步恢复信用交易。 旺宏总经理卢志远看好下半年营运，而且明年二大产品编码型闪存（NOR Flash）、储存型闪存（NAND Flash）还会缺货；只读存储器（ROM）备货需求也进入高峰。旺宏第2季毛利率34%，创22季新高，卢志远表示，第2季毛利率季增7个百分点，主要受惠产品涨价，但因须认列员工分红及董监酬劳，并受到汇率干扰等因素，否则表现会更优。卢志远看好下半年营运优于上半年，除ROM进入大客户传统拉货旺季，NOR Flash和NAND Flash仍会缺货。卢志远表示，第2季库存水位拉升至90.75亿元，但并不代表产品卖不出去，而是看好下半年很多客户会抢货。 他不透露库存的产品比重，法人推估，任天堂新游戏机热卖，旺宏也同步拉高ROM备货。至于NOR和NAND Flash走势，卢志远证实下半年涨幅会比上半年还高。卢志远强调，物联网和智能型手机导入整合触控和驱动IC应用，加上采用OLED面

旺宏追加资本支出 冲刺12吋制程

旺宏总经理卢志远昨（24）日强调，董事会稍早追加今年资本支出17.85亿元新台币（下同），将冲刺12吋先进制程产品，主力集中导入高阶产品，让产品组合更优化。 他说，本季起包括编码型闪存（NOR Flash）及储存型闪存（NAND Flash）都采取配售。 由于二大主力产品供不应求，也预告涨幅将高于上半年。董事会追加17.85亿元资本支出，今年资本支出增至40亿元，主要让12吋厂的生产效益、产能和产值提高。他强调，未来12吋厂将以55奈米高容量NOR Flash和36奈米NAND Flash、19奈米3D ROM、3D NAND为主；原在12吋以75奈米生产NOR型闪存，全数移至8吋厂。卢志远强调，旺宏对资本支出采取保守态度，这次增加40亿元投资，每月就可增加4,800片晶圆产出，55奈米的NOR芯片，可产出颗粒数比75奈米多一倍。

东芝变卖闪存业务“跳票” 股东们表示很失望；

东芝砸 1,800 亿增产 3D NAND，可能单独投资

东芝(Toshiba)因出售半导体事业子公司“东芝存储器(Toshiba Memory Corporation，以下简称 TMC)”一事和合作伙伴、共同营运 NAND 型快闪存储器(Flash Memory)主要据点“四日市工厂”的 Western Digital(WD)闹翻，而东芝除于 28 日状告 WD、求偿 1,200 亿日元之外，也于 28 日宣布将进行增产投资，且表明若 WD 无意合作投资的话也没关系，东芝会单独进行，向 WD 呛声的意味浓厚。东芝 28 日于日股盘后宣布，为了扩大 3D 架构的 NAND Flash 生产，目前已在四日市工厂厂区内兴建 3D NAND 专用厂房“第 6 厂房”，而为了因应来自服务器、数据中心的 3D NAND 需求扩大，TMC 将在 2017 年度内(截至 2018 年 3 月底为止的会计年度)砸下 1,800 亿日元进行增产投资，该笔资金除将用于导入“第 6 厂房”第 1 期工程所需的生产设备之外，也将用于第 2 期工程的厂房兴建。“第 6 厂房”第 1 期工程预计于 2018 年夏天完工，第 2 期工程厂房预计于 2017 年 9 月动工

郭台铭谈东芝：*多再谈半年就不买了；

1.郭台铭谈东芝：*多再谈半年就不买了；2.鸿海拟结盟旺宏 增加收购东芝存储谈判筹码；3.鸿海牵手旺宏 一石三鸟；4.鸿海：不评论与旺宏合作案；5.内存抢手CPU式微，三星今年或取代英特尔成*大芯片生产商 集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！长按 laoyaoic 复制微信公共号搜索添加关注。 1.郭台铭谈东芝：*多再谈半年就不买了；集微网消息，鸿海董事长郭台铭1日接受日经新闻专访，对于目前鸿海看似已经出局的东芝出差业务出售案，郭台铭表示，他现在对抢下东芝存储业务还是很感兴趣，但若谈判再拖半年，他就会选择退出。郭台铭说：「我出价是为了东芝，但如果他们持续把我排出在外，六个月后我就不会想买，因为到时候技术早就落于人后。 」据日经报导，鸿海对东芝存储业务出售案的出价是所有竞标阵营中*高的，郭台铭也透露他的出价有获得美国苹果和亚马逊的支持。东芝虽然目前暂时选择由日本官民基金产业革新机构、日本政策投资银行和美国投资公司贝恩资本组成的联盟为青睐的买家，但双方几周来的交涉完全没有进展，还不知何时能达成交易，同时东芝也仍面临着合作厂商西部数据

鸿海牵手旺宏 一石三鸟

鸿海密会旺宏成为近期半导体界大事。 在旺宏主力产品编码型闪存（NOR Flash）和储存型闪存（NAND Flash）缺货抢翻天之际，鸿海集团此时结盟，既可以收稳固关键零组件，又可藉旺宏切入内存市场，且牵制东芝后续售股案，可谓一石三鸟之计。 鸿海集团董事长郭台铭近期在收购东芝半导体时，已充分展现对进军内存的决心，集团也成立次集团整军准备大展身手。不过，东芝担心技术外流，对鸿海怀有敌意，即使抬出东芝*大客户苹果加入收购东芝半导体的联盟，东芝仍不为所动。在面临东芝种种刁难下，鸿海转寻和旺宏结盟，也算是高招。一来，包括美光和赛普拉斯两大NOR Flash供货商淡出中低阶NOR芯片，预定自今年第4季开始执行，市场缺口会正式引爆。 虽然近期包括旺宏、华邦电、力晶，甚至中国大陆的兆易**、武汉新芯等厂商都有意增产NOR内存，但预料二大供货商空出近20%的缺口，恐难在二年内补上，庞大的缺口，牵连甚大。原因是NOR芯片是各项电子产品储存驱动程序码的必备组件，虽然它的单价远比NAND和主流的DRAM便宜，但没它电子产品就出不了货。近期包括苹果及任天堂等已感到事态严重，提早抢货，鸿海此时结盟旺宏，至少可确

