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DRAM
46 2017年01月12日 星期四服务器用存储器模组价格续扬
EETTaiwan (0)2017年**季伺服器用记忆体模组价格持续攀高,高容量模组的涨幅更直逼30%以上… 市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存研究部门DRAMeXchange*新调查显示,2017年**季伺服器用记忆体模组价格持续攀高,据目前已成交的合约来看,平均涨幅已逾25%,甚至在高容量模组的涨幅更直逼30%以上,其中DDR4 32GB RDIMM已突破200美元大关,而16GB RDIMM也顺势攀升至100美元。DRAMeXchange表示,由于标准型记忆体价格一路看涨,使得2017年**季伺服器用记忆体模组价格也持续延烧,更带动伺服器厂商备货的动能与需求。今年整体DRAM产能扩增有限,全年度供需状况仍吃紧,预期伺服器用记忆体模组价格将随着原厂调配产出比重而维持稳定获利水位。DRAMeXchange表示,下一代的伺服器处理晶片,英特尔(Intel) 14奈米新平台Purley已于2016年第四季初陆续送至各大ODM厂测试,Purley平台将支援至6通道记忆体,并支援单处理器*多12条 DDR4 RDIMM、NVM DIMM 与 NVDIMM 等不同种类记忆体,显着改善高阶运算伺服器群的效能面
美光东芝英特尔大咖坐镇 力成封测订单接到“手软”
中时电子报 (0)存储器封测厂力成公告第四季合并营收新台币136.50亿元,全年合并营收新台币483.44亿元,同步改写历史新高纪录。受惠于美光、东芝、英特尔等大客户持续扩大委外,力成今年营运乐观,营收及获利可望同**高纪录。至于紫光集团入股力成一案,因主管机关迟未核准,将在14日合约到期后自动失效。受到客户年终盘点影响,力成去年12月合并营收微减0.5%达新台币45.88亿元,为单月营收历史次高,与前年同期相较成长15.5%。去年第四季合并营收达新台币136.50亿元,较第三季成长7.0%,优于市场普遍预估的3~5%,并续创季度营收历史新高。力成去年全年合并营收达新台币483.44亿元,年增13.7%并创历史新高。法人表示,力成去年第四季营收优于市场预期,主要是受惠于DRAM、NAND Flash市场供不应求,上游客户包括美光、东芝等产能**开出,力成接单畅旺且产能利用率提升到9成以上满载水准。法人预估,力成第四季毛利率看升,单季每股净利可望上看新台币2元,去年全年每股净利将上看新台币6.3~6.5元。力成不评论法人预估财务数字。由于今年存储器市场仍处于缺货状态,法人看好力成今年营运表现。以DRAM封
大陆半导体宏观布局重新成形 为何挑存储器入手?
Digitimes (0)长江存储成立后,大陆在这个阶段于半导体的宏观布局重新成形。但是为什么挑由存储器入手?这是个关键选择。尤其是在台湾的 DRAM 产业甫因规模经济不足导致研发无法完全自主而缓缓淡出之际,这样的选择需要一番辩证。进口替代当然是原因之一,但不是全部。回归基本面来看。半导体之所以为高科技是因为有摩尔定律,容许其不断的制程微缩,而其经济效益也高度依赖摩尔定律。DRAM 在很长的一段时间里是半导体业的驱策技术(driving technology),也就是说DRAM的制程领导其它的半导体制程前进。半导体的先行者AT&T、Intel都曾投入这产业,日本90年代的半导体霸业、台湾、韩国的半导体产业崛起,都与DRAM息息相关。如果不健忘的话,台湾的DUV、CMP、12寸厂等先进技术都是由DRAM厂率先引入。在2000年初后,逻辑与NAND的制程进展相继超越DRAM,DRAM失去了其驱策技术的地位。逻辑制程持续往平面微缩的方向前进,能见度到3奈米,还有3、4个世代可行;NAND往3D堆叠走,这个方向能走多远尚未可知,但是短时间内碰不到物理极限,是比较技术面可克服的问题。逻辑的平面制程微缩与NAND的3D堆叠
