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DRAM
31 2017年04月21日 星期五南亚科2017年首季毛利率创7季新高 第2季DRAM涨幅10%以内
TechNews (0)存储器大厂南亚科 26 日举行法说会,公布 2017 年第 1 季自结财报。根据财报显示,2017 年第 1 季营收为新台币 122.31 亿元,较 2016 年第 4 季增加 1.1%。营业毛利则为 49.01 亿元,毛利率 40.1%,也较 2016 年第 4 季增加 9.1%。营业利益为 38.53 亿元,营业利益率达到 31.5%。南亚科总经理李培瑛表示,在当前 DRAM 市场上供货吃紧,加上价格上涨的优势,使得南亚科 2017 年第 1 季毛利率创下 7 季以来新高水准。 李培瑛进一步指出,2017 年第 1 季 DRAM 平均售价较 2016 年第 4 季涨价 20.1%。因此,虽然南亚科在第 1 季的出货量,在部分机台由 30 纳米制程转换到 20 纳米制程的情况下,较 2016 年第 4 季减少 14.4%,再加上新台币兑换美元汇率升值的因素影响营收负影响1.7%,使得南亚科 2017 年第 1 季税后净利归属于母公司业主为 32.75 亿元,净利率 26.8%,较 2016 年第 4 季在扣除出售华亚科股票利益之税后的净利率 17.4%,还增加 9.4%,单季每股 E
日官方对尔必达、东芝态度 遭质疑双重标准
Digitimes (0)东芝(Toshiba)存储器事业股权出售案引起全球业界关注,目前虽然传出首轮是由西数(WD)、鸿海、SK海力士(SK Hynix)、博通(Broadcom)和银湖基金(Silver Lake Partners)出线,但日本政府也积极组成国家队救援,使整件收购案仍在未定之天。在此之际,日本经济新闻(Nikkei)也提出日本政府是否大小眼的质疑。 报导指出,2012年日本DRAM大厂尔必达(Elpida Memory)声请破产时,未见当时日本执政党民主党以“避免技术外流”的名义阻止陆资企业收购。如今日本政府却决定出手营救东芝,不免让业界质疑是否双重标准。DRAM重要性不亚于NAND Flash 技术外流情况难避免报导认为,DRAM之于国防技术,特别是对提升火箭发射的**度而言,重要性并不逊于NAND Flash,甚至还更重要。但日本政府前后不一的态度,恐难凝聚日本企业的力量挽救东芝存储器事业。再者,将东芝留在日本企业手中,也难完全杜绝技术流出。以1990年代三星电子(Samsung Electronics)为了提高存储器工厂良率为例,当时便挖角了许多日本电机大厂技术人员。而目前大陆将半导体
今年DRAM产能供不应求 力晶拟重新挂牌上市
工商时报 (0)晶圆代工厂力晶科技执行长黄崇仁19日表示,国际大厂已经有5年没有盖新DRAM厂,但需求却是遍地开花,今年底前市场仍是供不应求。 力晶转型DRAM及逻辑晶圆代工厂有成,今年底前接单全满且产能供不应求,全年获利将逾百亿新台币,并达到5年内赚逾500亿元新台币的营运目标。力晶今年每股将配发1元新台币现金股利,预估2~3年内会重新挂牌上市。黄崇仁表示,过去5年当中没有人盖新的DRAM厂,韩国三星新厂都是用于生产NAND Flash及10纳米逻辑晶圆代工,所以市场上并没有新增产能。至于在先进制程微缩部份,三大厂由20纳米往1x纳米微缩,要投入更多资金更新升级设备,但实际上1x纳米生产出来的DRAM平均制造成本反而比20纳米还高,用1x纳米的目标只是要降低功耗,价格一定也比PC DRAM更贵。黄崇仁表示,过去DRAM厂加快制程微缩目的是要降低成本,但1x纳米时代已经没有降低成本的优势,建新厂的成本又太高,这就是为何DRAM市场供给量在这几年成长幅十分有限的原因。再者,PC市场的需求持续下滑,PC DRAM占全球总产能比重已降至25%以下,但智能手机的Mobile DRAM搭载容量持续放大,DRAM