西部数据推出业界**96层3D NAND技术

储存技术和解决方案供应商 Western Digital 公司宣布成功开发出 96 层垂直储存的跨代 3D NAND 技术 BiCS4，预计 2017 年下半年开始向 OEM 厂商送样，并于 2018 年开始生产。BiCS4 是由 Western Digital 与其技术及制造合作伙伴东芝（Toshiba Corporation） 联合开发，*初将提供 256-gigabit 芯片，日后将会扩充其他容量，包括可达 1-terabit 的单一芯片。 Western Digital 存储器技术执行副总裁 Siva Sivaram 博士表示：“我们成功开发出业界**的 96 层 3D NAND 技术，验证 Western Digital 在技术蓝图研发的执行能力。BiCS4 可采用 3-bits-per-cell 与 4-bits-per-cell 两种架构，同时具备多种技术和制造方面的**，以具吸引力的成本提供顾客*高的 3D NAND 储存容量、效能与可靠度。Western Digital 的 3D NAND 产品组合是专为各种终端市场所设计，范围涵盖消费者、行动装置、运算装置和资料中心

存储器需求容量不断提升 整个产业转进3D进展不顺

整个NAND Flash产业转进3D技术进展不顺，加上智能手机内建的存储器容量不断提升，群联董事长潘健成表示，已经感受到第3季供给非常辛苦，第4季恐怕比第3季更缺，下半年NAND Flash恐怕会缺翻天！潘健成表示，近期积极向每一家NAND Flash供应商抢货，但上游半导体厂暗示，缺货恐怕不是今年的问题，未来3年全球NAND Flash供给量都无法满足需求量。他分析，眼前的缺货是2D转进3D NAND技术还不顺，因此每一家半导体厂都货源短缺，现在苹果(Apple)已经开始针对下半年问世的新款智能手机备货，Android阵营还没跟着拉货，因为要比照苹果的规格，该阵营还在观察，等到Android阵营的智能手机也跟着启动备货，缺货潮恐严重到难以想像。据了解，苹果与每一家NAND Flash大厂都有签订保障合约，确保下半前新机问世有足够的存储器可用，而且苹果*高阶的新机可能会用256GB，但现在每一家半导体厂因为3D NAND良率的问题，恐难以交出足够的货源给苹果。潘健成也表示，不单是智能手机，现在固态硬碟(SSD)、快闪记忆卡、随身碟等终端需求也都开始回笼。他解释，之前这些产品并不是真的买

三星宣布量产64层NAND闪存

三星电子 15 日宣布，*新 64 层 256GB V-NAND 闪存已进入量产，与此同时，三星还将扩展包含服务器、PC 与行动装置的储存解决方案。64 层 V-NAND 闪存用称为第四代 V-NAND 芯片，南韩 ITtimes.com 报导指出，三星为稳固**优势，打算于年底把第四代芯片占每月生产比重拉高至五成以上。其实，三星今年 1 月已先为某关键客户，打造**颗内含 64 层 V-NAND 芯片的固态硬盘(SSD)，自此之后，三星持续朝行动与消费型储存市场开发新应用，务求与 IT 产业同步化。三星 64 层 V-NAND 闪存传输速度达每秒 1Gb，市面上同类型内存产品中无人能出其右。 若与 48 层产品相比，64 层闪存的省电效能约高出三成，可靠性则增加约两城。三星目前是 NAND 龙头，2016 年市占率为 36%，在第四代 NAND 芯片量产后，三星可能陆续调降**、三代芯片价格，除可进一步扩大市占外，还将对美光、东芝、Western Digital 等同业造成降价压力。

车用存储市场扩容 中国企业机会几何？

此前信息娱乐和导航系统一直是车载存储器需求的主要驱动力。然而，随着车联网、自动辅助驾驶系统（ADAS）被采用，以及未来自动驾驶技术的实现，将大幅度改变汽车制造商对于汽车本地存储容量的需求。车用存储产品市场被看好存储器用于汽车自动驾驶辅助系统被人们所看好。存储器用于储存代码数据、信息娱乐内容、仪表盘上的电子器件、引擎的控制单元和**驾驶员辅助系统（ADAS）的各种程序，是汽车实现电子化的基础。这个市场正被越来越多的人们所看好。“推动汽车产业发展主要有以下三个趋势：一是互联汽车，未来的智能汽车将像移动电话一样便捷地与外界交互；二是新能源汽车，包括采用更加智能和高效的动力系统和点火控制系统，从而减少污染和提高效率，而这些都需要存储器的支持；三是自动驾驶汽车，目前自动驾驶辅助系统在**车型中已经与车联网配合使用受到市场欢迎。未来的自动驾驶等功能，每秒将会产生1GB的数据流量，届时汽车的角色就如同一个移动的网关，不仅具有数据的自动采集功能，还具有相应的算法对这些数据进行分析并传输至其他车辆，汽车存储需求将不断增长。这些趋势将影响未来汽车产业的发展走势，也给汽车存储产业带来更多机会。”美光科技嵌入