为什么说中国必须建设本土存储产业
达普芯片交易网 (0)在长江存储,晋华项目和合肥长鑫这三大存储国产存储基地开建之际,有很多人曾经质疑过中国为什么要投入那么多钱去做这个建设。现在我通过一个事实告诉你原因。现在在存储产业,基本是韩国厂商的天下,而随着设动设备的火热,各种设备的爆发,市场对存储的需求日增,于是带来了存储产品的缺货问题,进而导致了涨价。拜DRAM 价格因供给短缺而以高角度上扬之赐,部分分析师预测南韩两大存储厂三星与SK 海力士,今年半导体营业利润可能年增5 成,来到****的25 兆韩圆。存储市况从2016 年6 月触底反弹后,从*低每单位1.31 美元一路走升,年底攀底至1.94 美元,且在供给有限而需求增加的状况下,存储今年有望延续涨势。随着PC 大饼持续萎缩,分析师去年一度唱衰电脑用存储市况,但人算不如天算,下半年笔电用存储需求旺盛,让NAND 快闪存储呈现缺货状态。至于PC 用DRAM 报价,今年**季预估将再上涨三成。另外,即使三星Galaxy Note 7 2016 年因自燃事件被迫停产,但行动DRAM 需求仍旧不减反增,这主要归功于中国智能手机业者积极填补Note 7 **下的需求缺口。而当中应以中国作为*大的消耗国
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DRAM
47 2017年01月10日 星期二DRAM吃紧 淡季涨价25%,三星海力士赚翻
集微网 (0)集邦科技昨(10)日发布*新调查,受到DRAM供应吃紧,第1季服务器DRAM模组价格涨幅逾25%,高容量涨幅甚至直逼30%,创下历年淡季*大涨势;标准型DRAM涨幅也相近。集邦旗下的DRAMeXchange表示,标准型存储器价格一路看涨,使服务器用存储器模组价格也跟着发烫,更带动服务器厂商备货的动能与需求。DRAMeXchange强调,今年整体DRAM产能扩增有限,全年度供需状况仍吃紧,服务器用存储器模组价格将随着原厂调配产出比重而维持稳定获利水位。据调查,服务器用DDR4 32GB模组,每条已突破200美元大关,首季合约价平均涨幅逾25%,高容量模组涨幅更直逼30%以上。DRAMeXchange表示,下一代的服务器处理芯片,英特尔14nm新平台Purley已于2016年第4季初陆续送至各大ODM厂测试,Purley平台将支援至六通道存储器,并支援单处理器*多12条DDR4 RDIMM、NVM DIMM与NVDIMM 等不同种类存储器,能显着改善高阶运算伺服务器群的效能。集邦稍早也预估首季标准型DRAM和服务器用DRAM涨幅都会接近三成;移动DRAM因大陆智能手机因应春节前铺货,需求强
半导体前景旺,内存未来 5 年*看俏
科技新报 (0)内存市场日益扩大,研调机构 IC Insights *新报告预测,DRAM 与 NAND 闪存等,未来 5 年年均复合增长率(CAGR)可达 7.3%,产值将从去年的 773 亿美元扩增至 1,099 亿美元。报告将半导体区分成逻辑、内存,模拟与微组件(microcomponents)IC 等 4 种类型,在 5 年的预测区间内,以内存成长力道*为强劲,模拟 IC 以5.2%次之,微组件为 4.4%,至于台积电擅长代工的逻辑 IC 则仅有 2.9%。IC Insights 指出智能手机等移动设备对低功耗内存需求激增,是驱动 DRAM 与 NAND 闪存成长的主要动能。除此之外,使用 NAND 闪存的固态硬盘(SSD)在数据中心、笔电的应用也日趋吃重。三星 6 日公布 2016 年第四季财报,在 Note 7 自燃召回的状况下,营益竟然还能逆势跳增近 80%,就是因为受惠于内存价格大涨,将利润空间拉大。
智能手机带动 未来五年存储器成长力道强劲