微软与Rambus合作研发超低温DRAM存储系统
快科技 (0)量子计算机如今已经成为科技巨头们争夺的新高地,IBM、谷歌都涉猎其中。 现在,微软也要在量子计算领域发挥能量了。半导体技术公司Rambus*新宣布已经与微软达成合作,双方将研发一种能够在零下180摄氏度环境下稳定运行的DRAM系统,为未来的量子计算机服务。Rambus研究所副总裁Gary Bronner介绍称,与微软的合作旨在零下180摄氏度环境下提升DRAM系统的容量和运算效率,并且降低功耗。同时,高速串行/并行链路也能够在低温和超导环境中有效运行,从而确保整个存储系统在低温环境下的稳定。研发这种超低温DRAM存储系统的主要原因是,量子计算机量子位不稳定,因此需要创造一个稳定的运算环境,比如超低温以及真空空间等。以2017年1月发布的量子计算机D-Wave 2000Q为例,其就工作在一个零下273摄氏度的超真空环境中,并且通过一个屏蔽层将磁干扰抑制在了1ns以内。
SK海力士大赚DRAM**高,Q1获利较去年同期成长339%
精实新闻 (0)SK海力士受惠于存储器报价上涨,首季获利是去年同期的四倍强,并同时改写历史新高。 海力士周二公布1-3月营业利润来到2.5兆韩圜(30.8亿美元),较去年同期成长339%,且高于路透社调查预估的2.4兆韩圜。当季营收来到6.3兆韩圜,较去年同期成长72%,且同样是海力士史上季度新高记录。在此同时,毛利率来到39.2%,为史上次高,仅低于2014年**季所创40%的记录。据海力士表示,**季DRAM出货较前季下滑5%,但平均售价成长24%;NAND芯片出货季减5%,但均价成长15%。(路透社)SK海力士为全球**大DRAM厂,排名仅次于三星。在NAND市占方面,海力士虽然仅排第五,不过海力士若能成功买下东芝半导体事业,NAND实力可大幅跃进。东芝是全球**大NAND芯片厂。嘉实XQ全球赢家报价显示,截至25日10时48分(GMT+8)止,海力士股价盘中走跌0.53%。
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DRAM
32 2017年04月20日 星期四三星2020年推16nm DRAM内存,15nm恐成DRAM终点
达普芯片交易网 (0)三星不仅是智能手机市场的老大,更重要的是三星还掌握了产业链至关重要的DRAM内存、NAND闪存及OLED屏幕,这三大部件上三星遥遥**其他对手,手机OLED面板上更是占据95%以上的份额。在DRAM内存市场上,三星不仅产能、份额*高,技术也是***的,去年率先量产18nm工艺,今年将完成17nmDRAM内存研发,2018年量产,2020年则会推出16nm工艺的DRAM内存芯片。与CPU等芯片相比,DRAM内存在20nm节点之后也放缓了速度,线宽减少越来越困难,40nm工艺的DRAM内存芯片线宽减少约为5-10nm,20nm工艺的线宽减少就只有2-3nm了,更先进的工艺减少线宽就更困难了。业界预计15nm节点将是(传统)DRAM内存的终点,未来DRAM的技术门槛会越来越高。三星在DRAM技术上依然比其他厂商更先进,2016年3月底三星就宣布量产18nm工艺DRAM内存芯片,后面还会继续发展新一代工艺。来自韩国ETNews的消息称,三星18nm工艺开发代号为Pascal(帕斯卡),现在则在开发代号为Armstrong(阿姆斯特朗)的17nm工艺,预计今年底正式完成研发,2018年正式量产1
服务器用DRAM二季度合约价格将续涨逾10%
经济日报 (0)集邦昨(18)日出具报告,预估第2季服务器用DRAM,因缺口仍在,合约价格将续涨逾10%,但业者认为涨幅应可达15~20%;台厂以南亚科(2408)受惠*大。 这是集邦继日前公布第2季标准型DRAM合约价平均涨幅约12.5%后,针对服务器用DRAM价格走势,提供*新的分析。集邦旗下的内存储存研究(DRAMeXchange)指出,服务器用内存供给持续吃紧,且仍有供给缺口未能完全满足需求,主要DRAM对服务器制造商的平均出货达标率仅八成,显示还有二成的缺口未能满足服务器厂的需求:甚至对中国大陆和台湾ODM厂的出货达标率也降至六成,供不应求情况仍相当严重。