三星量产64层V-NAND闪存芯片 传输速度达1Gbps

6月15日消息，三星电子今天宣布，已经开始批量生产64层256GbV-NAND闪存芯片，该闪存芯片将用于服务器，PC和移动设备。三星在今年一月份开始为主要IT客户生产基于64层256GbV-NAND芯片的业界首款SSD，64层V-NAND芯片也被认为是第四代V-NAND芯片，数据传输速度达1Gbps，具有业界*短的500微秒（?）的烧录器烧录单个芯片的时间（tPROG），比典型的10纳米（nm）级的平面NAND闪存快约四倍，比三星*快的48层3位256GbV-NAND闪存的速度快了约1.5倍。三星表示，与之前的48层256GbV-NAND相比，新的64层256Gb3-bitV-NAND提供了超过30%的生产率增益。此外，64层V-NAND的电路具有2.5V输入电压，与使用48层V-NAND的3.3伏相比，能量效率提高了约30%。此外，新的V-NAND电池的可靠性与前代相比也增加了约20%。三星还表示，基于其64层V-NAND的成功，三星未来还将通过堆叠超过90层的单元阵列，以生产具有1Tb以上容量的V-NAND芯片。

产业大佬普遍看好半导体下半年景气

重量级半导体厂股东常会陆续登场，对于下半年产业景气，产业大老普遍看好。 晶圆代工厂台积电董事长张忠谋今年股东会后虽未召开记者会，不过，他在股东会一开场便说，台积电去年是个**高纪录的一年，今年看起来也是个不错的一年，明确表达对今年营运乐观看法。张忠谋并认为，台积电营运逐年成长5%至10%到2020年的目标应可顺利达成。台积电去年合并营收新台币9479.38亿元，今年若成长5%至10%，年营收将达9953亿至1.04兆元水平；依台积电第1季营收表现与第2季营运展望推估，台积电下半年营收将较上半年成长超过2成水平。手机芯片厂联发科今年上半年因产品规划问题，有一些市占率流失，加上全球智能手机需求偏淡，营运面临衰退压力。联发科董事长蔡明介预期，下半年曦力P系列及4G入门级产品量产，将可大幅改善Cat.7及Cat.4调制解调器成本，下半年将力求先稳住毛利率，再逐步取回市占率。蔡明介尽管认为，联发科营运不容易「V型反转」，不过，展望下半年营运，他说，下半年季节上本来就比上半年好。包括DRAM、NAND Flash与NOR Flash等内存上半年出现罕见供应**吃紧情况，展望后市，南亚科总经理李培瑛

若拿下东芝 郭董：优先设厂美国；

1.若拿下东芝 郭董：优先设厂美国；2.NOR大缺货 华邦电将扩产；3.台积电员工的十大关键能力；4.有A11处理器订单助阵，台积电第三季度营收有多猛？；5.武汉新芯发生化学污染，恐扩大Nor Flash缺口推升价格 集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！长按 laoyaoic 复制微信公共号搜索添加关注。 1.若拿下东芝 郭董：优先设厂美国；鸿海（2317）董事长郭台铭昨（12）日证实，将筹组美、日、台梦幻团队，共同竞标东芝半导体。 对日本出现担心鸿海「中国因素」的评论，郭董炮火全开，左打美系私募基金，右批日本经济产业省高层，并强调，鸿海如果顺利得标，海外市场将优先考虑在美设内存芯片厂。东芝半导体竞标案进入倒数计时，预计本周公布结果。 竞标者之一鸿海动作不断，郭台铭接连接受日经新闻、路透社专访。 郭董强调，如果鸿海顺利标下东芝半导体事业，希望未来能在海外建立内存工厂，地点将优先考虑美国。郭台铭补充，因为美国国内市场需求在当地还没达到，目前当地公司所需要的芯片，只有14%在美国制造。 东芝所生产的NAND Flash芯片，广泛应用

三星64层NAND闪存宣布量产

三星电子 15 日宣布，*新 64 层 256GB V-NAND 闪存已进入量产，与此同时，三星还将扩展包含服务器、PC 与行动装置的储存解决方案。 64 层 V-NAND 闪存用称为第四代 V-NAND 芯片，南韩 ITtimes.com 报导指出，三星为稳固**优势，打算于年底把第四代芯片占每月生产比重拉高至五成以上。其实，三星今年 1 月已先为某关键客户，打造**颗内含 64 层 V-NAND 芯片的固态硬盘（SSD），自此之后，三星持续朝行动与消费型储存市场开发新应用，务求与 IT 产业同步化。三星 64 层 V-NAND 闪存传输速度达每秒 1Gb，市面上同类型内存产品中无人能出其右。 若与 48 层产品相比，64 层闪存的省电效能约高出三成，可靠性则增加约两城。三星目前是 NAND 龙头，2016 年市占率为 36%，在第四代 NAND 芯片量产后，三星可能陆续调降**、三代芯片价格，除可进一步扩大市占外，还将对美光、东芝、Western Digital 等同业造成降价压力。