达普芯片交易网 (0)ICInsights*新报告预测,DRAM与NAND快闪存储器等,未来五年年均复合增长率(CAGR)可达7.3%,产值将从去年的773亿美元扩增至1,099亿美元。报告将半导体区分成逻辑、存储器,模拟与微组件(microcomponents)IC等四种类型,在五年的预测区间内,以存储器成长力道*为强劲,模拟IC以5.2%次之,微组件为4.4%,至于逻辑IC则仅有2.9%。ICInsights指出智能手机等移动设备对低功耗存储器需求激增,是驱动DRAM与NAND快闪存储器成长的主要动能。除此之外,使用NAND快闪存储器的固态硬盘(SSD)在数据中心、笔记本电脑的应用也日趋吃重。三星上周五公布2016年第四季财报,在Note7自燃召回的状况下,营益竟然还能逆势跳增近80%,就是因为受惠于存储器价格大涨,将利润空间拉大。
联电前副董加入紫光或负责成都12寸晶圆厂
工商时报 (0)紫光集团积极招募中国台湾地区半导体高层,业界昨(9)日传出,联电前副董事长暨执行长孙世伟将加入紫光集团,并出任全球执行副总裁一职。紫光全球执行副总裁高启全证实确有此事,但其它问题不便回答。业界认为,紫光招募孙世伟,代表未来的布局不会仅止于存储器,对于卡位晶圆代工市场动作会更为积极。孙世伟2007年8月接下联电营运长一职,2008年7月自胡国强手中接下执行长职位,2012年11月交棒予现任执行长颜博文并转任副董事长,2015年1月由联电申请退休,卸下副董事长及董事职务。而经过2年的沉潜,他确定在2017年1月转战紫光集团,出任紫光全球执行副总裁。业界人士表示,孙世伟在联电担任执行长期间,以治军严谨且强调执行力著称,虽然他的建厂经验不多,但强项在于推进制程技术微缩,及能在短时间内拉升良率。也因此,紫光招募孙世伟,不仅代表将借用孙世伟的强项来加快制程推进速度,也说明紫光对于卡位晶圆代工市场,仍抱持高度兴趣。大陆成立大基金扶植本土半导体产业链以来,持续招募台湾地区半导体人才,继紫光集团成功招募前华亚科董事长高启全后,台积电前共同营运长蒋尚义日前才答应出任晶圆代工厂中芯国际独立董事。业界近期一再
DRAM劲涨 台厂“绩”昂
经济日报 (0)DRAM和储存型快闪记忆体(NAND Flash)在淡季同时缺货,尤其DRAM涨势凶猛,让主要记忆体族群今年营运看旺。国内DRAM厂均已退出标准型供应正规战,转攻利基型市场,以利基型DRAM通常一季议价一次,因而未能享用如三星、SK海力士和美光营运直接受到产品飙涨挹注,但随着涨势愈猛,台厂包括南亚科、华邦电和力晶等,也同步沾光。 近期DRAM涨势主要由三星主导,且涨势仍未停歇,首季标准型DRAM涨幅逾三成,行动式DRAM约15~20%,伺服器用DRAM涨幅在25~30%。三大应用领域同飙,让主要供应商三星、SK海力士、美光去年营运翻身,股价也大爆发,尤其美光股价大涨1.3倍,格外受到瞩目。法人看好南亚科、华邦电、旺宏、力晶等拥有记忆体制造产能的公司,本季起业绩将明显提升,不过南亚科因部分产能转进20奈米,产出会减少,让涨价利益失色不少。旺宏因具备NAND Flash和NOR Flash两项记忆体制造实力,加上原来被视为包袱的12寸晶圆厂折旧几乎摊提完毕,让旺宏今年光是折旧短少,就可为公司带来可观利益,加上两项记忆体都相继切入车用及物联网等大厂,今年营运改观。至于模组厂中,则以拥有货源较
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DRAM
48 2016年12月30日 星期五长江存储暂时不涉足DRAM;蒋尚义转投中芯张忠谋苦劝难挽回
集微网 (0)1.英特尔AI四大策略彻底解析;2.蒋尚义转投中芯关键72小时:张忠谋苦劝难挽回;3.程天纵:凯明败局背后的通讯产业话语权争夺战;4.紫光布局/Flash军备竞赛再起 产能埋隐忧;5.紫光盖全球*大3DNAND厂,暂时不涉足DRAM;6.湖南省电子信息制造业“十三五”规划出炉 集微网推出集成电路微信公共号:“天天IC”,重大新闻即时发布,天天IC、天天集微网,积微成著!长按 laoyaoic 复制微信公共号搜索添加关注。 1.英特尔AI四大策略彻底解析;许多人都看好人工智能(AI)的未来发展,处理器大厂英特尔也积极应战,他们宣布将扩展多款服务器运算技术、强化软件程序码效能,以及并购新创公司,而在11月的Intel AI Day的活动上,他们正式提出了完整的AI发展蓝图和架构,并预告接下来的处理器平台将更**支援AI。建立AI人才培育管道基于英特尔既有的***专区网站,他们成立了Nervana AI学院的网页,并且统合在英特尔新设的AI专属网页上,这里针对***/资料科学家、学生,提供了多种学习的资源,像是线上课程、文件,以及与机器学习、深度学习有关的介绍。除了强化自身的硬体运算平台效能
紫光布局/Flash军备竞赛再起 产能埋隐忧
经济日报 (0)储存型快闪存储器(NAND Flash)军备竞赛再起,南韩存储器大厂SK海力士和紫光集团旗下的长江存储都加入3D NAND Flash军备竞争,尤其长江存储武汉厂启动建厂,将在2018年投产,为届时市场出现供过于求情况埋下隐忧。 目前各市调机构均看好明年NAND Flash仍然供不应求,但南韩记存储器大厂SK海力士上周宣布将在南韩盖一座全新快闪存储器厂,在中国大陆也将加码投资9,500亿韩元,扩充产能,希望市占率能赶上三星,但为NAND Flash市场投下新变数。稍早三星和美光也都宣布进一步扩产行动。三星也正于京畿道平泽建设新厂,预定2017年上半年启用,**期投资额15.6兆韩元(134亿美元),估计12寸晶圆产量可达20万片,虽然三星还未敲定生产项目,但市场推测,因三星DRAM市占已接近50%门槛,有反托辣斯法要求分割疑虑,应仍会以发展3D NAND Flash 为主。另外,三星大陆西安厂NAND Flash首期生产规模也达每月10万片。美光并购尔必达后,将新加坡DRAM厂转为生产NAND Flash,同时也全力发展3D NAND Flash,其中新加坡10X厂已于今年9月正式投产
台美联军成形迎接 DRAM 新时代
财讯 (0)台湾记忆体产业,进入台、美联军时代。美光出资千亿元,拥抱台湾记忆体产业,抛开中国追兵,抢食未来 3 年大成长,这将影响台湾半导体产业的工作和机会。 为了这**,美光执行长邓肯(Mark Durcan)已经准备了一年。12 月 12 日,他踏着愉快的脚步,踏进桃园原华亚科的厂房,几天前,华亚科的标志旁,早已立起全新的美光招牌。“台湾是我们*重要的 DRAM(动态随机记忆体)制造基地”,这句话,邓肯过去一年已经讲了不只一次,为了这桩美光在台*大规模、高达 1,325 亿元台币的并购案,他今年频频穿梭在台、美之间。当中国积极投资记忆体产业,拚命向美光招手时,美光却选择投入巨资、把台湾打造成美光的 DRAM 旗舰基地。DRAM 是为美光带进近 5 成营收的重要产品项目,美光在全球 DRAM 产业市占率达 20%。美光每生产价值 10 元的 DRAM,就有价值 7 元的产品是在台湾制造,台湾早已是美光*大 DRAM 制造基地,2015 年相关营收达 607.62 亿美元(约 1.9 兆元台币)。虽然茂德、力晶等台湾公司淡出标准型 DRAM 市场,但美光逐步接手原有的台湾 DRAM 厂,目前台湾
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DRAM
49 2016年12月28日 星期三新型DRAM以VLT技术突破刷新限制
EETTaiwan (0)VLT记忆体单元的优点之一就是不需要刷新,因而能打造出比普通DRAM记忆体单元成本更少、功耗更低的记忆体;目前VLT记忆体晶片也已经能与现有的LPDDR4记忆体完全相容了... 垂直分层闸流体 这种电荷转移改变了位元线上的电压,透过感测与锁存得到*终读取数值。然而,在储存电容中失去或取得的电荷,改变了节点上原有的电荷,这意味着读取的过程是破坏性的。因此,在每一次读取之后,都必须透过回写操作恢复记忆体单元中的电荷。LPDDR4LPDDR4标准是第四代双倍数据速率(DDR) DRAM的低功耗版本标准,透过整体架构定义了个别记忆体晶片的高层级结构,以及如何安排双列直插式记忆体模组(DIMM)。分析DRAM的方式一般有两种:理论上,剖析其实体细节;实际上,则着眼于其晶片阵列特性。本文首先探讨**种逻辑观点,因为所有的实体布局都必须分解为相同的逻辑结构,因而能够从中瞭解传统DRAM和LVT途径如何实现逻辑功能。LPDDR4记忆体晶片拥有8Gb的储存容量,通常由两个4Gb的独立通道共同组成。每通道拥有8个记忆体组,每一记忆体组包括32K储存页(page),每页有16K位元,而使记忆体组的总容量达到