台积电放弃东芝竞标　张忠谋揭露决策过程

日本半导体大厂东芝(Toshiba)出售NAND Flash部门一案至今未定，原本有意竞标的台积电在*后决定不出手，对于轰动全球半导体产业的东芝出售案，张忠谋首度对外公布内部决策的来龙去脉。 张忠谋8日在股东会中主动提及东芝出售案，他表示，现在整个出售案还是一片混乱，台积电在年初时也花了6~7周的时间积极评估竞标东芝的利弊得失。他进一步分析，当时是考虑台积电除了本业之外，是否该另找其他出路，但当时内部在积极评估、讨论了6~7周之后就停止了，因为认为东芝的业务和公司策略与方向不符合，并没有互补的作用，所以*后放弃。台积电补充，6~7周的评估是很审慎的，会成立task force来专门研究案例。张忠谋也强调，其实类似的这种机会是常常会有的，台积电随时都在注意。会后台积电也进一步解释，其实常常会有很多人、公司向台积电提案，公司**优先考虑是与现有的本业有无合作综效。但整体而言，台积电对于发展本业是比较保守的。东芝为了填补核电事业造成的数十亿美元亏损，决议出售半导体事业部门，包含核心的NAND Flash事业，经过几个月来多**马热闹的竞标，近期传出东芝预定在15日召开董事会决定得标公司，目前

大陆半导体战火一路延烧到光罩产业 纷纷至大陆建厂

大陆半导体战火从IC设计、晶圆制造、DRAM/NAND Flash技术、封测、设备领域一路延烧到关键的光罩产业，继大日本印刷(DNP)和美商Photronics在厦门合资成立美日丰创光罩，引进40/28纳米制程，光罩龙头日本凸版印刷(Toppan)和子公司中华凸版(TCE)亦表态，不排除与大陆政府或企业进行各种合作和合资，抢攻大陆半导体市场成长契机。大陆未来几年将有18座晶圆厂登场，涵盖逻辑制程的晶圆代工、DRAM厂、3D NAND晶圆厂等，从上海、北京、深圳一路到合肥、南京、武汉、成都、西安、大连等地建厂，引爆外商纷与大陆政府进行合资，不仅为当地带来新技术，符合大陆芯片自制政策，外商亦借此掌握大陆市场商机。日本凸版印刷旗下子公司中华凸版日前在台举行20周年庆，社长金子真吾和中华凸版总经理石松忠亲自参与。金子真吾表示，会以中华凸版为出发点，掌握大陆半导体市场的大崛起，面对大陆各地持续盖新晶圆厂，未来光罩产业的主战场会是在大陆，光罩产业将维持一路成长趋势，尽管越来越多半导体厂开始自制光罩，但对外采购光罩需求仍持续存在。值得注意的是，日商DNP和美商Photronics为攻克大陆半导体市场

陆半导体需求有隐忧！ 下半年供给跳增、韩厂不妙？

内存报价水涨船高，三星电子(Samsung Electronics)半导体部门和SK海力士(SK Hynix)上半年大赚一票，但韩媒警告，当前的繁荣景象恐怕只是暂时性的，来自中国的隐忧，恐让南韩半导体业大受打击。 韩国媒体Business Korea 14日报导，UBS Securities 2017年2月就曾出言示警，声称中国IT厂商大举建立库存，是半导体报价去年大涨的主因，下半年DRAM、NAND型闪存恐将严重过剩。仔细分析中国国家统计局的数据就可发现，在2015年1-8月期间，中国的半导体库存从人民币2,775亿元一路上冲至历史高3,330亿元，随后在2016年1月下滑至2,784亿美元，直到2017年4月才反弹至3,305亿元。 然而，*近中国的半导体库存年增率只有个位数、甚至负成长，远不如2015年的20-50%成长率。 也就是说，目前中国IT企业并未大举建立库存。 业界消息显示，部分陆企今年**季开始减产、零组件订单的缩减幅度也比往年还要高。不只如此，DRAM、NAND闪存下半年的供应量势将跳增，供需日益失衡。 三星位于平泽市的新厂预定7月投产，SK海力士在利川的M14厂房

慧荣新一代SD 6.0控制芯片 可满足A2应用效能标准

慧荣科技（Silicon Motion）推出新一代的SD 6.0控制芯片解决方案，支持SD 6.0，并满足新的A2应用效能标准，其*低随机读/写效能高达4,000/2,000 IOPS。 扩充性储存卡搭载慧荣SD 6.0新控制芯片后将大幅提升随机存取效能，让行动装置用户能够直接从SD卡执行Android 6.x/7.x的应用程序，并支持4k影片录制和播放以及AR/VR等需要高带宽的应用。 慧荣科技全新SD 6.0控制芯片系列产品支持下一代超高效能、大容量SD卡慧荣科技产品企划部项目经理陈敏豪指出，扩展性储存在行动通讯及工控的应用需求持续增温。 现在大部分的Android智能型手机和行动装置能支持用户直接从可插拔卡执行应用程序。 慧荣科技的SD 6.0新控制芯片能大幅提升记忆卡的效能，并为4K影片录制和播放等高效能应用，以及需要高带宽的多媒体应用程序的执行提供更大容量及更可靠的平台。慧荣科技的SD 6.0控制芯片解决方案支持低电压讯号，可满足低功耗SoC和功能命令队列、高速缓存功能和自我维护功能等需求，类似管理大量数据的SSD和嵌入式内存所使用的所有关键功能，从而支持使用高效能、高可靠性