云莲发布MK8115固态硬碟控制晶片
新电子 (0)云莲科技(Maxiotek)新产品MK8115已获国际品牌客户採用,并已正式进入量产,可在市场上购买到相关产品。其是首款支援3D NAND颗粒的DRAM-less固态硬碟控制晶片产品,除了适用于快速成长的SSD固态硬碟市场,同时亦可满足客户高性价比的竞争力需求。MK8115能帮助客户设计出具备更高容量(*高可达1TB)、更具竞争力性能、高度可靠性及更具成本效益的下一代固态硬碟产品,因此是进入3D-NAND时代的理想SSD控制晶片产品解决方案。相较于2D储存型快闪记忆体(2D NAND Flash),新世代3D NAND Flash是**性的技术,将提升快闪记忆体的耐用度、可靠度以及堆叠密度的优势,将可持续推动NAND成本进一步下降。该款新产品是一款高效能设计的双处理器SATA 6Gb/s DRAM-less固态硬碟控制晶片,支援*新的3D NAND Flash(MLC/TLC)。其搭配的记忆体容量可达1TB,支持主流快闪记忆体颗粒并有**的性能表现,支援的快闪记忆体颗粒包含:SLC:2x;MLC:1x/1y/1z/3D;TLC:3D。MK8115不带DRAM的设计,提供客户更多的PCB
牛!海力士72 层3D NAND 内存,传2017年**全球量产
MoneyDJ (0)SK 海力士*先进72 层3D NAND 内存传明年开始量产,韩联社26 日引述知情人事消息报导指出,海力士计划于2017 上半年完成芯片设计,位在利川(Icheon)的M14 厂将可在下半年开始生产。若按计划进行,海力士将成为****个量产72 层3D NAND 的内存厂。为顺应市场需求增温,海力士上周已宣布将在韩国与中国两地,投资3.15 兆韩圜来增加DRAM 与NAND 内存产能。随着微缩制程遭遇瓶颈,业者纷纷改以3D 垂直方式堆叠内存做突破,但制程技术各不相同。目前技术**的三星已于2013 年量产48 层3D NAND 内存,至于64 层3D NAND 芯片也将在今年底开始投产。据市调机构 DRAMeXchange 统计,三星第三季 NAND 内存营收来到 37.44 亿美元,市占率较前季进步 0.3 个百分点至 36.6%。东芝以 19.6% 位居**,Western Digital、海力士与美光分居三、四、五名,市占率依序为17.1%、10.4% 与9.8%。
半导体赚很大,三星Q4营利72.2亿美元
集微网 (0)集微网消息,据韩国经济日报报导,IBK证券公司看好三星第四季营业利润将来到8.7兆韩圜,或相当于72.2亿美元,并将目标价从195万韩圜调高至210万韩圜。 现代证券同样预测三星本季营利上看8.5兆韩圜,对照前季的5.2兆韩圜,季增率达63.5%。有鉴于此,现代证券将三星目标价上修至220万韩圜,增幅达7%。DRAM、NAND存储器市况改善、价格持续看涨,让三星半导体部门获利大进补,是分析师转趋乐观的主因。除此之外,三星存储器以外销为主,美元升值对三星获利也有加分效果。据TrendForce旗下存储器研究单位DRAMeXchange统计,三星DRAM第三季全球市场份额率达50.2%,稳居龙头位置,海力士以24.8%次之。
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DRAM
50 2016年12月23日 星期五DRAM三雄向跳槽大陆员工发出警告信,防范技术泄露