3D NAND战火正热　三星96层NAND蓄势待发

全球半导体厂商对3D NAND Flash的投资丝毫不手软，三星电子(Samsung Electronics)欲维持相同的市场主导权变得不是那么容易。分析师预测，三星应会设法提前导入新一代制程，以确保既有的市场竞争力。据韩媒Business Post报导，南韩金融投资分析师表示，以三星电子为首的全球半导体厂商对3D NAND Flash的投资速度比预期还快，再过不久市场上就可能形成新的竞争格局。三星从2015年起以3D NAND技术在市场上拔得头筹，几乎维持市场独大的局面，但2018年之后这种情形可能改观。因为SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)、英特尔(Intel)、东芝(Toshiba)等其他竞争者在2017年底前规划的生产投资规模远超过三星。2016年底三星的3D NAND Flash产能以晶圆投片量计算，每月约12万片，三星计划在2017年持续扩大产能至30万片。而竞争者的投资规模加总后，产能上看28万片。分析师表示，2017年全球3D NAND产量将比2016年增加164%，唯有高容量固态硬盘(SSD)的需求持续增加，才能消化这些增加的供给量。如果其他厂商的投

2017年全球车用IC市场规模有望达280亿美元 年增22.4%

随着对汽车性能、**性、便利性与舒适感等要求提高，使得车用电子系统不断发展，再加上如DRAM与NAND Flash存储器，以及专用逻辑元件等的平均售价(ASP)扬升，预估2017年全球车用IC市场规模将再年增22.4%，达279.85亿美元，2020年汽车先进驾驶辅助系统(ADAS)将会成为车用IC*大应用市场。调研机构IC Insights表示，虽然近年车用IC市场需求持续成长，但是2015年由于受到如微控制器(MCU)、模拟IC、DRAM、NAND Flash、通用和专用逻辑IC等主要车用半导体ASP均呈下滑的影响，导致当年车用IC市场规模较2014年萎缩2.5%，仅达206亿美元。然而2016年下半车用半导体ASP回稳扬升，再加上新型车用电子系统推出，2016全年车用IC市场规模再度出现双位数百分比成长，达228.63亿美元。IC Insights预估，2017年DRAM、NAND Flash与汽车专用逻辑元件ASP将会分别年增50%、28%与34%。随着这些重要半体ASP的扬升，预计当年车用模拟IC、微控制器、逻辑元件、金属氧化物(MOS)存储器、数字信号处理器(DSP)、微处

东芝将于6月15日公布芯片业务买家 估值180亿美元

据路透社北京时间6月8日报道，知情人士周三称，东芝公司希望在下周公布旗下*重要半导体业务的买家。目前，东芝与西部数据就芯片业务出售产生的争执似乎正在升级。知情人士称，东芝已经把对其芯片业务的竞标缩小到了两份上，一份来自美国芯片制造商博通和美国科技基金银湖资本；另一份来自合作伙伴西部数据和日本政府相关的投资者。东芝目前是全球**大NAND闪存芯片制造商，该半导体业务的估值至少为180亿美元。东芝正急于为NAND闪存芯片业务找到一位买家，以填补美国核电子公司西屋电气因成本超支产生的数十亿美元财务缺口。西屋电气已经申请破产保护。两位知情人士称，东芝将于6月15日举行一次董事会议，决定**竞购方。不过，西部数据发起的法律挑战让东芝的芯片出售交易变得复杂化。西部数据指控东芝严重违反了双方签署的合资公司运营合同，在没有获得它同意的情况下不能出售芯片业务，并要求获得排他性谈判权。消息称，博通和银湖资本的报价更有吸引力，因为他们的报价更高，达到2.2万亿日元(约合200亿美元)。相比之下，西部数据的报价不到2万亿日元，而且可能面临反垄断障碍，因为该公司是全球第三大NAND闪存芯片制造商。东芝和西部数据

NAND Flash技术3D转型期，Q3面临严重缺货潮

2017年正值2D NAND和3D NAND的转换期，配合云端数据中心对于NAND Flash需求大爆发，产业正面临近5年来*严重的缺货潮，宜鼎表示，近期3D NAND转换的良率不如预期，预计第3季仍是极度吃紧，且有可能会紧到年底，包括在SSD开机碟、数字监控、车载系统等领域，NAND Flash客制化市场的商机无限！传统的2D NAND技术到1X纳米后会浮现瓶颈，因此各大存储器阵营都加速导入3D NAND技术，3D NAND技术的关键在于存储器堆叠的技术，目前都还在良率拉升时期。宜鼎表示，第2季3D NAND良率拉升的状况似乎不如预期，加上苹果(Apple)新机新智能手机发表在即，需要准备的NAND Flash产能十分庞大，预计第3季NAND Flash产能吃紧的状况会延续，如果问题在第3季无法解决，预计一直到第4季都会是供给吃紧，这可能是NAND Flash产业历年来缺货*夸张的一次。宜鼎进一步指出，加速说服客户导入3D NAND技术，尤其是64层和72层3D NAND量产后，客户端会加速开发3D NAND技术的SATA介面，之后是PCIe介面。宜鼎是台湾***家专注于工控存储器的

NAND Flash持续缺货，**季淡季品牌商营收仅微幅衰退0.4%

东芝反击西部数据、传收回半导体子公司资产

为了筹措重建资金，东芝正积极展开以NAND型闪存(Flash Memory)为主轴的半导体事业新公司「东芝内存(Toshiba Memory)」的出售手续。 不过，东芝合作伙伴、共同营运NAND Flash主要据点「四日市工厂」的Western Digital(WD)却出面阻挠，称在未获得WD同意下、东芝不得将半导体事业出售给第三方，且WD更于5月向国际仲裁法院诉请仲裁、要求东芝停止半导体事业出售手续。 而对于WD上述诉诸法律途径的举动，东芝也不甘示弱、采取了对抗措施。 据悉，东芝已将原先转移至「东芝内存」的生产设备等半导体相关资产移回东芝本体，让WD失去控诉的根据。朝日新闻1日报导，东芝已向WD告知，原先转移至半导体事业子公司「东芝内存」的生产设备相关资产已于5月31日重新移回东芝本体，而移回的资产当中也包含东芝/WD合资公司的股权。 东芝此举主要是让WD痛失提起诉讼的根据、以便让半导体事业出售手续能够顺畅进行。据报导，东芝、WD设有合资公司，共同营运四日市工厂，而东芝为了出售半导体事业，将自身所持有的合资公司股权转移至「东芝内存」，不过此举被WD视为「违反合资契约内容」、并以此为依

2017**季度NAND Flash排名前六厂商

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，**季整体NAND Flash市况延续第四季持续受到缺货影响，即使**季度为传统NAND Flash淡季，渠道颗粒合约价却仍上扬约20-25%。在智能终端设备如智能手机与平板电脑内的行动式存储价格也呈现双涨的状况下，2017年将是NAND Flash成果丰硕的一年。DRAMeXchange**研究经理陈玠玮表示，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面临微缩限制，进而转进垂直堆栈制程(3D/Vertical-NAND)，然而转换期所造成的产能损失，导致供需失衡，进而使合约价持续上扬。尽管**季为传统淡季，终端需求量较少，但因为供给产出量受制程切换影响而降低，市场供给仍相对吃紧，使得NAND Flash营收仅微幅衰退。DRAMeXchange预估，在2017年NAND Flash供应都将吃紧的情况下，NAND Flash厂商营收将逐季增加。三星电子受惠于供给状况吃紧，加上高容量企业级固态硬盘的亮丽表现，三星透过成功的产品配置，大幅提升其营业利益率。三星**季SSD占整体产品组合比重已超过四成，且平均销售价格随着市场缺

不甘示弱 传东芝收回半导体子公司资产

为了筹措重建资金，东芝正积极展开以NAND型快闪存储器（Flash Memory）为主轴的半导体事业新公司“东芝存储器（Toshiba Memory）”的出售手续。不过，东芝合作伙伴、共同营运NAND Flash主要据点“四日市工厂”的Western Digital（WD）却出面阻挠，称在未获得WD同意下，东芝不得将半导体事业出售给第三方，且WD更于5月向国际仲裁法院诉请仲裁，要求东芝停止半导体事业出售手续。而对于WD上述诉诸法律途径的举动，东芝也不甘示弱、采取了对抗措施。据悉，东芝已将原先转移至“东芝存储器”的生产设备等半导体相关资产移回东芝本体，让WD失去控诉的根据。朝日新闻1日报导，东芝已向WD告知，原先转移至半导体事业子公司“东芝存储器”的生产设备相关资产已于5月31日重新移回东芝本体，而移回的资产当中也包含东芝/WD合资公司的股权。东芝此举主要是让WD痛失提起诉讼的根据，以便让半导体事业出售手续能够顺畅进行。据报导，东芝、WD设有合资公司，共同营运四日市工厂，而东芝为了出售半导体事业，将自身所持有的合资公司股权转移至“东芝存储器”，不过此举被WD视为“违反合资契约内容”，并以

NAND Flash下季度或史上*缺货

集微网消息，NAND Flash控制芯片与模块厂群联董事长潘健成日前估计，接下来将面临史上*缺货的第3季，而该公司也积极备战，近日捧着5000多万美元现���，大举吃下某大厂释出的货源，为下半年建立更多库存。 群联在去年初NAND Flash市况尚未大热时，建立的库存水位一度超过三亿美元，后来市场景气于去年第3季开始往上，价格走升，也让该公司因此大赚。潘健成提到，今年大概只有5月有机会多收货，所以该公司在前两个礼拜以现金买了大约5000多万美元的额外货源，预计可供第3季使用。群联在今年4月时，手上库存超过两亿美元，但因NAND Flash价格已走扬，所以实际货量不如去年。潘健成分析，这波NAND Flash价格将会在6月下旬止稳后再出现急涨，也预告如果手中没充裕货源，将受不小的冲击。 这波推升NAND Flash芯片*大推手就是因应各项影音需求的数据中心和服务器。集邦预估，第4季全球笔记本电脑出货的SSD渗透率将超越50%，今年成长率高达60%。 固态硬盘今年是成长*快速的内存产品，耗用大量的NAND Flash，预估今年占NAND Flash应用已达40%。潘健成表示，各家NAND Fl

[Computex 2017] WD力推64层3D NAND技术固态硬盘

Western Digital推出以64层3D NAND技术所打造的消费性固态硬盘(SSD)。 透过这个技术， Western Digital得以提供低功耗、高效能、耐久性和容量都更为提升的新一代固态硬盘(SSD)。 右起为WD消费性SSD**总监Eyal Bek、**产品线经理Jared Peck、亚太区业务发展**经理黄敏聪将采用64层3D NAND技术的SSD带入PC市场，不仅代表Western Digital持续追求新技术的计划，也同时为客户带来长期好处。 对Western Digital旗下两***SanDisk和WD，还有各自所拥有的忠实客户与销售通路来说，这款SSD系列产品将会吸引更多追求*新科技所带来便利性的计算机运算消费族群。事实上，2D NAND技术早已成熟并逐渐走到了极限，下阶段将是3D NAND的时代来临。 终端消费者早已十分渴求这样的储存技术，随着3D NAND技术渐趋成熟，Western Digital也宣示豪迈跨入64层的3D NAND新阶段。WD Blue 3D NAND SATA SSD—采用Western Digital 3D NAND技术WD Bl