经济日报 (0)三星、SK海力士及美光相继寄出存证信函给相关人士,全力防堵DRAM技术流入中国大陆。 本报系资料库分享全球三大DRAM厂三星、SK海力士(SK Hynix)及美光,近期不约而同相继寄出存证信函给跳槽到大陆合肥长鑫、及为福建晋华负责研发的联电核心成员,全力防堵DRAM技术流入中国大陆,让全力发展自主DRAM研发的中国大陆踢到铁板,也让近期有意跳槽到大陆的华亚科核心技术人员,遭到**恫吓。半导体人士透露,三大DRAM厂强力防止中国大陆藉挖角剽窃技术,显示不乐见DRAM产业寡占局面被中国大陆全力抢进而打破,三大厂采取法律制约员工跳槽的行动,如果能奏效,将使DRAM供给缺口浮现问题再扩大,明年再现飙涨。中国大陆全力发展记忆体已列为政策目标,目前包括紫光集团、合肥长键及福建晋华都相继提出宏大发展计画,并且对外挖角行动再扩大。不过,力晶集团执行长黄崇仁透露,包括三星和SK海力士已寄存证信函给被合肥长鑫挖角的原三星和SK海力士员工,并且措词强硬,不惜倾所有资源提告。无独有偶,美光也发出存证信函给原担任美光台湾区总经理,后来跳槽到联电担任副总经理的陈正坤,而陈正坤正是联电和福建晋华合作切入生产DRAM
美光加快制程微缩及产品升级速度 台封测厂力成华东受惠
中时电子报 (0)美国存储器大厂美光(Micron)昨(22)日公告财报亮丽,对本季营运展望乐观,法说会中亦宣布将加快制程微缩及产品升级速度,包括1x纳米DRAM、与英特尔合作的3D XPoint存储器将在2017年中量产出货,**代3D NAND亦进入量产阶段等。承接美光封测订单的力成及华东直接受惠,明年营收及获利将较今年跳跃成长。美光今年12月正式取得华亚科所有股权,台湾地区已经成为美光DRAM生产重镇,其中,华亚科产能已全数转进20纳米制程,未来还有计划持续扩充产能。另外,美光也在法说会**布3D NAND位元出货量已过半的好消息。美光**代3D NAND正在全力拉升产能,**代3D NAND开始进入量产阶段。集邦咨询(TrendForce)指出,美光3D NAND架构的行动式NAND在客户端得到不错评价外,用户级固态硬盘(SSD)也已开始量产出货,而企业级SSD位元出货量第三季更大幅季增逾45%。美光持续透过制程微缩及增加投片量方式,提高DRAM及NAND Flash出货量,对承接后段封测订单的力成及华东来说直接受惠。力成董事长蔡笃恭、华东总经理于鸿祺日前参加华亚科并入美光庆祝典礼,就看好营运一
SK海力士在韩建新厂 扩Flash产能
Technews (0)需求回温、产能扩增有限,供需失衡下,DRAM价格在2016年下半逆势翻转,而原本看俏的NAND Flash在厂商间转进3D NAND良率还未提升下,同样面临缺货。集邦咨询(TrendForce)等调研机构先前都预估,明年内存价格下跌不易,且有一定的成长,现在厂商也开始蠢蠢欲动,先前扩产消息频传的SK海力士也正式宣布砸总计约3.15万亿韩元(约27亿美元)建新厂、扩产能。韩国大厂SK海力士在去年8月M14厂完工典礼上,表态要在十年内,于韩国利川、清洲等地加码建置三座半导体厂房。而22日SK海力士公布了*新的新厂投资计划,SK海力士表示,新厂将座落韩国清州市科技城,将于下个月展开设计、明年8月开始外壳结构与无尘室建构,并于2019年6月完工,而届时的设备机台安装将视公司的迁移计划而定,可以确定的是,新厂总投资金额将来到2.2万亿韩元,主要用于NAND Flash产能的布建。韩国清州自2008年以来,即为SK海力士NAND Flash生产的大本营,SK 海力士新建的利川M14厂虽将于明年转进3D NAND Flash量产,但官方进一步指出,为了顺应接下来3D NAND Flash渗透率持续攀
严防技术泄露 DRAM三大厂向跳槽大陆员工发出警告信