东芝出售半导体导致 NAND 短缺恶化？韩媒：三星*受惠

东芝（Toshiba Corp.）决定出售半导体事业，但竞标者众、过程冗长，如此一来，韩国厂商反倒会成为*大受惠者？ 韩联社 24 日报导，Shinhan Investment 研究员 Choi Do-yeon 发表研究报告指出，东芝的 3D NAND 快闪存储器投资计划势必将因此延后，这会让供给短缺更形恶化，也为三星电子（Samsung Electronics Co.）、SK 海力士（SK hynix Inc.）制造更多扩产良机。美国硬盘机制造巨擘 Western Digital（WD）已在国际商会（International Chamber of Commerce，ICC）申请仲裁，希望能争取到收购东芝半导体的**谈判权。业界人士观察，WD 此举恐导致东芝半导体事业延后出售。Choi 认为，若东芝半导体事业的出售计划真的遭到拖延，对韩国厂商将更为有利，其中 3D NAND 的龙头三星会是*大受惠者，SK 海力士也将因 NAND 型快闪存储器市况改善而获益。

3D NAND新技术加持 SATA SSD还有好光景

虽然固态硬盘(SSD)控制器芯片业者竞相推出低成本PCIe解决方案，希望藉此推动PCIe SSD从高阶PC及服务器市场向下渗透到主流市场，但有鉴于PC产品的汰换周期逐渐拉长，目前仍有许多使用中的PC仅支持SATA接口，因此，威腾(Western Digital, WD)将藉由双品牌策略及结合3D NAND新技术， 抢攻族群数量仍相当庞大的SATA PC用户升级商机。 WD**产品线经理Jared Peck表示，虽然在高阶PC与服务器市场上，固态硬盘的主流接口已经**转向PCIe及NVMe，但在消费型PC市场上，SATA接口仍是桌上型与笔记本电脑所采用的主流储存设备接口。 根据WD内部掌握的市场信息判断，在消费型市场上，SATA要被PCIe**取代，恐怕还需要好几年时间。 因此，对SSD供货商来说，SATA还是一个相当值得耕耘市场。不过，传统2D NAND Flash技术的发展已遇上难以突破的瓶颈，是业界公认的事实。 NAND Flash制程的微缩已逼近物理极限，随着制程节点从43奈米一路往15奈米挺进，闸极之间的接近效应(Proximity Effect)也越来越显著，导致制程难以继续

压制超微气势　英特尔Core X系列提前上阵

不让NVIDIA专美于前，英特尔(Intel)于COMPUTEX首日也揭露*新战略，副总裁暨客户运算事业群总经理Gregory Bryant表示，英特尔以数据(data)作为探索未来的出发点，将开辟资料分享与分析的新途径，并运用数据推动深远且意想不到的转变，从装置端到云端(cloud)，英特尔走在数据驱动**的*前线，从PC厂商转型成数据企业(data company)，致力建构更加沉浸化(immersive)、个人化、智慧化、以及连网化的世界。 Bryant表示，全球连网装置的总数预估在2025年将达到800亿台，新兴的数据与资料来源将远远超越现今的PC与手机，包括无人机、自动驾驶车、以及新发明的连网“万物 (things)”都会站上主流地位，英特尔前进的脚步和资料量增长的速度并驾其驱，完全掌握这波**竞赛的优势，从云端、透过网路、一直到装置，为每个领域的应用注入动力，打造出各种令人惊艳的体验。值得一提的是，为压制超微气势，英特尔也提前推出新品。Bryant正式发布Core X系列**处理器系列，为史上*具扩充性、易及性且效能强大的平台，新款系列处理器涵盖4核心至18核心版本，锁定不

存储需求旺！三星电子称正考虑扩大中国芯片工厂产能

据国外媒体报道，三星电子周一表示，由于行业处于繁荣阶段，需求旺盛，正在考虑扩大其中国制造基地的存储器芯片产能。三星发言人称，正在考虑扩大西安工厂的产能，但具体细节(包括可能的投资规模以及新增产能将用于生产哪些产品)还未确定。三星电子是全球*大的存储器芯片生产商，已经在西安工厂投资70亿美元生产3D NAND存储器芯片。这种芯片用于智能手机、个人电脑和数据服务器等电子设备上的**数据存储产品。业界高管和分析师表示，3D NAND供应商2017年全年可能难以满足客户的订单。三星及其同行相应地增加了3D NAND投资。外媒称，预计三星等记忆体芯片公司将在2017年录得创纪录的营收和利润。今年**季度，三星芯片、半导体部门销售额为15.66万亿韩元，较上年同期的11.15万亿韩元增长40.4%;营业利润为6.31万亿韩元，较上年同期的2.63万亿韩元增长139.9%。

宜鼎五大产品线展开 强攻云端、3D NAND、工业4.0

COMPUTEX 2017来临，工控储存领导厂商的宜鼎国际十分看好云端SSD、伺服器开机碟SATADOM、3D NAND储存应用等，且具备软硬体整合的解决方案，将NAND Flash应用扩大进入监控、运输、工业及航太国防系统等领域，并以工业4.0为主轴，以工业用SSD协助客户打造智能工厂解决方案。宜鼎这几年在全球专职的工控存储器业者中，表现十分突出，从早期工控存储器，逐渐进入国防**、运输交通、监控、云端储存、伺服器解决方案，为每一个应用领域量身打造储存解决方案。COMPUTEX 2017中，宜鼎在NAND Flash领域上，特别强化新一代五大产品线，分别为工业用PCIe SSD、具AES资料加密功能的SD卡、监控应用的InnoREC系列、伺服器开机碟SATADOM，以及3D NAND的SATA储存方案；在DRAM产品线上，宜鼎则是祭出全系列DDR4 2666 MT/s，以及超低板高系列(VLP)。宜鼎在软体支持上也特别下功夫，有自行开发SSD专属的软体服务及云端管理平台，让客户掌握每台装置的状况及运作。宜鼎也和NAND Flash控制芯片大厂Marvell合作新一代PCIe SSD，

群联潘健成：原定金援东芝150亿 计划虽延后但一定会投资

东芝(Toshiba)释股案每天有如半导体连续剧般上演，相关企业群联自然备受注目，董事长潘健成透露，原本东芝要求群联投资5亿美元���但后期演变成扩大释股，群联决定先观望，但未来一定能以策略合作伙伴的身分，加入东芝新公司Toshiba Memory的股份。潘健成指出，东芝释股案的初期就找上群联帮忙，*早东芝只有要释出19%股权，希望群联能投资5亿美元，群联表示没问题，但随着东芝释股比重提高，群联决定先观望。潘健成进一步分析，东芝案不会是单一产业或企业拿下释出的股份，这样会破坏产业的生态平衡，而群联也有准备，等到东芝与新投资人谈定后，会以策略性投资人的身分进入Toshiba Memory的股份。针对当前的NAND Flash产业局势以及大陆发展动态，潘健成也有自己的看法。他指出，NAND Flash产业未来5年的需求面成长是大于供给，群联在供给端除了东芝，也会紧密和韩系、美系供应商配合，只要有足够的军火库支应，群联的年营收一定可以从现在新台币400亿元的规模，挑战新台币1,000亿元的目标。针对大陆积极建立半导体供应链，且投入3D NAND技术的开发，潘健成认为，具备强烈的企图心是非常好的，

鸿海携夏普抢标东芝半导体？传4阵营争抢、WD未竞标

朝日新闻19日报导，据多位关系人士透露，东芝(Toshiba)以NAND型快闪存储器(Flash Memory)为主轴的半导体事业第2轮招标于5月19日截止，总计有4阵营参与竞标，包含计划和日本官民基金“产业革新机构(INCJ)”、政府系金融机构“日本政策投资银行(DBJ)”筹组日美联盟的美国投资基金KKR，以及之前通过首轮筛选的台湾鸿海(2317)、美国半导体大厂博通(Broadcom)和韩国半导体大厂SK Hynix。 其中，在日美联盟阵营部分，因INCJ、DBJ未能在招标截止日前针对收购东芝半导体事业一事完成自家内部的承认手续，也为今后的收购计划增添变数。报导指出，东芝今后将比较各阵营所出示的收购计划、将潜在买家缩减至2阵营，目标在6月下旬招开股东会之前敲定*终买家；另外，要求中止出售手续的东芝合作伙伴Western Digital(WD)未参与第2轮竞标、但在19日向东芝单独提出提案，WD计划在取得东芝半导体事业过半股权、掌控经营权的前提下，愿意和INCJ及其他日本企业进行合作。路透社19日报导，据鸿海、博通关系人士指出，鸿海、博通已参与东芝半导体事业第2轮招标，其中鸿海是携手

未来三年产能仍无法满足 2017年NAND Flash缺货不易纾解

随着日前存储器控制芯片大厂群联董事长潘健成对媒体表示，目前 NAND Flash 芯片需求相当强劲，加上主要厂商大多表示，未来 3 年产能仍无法满足市场需求的情况下，预期 2017 年第 3 季 NAND Flash 会比 2017 年第 1 季还缺货，可能会是史上*缺货一季。外资也表示，因为未来新款手机内建储存容量不断提高，2017 年 NAND Flash 缺货的情况将不易缓解。 根据外资报告指出，NAND Flash 的产能问题，2017 年三星、美光、东芝／威腾、SK Hynix 都会在下半年量产 64 层，以及 72 层堆叠的 3D NAND Flash 情况下，预计产能有大幅度提升，但 NAND 技术升级还要面临良率考验，产能是否能够顺利提升，恐怕还有门槛要跨。在推动 NAND Flash 需求上涨的诸多原因中，手机内建存储容量的增加确实是重要关键。随着目前移动 App 体积越来越大，部分手机游戏的大小已不比单机游戏小。加上即时通讯软件快速发展，包括聊天纪录、语音通话、图片档案等，都让手机内建储存需求直线上升。从之前的 16GB / 32GB ，一跃到目前的 32GB /

宜鼎将于Computex展出应用软硬整合解决方案

宜鼎国际(Innodisk)将于2017台北国际计算机展(Computex 2017)推出新一代工业用PCIe SSD、具AES数据加密功能的SD卡、专为监控应用设计的InnoREC系列、服务器*佳开机碟SATADOM系列，及采用3D NAND的*新SATA储存方案。 展位中也将展示宜鼎自行开发SSD专属的软件服务及云端管理平台，透过软件加值服务，让硬件发挥*佳效能，且能协助客户掌握每台装置的状况及运作。 DRAM展示全系列DDR4 2666 MT/s，升级全新速度，超低板高系列(VLP)，满足各种受限空间系统的需求。另外，展位将聚焦软硬整合方案，动态展示如何应用宜鼎产品，打造各种垂直市场应用，包含服务器、监控、运输、工业及航天国防系统。 该公司新一代PCIe SSD，搭载*新Marvell控制芯片及自有韧体，以M.2规格设计，NVMe作为传输接口，大幅提升传输速度。*新的SATA产品系列，采用3D NAND为储存组件，展现*佳效能，容量大幅提升，并提供多样的产品供客户选择，适用于各式的嵌入式系统。 AES数据加密SD卡，透过AES Engine硬件设计，生成128位及256位密钥，可