经济日报 (0)全球三大DRAM厂三星、SK海力士(SK Hynix)及美光,近期不约而同相继寄出存证信函给跳槽到大陆合肥长鑫、及为福建晋华负责研发的联电核心成员,全力防堵DRAM技术流入中国大陆,让全力发展自主DRAM研发的中国大陆踢到铁板,也让近期有意跳槽到大陆的华亚科核心技术人员,遭到**恫吓。半导体人士透露,三大DRAM厂强力防止中国大陆藉挖角剽窃技术,显示不乐见DRAM产业寡占局面被中国大陆全力抢进而打破,三大厂采取法律制约员工跳槽的行动,如果能奏效,将使DRAM供给缺口浮现问题再扩大,明年再现飙涨。中国大陆全力发展记忆体已列为政策目标,目前包括紫光集团、合肥长键及福建晋华都相继提出宏大发展计画,并且对外挖角行动再扩大。不过,力晶集团执行长黄崇仁透露,包括三星和SK海力士已寄存证信函给被合肥长鑫挖角的原三星和SK海力士员工,并且措词强硬,不惜倾所有资源提告。无独有偶,美光也发出存证信函给原担任美光台湾区总经理,后来跳槽到联电担任副总经理的陈正坤,而陈正坤正是联电和福建晋华合作切入生产DRAM的主要负责人,全力防止美光的技术流入中国大陆,在业界引起极大震撼。消息人士透露,三大DRAM厂寄出存证
莫大康:三星电子在存储器发展中的启示
集微网 (0)三星半导体业启步 韩国半导体在1974年才开始启步,那时韩国正在推行一种叫”新社会运动”。韩国半导体工业的**个fab,叫韩国半导体Puchon厂,建于1974年10月。由于开张就面临财务危机,同年12月,仅生存三个月,就被李健熙(LeeKunhe)主席的私人投资兼并,后被并入三星中。自1980年代之后,韩国半导体业才开始跨越式的进步,三星在1983年开始筹备集成电路制造,也即DRAM的研发。64KDRAM的研发成功,对于韩国半导体业具有里程碑意义,也是迈向全球存储器强国的**步。在那时三星电子的科研工作者,日以继夜,努力追赶,放弃一切节假日休息,靠的是一股精神及志气。在64KDRAM研发中,韩国非常清楚自已与先进国家之间的技术(1.5微米)差距为4年半,需要一步一步地追赶,在256KDRAM(1.2微米)时这个差距己缩短为3年。在1989年10月时三星已经成功开发出16MDRAM(采用0,25微米技术),它己**于全球任何一家制造商。也即三星电子从1983年开发存储器,到1989年的16M DRAM研发成功,仅利用6年的时间,前进了5代DRAM的技术,使三星电子一跃成为全球*先进的存
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DRAM
51 2016年12月21日 星期三2017年NAND产能成长有限、价格走扬
eettaiwan (0)2017年NAND Flash整体投片产能仅年增6%,随着业者加速转进3D-NAND,2017年2D-NAND缺货情况将持续一整年。 TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)*新研究报告显示,2017年NAND Flash整体投片产能仅年增6%,随着业者加速转进3D-NAND,2017年2D-NAND缺货情况将持续一整年,而3D-NAND在64层堆叠顺利导入OEM系统产品前,也将持续缺货,价格有望稳健走扬,使NAND Flash原厂营运表现持续往上。DRAMeXchange研究协理杨文得表示,在今年新增产能及制程转换同时进行的情况下,业者自2016年**季起加速3D-NAND的制程转进,整体3D-NAND产出比重在年底前达到30%,而自明年起在整体投片产能仅年增6%的成长幅度下,多数业者将开始降低2D-NAND的供货来达到提升3D-NAND产能的目标,因此,DRAMeXchange预估,自2017年**季起2D-NAND的供给量滑落的速度将加快,至第三季占整体NAND出货比重将滑落至50%以下。然而,在3D-NAND的进展上,64层堆叠的3D-NAND Flash
蔡力行转战大陆紫光? 紫光:从未接触
DIGITIMES (0)传出台积电前总执行长蔡力行卸下中华电信董事长职务后,将重返半导体产业,并追随高启全的脚步加入大陆紫光集团,但紫光高层表示,双方从未接触。 业界则是分析,紫光目前的首要任务是存储器DRAM和NAND Flash的技术和生产,这两项产品还没搞定前,大陆政府不会轻言支持紫光把战线扩大到晶圆代工领域的。业界分析,蔡力行在中华电信交接典礼时表示卸下董事长职务后,透露有意重返半导体产业的讯息,毕竟蔡力行在科技和半导体产业的时间长,当初在台积电的表现也虽然黯然下台,但执行力颇受肯定,因此他想要重回老本行并不意外。日前传出蔡力行将加入紫光集团,借由他在半导体产业的人脉与管理经验,协助在成都建立新12吋晶圆厂,总投资金额约200亿美元,主掌紫光的晶圆代工业务。这个消息一出来,大家都联想成蔡力行要和老东加打对台,把过去在台积电的经验复制到大陆半导体产业。不过,大陆政府这次主导半导体产业是有计划的,晶圆代工由中芯国际掌舵,存储器由紫光集团期下的长江存储和武汉新芯负责,紫光在DRAM和NAND Flash技术没搞定前,要去弄晶圆代工的生意,恐怕还要观察。
IC Insights:2017年全球存储器市场同比增长10%
ICInsights (0)在经历了2013年与2014年连续两年20%以上增长的好年景以后,2015年全球存储器市场陷入困境。无论是供应商合并、产能控制还是新型应用频出等过去认为是利好的事情,都没有拯救2015年的存储器市场。个人电脑市场的低迷导致存储器库存过多,从而在2015年下半年出现了价格暴跌,2015年存储器销售额*终为780亿美元,同比下降了3%。 这种颓势延续到了2016年上半年,但从2016年下半年开始情况发生了变化,存储器价格开始变得异常坚挺,而且持续到了2016结束。但由于上半年跌价太狠,IC Insights估算2016全球存储器市场同比下降1%。 IC Insights预计2017年存储器价格还将上涨,从而推动全球存储器市场规模达到创纪录的853亿美元,同比增长10%。该机构同时认为,今后几年存储器市场都将非常健康,在2020年之前每年都能保证增长,并于2020年达到1000亿美元的规模。2021年可能接近1100亿美元左右。IC Insights认为,从2016年到2021年年平均增长率可达7.3%,比集成电路整体市场年复合增长率高2.4个百分点,存储器模组的年复合增长率为5.6%,价格
台积电旧将蔡力行转战紫光成都
达普芯片交易网 (0)业界传蔡力行将到紫光,负责掌管紫光晶圆代工建厂与产能建置计划,除协助紫光设厂,也将帮紫光来台湾找人才,复制前华亚科董事长暨南亚科总经理高启全模式,对台湾半导体业是很大的警讯。相较于高启全,蔡力行除了担任过台积电执行长,也担任过世界先进的总经理,以及台积电新能源事业的董事长,对晶圆代工、内存甚至新能源的布局与执行细节都相当熟悉,可望加快中国大陆半导体与台湾的技术差距,首先将冲击二线晶圆代工厂,而一线厂台积电虽然技术上仍**,但等于将与中国大陆的国家队正面迎战。台湾半导体业包含IC设计、封测与代工,三大领域皆遭中国大陆急起直追,中国对外宣称的目的是希望提升自给率,降低半导体进口依赖,但台湾半导体业多数出口到中国,随着中国积极扩展半导体业,台湾厂商压力不小。根据CSIA(中国集成电路产业协会)统计,今年中国大陆第2季IC设计产值已达人民币401.6亿元(约新台币1928亿元),反观台湾同期的IC设计销售而仅达新台币1697亿元,虽较第1季成长近17%,但已被中国超越。中国IC设计产值已超越台湾,挟着庞大内需市场做支撑,大幅加快中国IC设计成长速度,市场也多看淡台湾IC设计业后势发展,尤其大陆
SK海力士27亿美元扩产投资计划曝光 中国厂投资54.8亿人民币
集微网 (0)集微网消息,韩国存储器制造商SK海力士周四宣布3.16兆韩圜(27亿美元)的投资计划,希望同时在韩国与中国两地增加存储器产能,以满足移动与数据储存市场的需求。 海力士表示将在韩国盖一座全新NAND快闪存储器厂,预算达2.2兆韩圜,有望拉近与三星的差距。市调机构TrendForce指出,NAND供货仍然吃紧,明年报价预估将持续走扬。除此之外,随着智能手机对存储器容量要求越来越高,DRAM市况亦呈现供不应求。有鉴于此,海力士还将加码投资中国DRAM厂9,500亿韩圜,借以扩充产能。TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange统计数据显示,全球第三季DRAM营收季增15.8%,其中三星DRAM营收季增22.4%,市占率来到50.2%。海力士与美光市占率则各为24.8%与12.6%。