力晶黄崇仁:明年DRAM恐仍缺货
经济日报 (0)力晶集团执行长黄崇仁昨表示,第五代行动通讯(5G)快速兴起,将启动大量影像传输需求,加上汽车电子及云端服务器快速成长,将开启另一波内存(DRAM和Flash)强劲需求,但供给端都遭遇程技术瓶颈,预料明年DRAM还是会缺货。 市场担心中国大陆大举投入发展内存产业,恐让未来发展蒙阴影,但黄崇仁以多年经验及对市场敏锐度,强调DRAM和Flash前景仍看好,尤其DRAM到明年底都还会缺货。黄崇仁分析,台湾与南韩两地,过去五年都未见兴建DRAM新厂,虽然中国大陆倾全力发展内存业,但都遭美光、三星和SK海力士等主要大厂反制,发展遇到瓶颈。此外,DRAM制程进入二○奈米后,投资成本昂贵,到目前为止,三大厂增产都相当节制,DRAM供给增加速度远低于需求成长速度,预料缺口还是一直存在。在需求端的应用,过去DRAM几乎全靠个人计算机支撑,如今个人计算机占DRAM总量已不到百分之廿,市场快速分散至智能型手机、服务器、网通和各项消费型电子。值得注意是,南韩已决定**布建5G,传输速率比4G快一百倍,因应大量影像传输需求,将成为全球建置标准,推动全球数据中心建置会持续成长,加上汽车电子应用增加,都将推升另一波D
Gartner:2017年全球半导体营收将大幅增加12.3%
Gartner (0)近年半导体产业成长趋缓,年成长率常常仅在2~3%之间,甚至还一度出现微幅下滑的局面,但研究机构Gartner认为,自2016下半年起,有利于半导体产业景气复苏的条件开始浮现,尤其是在标准型内存方面,随着这些有利条件持续发酵,2017年全球半导体产业的营收规模可望比2016年大幅增加12.3%,达3,860亿美元,2018年市场前景同样十分乐观。不过,由于内存市场变化无常,加上DRAM与NAND Flash产能增加,预期半导体产业景气将在2019年进入修正期。Gartner研究总监Jon Erensen表示,虽然DRAM与NAND Flash价格双双上涨,让整体半导体市场前景更为看好,但这也对智能型手机、个人计算机(PC)与服务器系统厂商的获利带来压力。零组件缺货、原物料价格上涨,加上业者可能必须提高平均售价(ASP)做为因应,2017年与2018年市场都将因此动荡。从2016年中以来,个人计算机用的DRAM价格已上涨一倍。原来只要12.50美元的4GB模块,现在已涨到将近25美元,NAND Flash的平均售价也从2016下半年持续上扬到今年**季。Gartner预期DRAM与NAND
力晶:大陆DRAM做不起来 5G时代存储器会长缺
Digitimes (0)力晶创办人暨执行长黄崇仁表示,大陆扶植半导体以为撒钱就可以,但未来用补助研发费用来扶植新厂的策略很难再延续,必须要有技术在手才行,但现在美系存储器大厂美光(Micron)已经盯上大陆3家存储器,包括紫光长江存储、合肥长鑫和联电的福建晋华,预计进入大陆DRAM产业的脚步会放缓,配合韩国2018年冬季奥运率先展示5G技术,未来DRAM是长期缺货的走势! 黄崇仁进一步表示,全球DRAM产业已经5年没有新厂加入,三星电子(Samsung Electronics)盖厂也是针对10纳米晶圆代工和NAND Flash产品线,DRAM产业已经无战争,真正的战场在晶圆代工产业。他进一步指出,DRAM制程技术发展到20纳米世代以下,会整个慢下来,过去透过技术制程微缩带来的成本下降效应已经到达瓶颈,要增加供给只能再盖新厂,但重新计算新机台设备的折旧,只是会让生产成本垫高,所以未来DRAM产业注定是供需吃紧。再者,虽然个人电脑(PC)对于存储器的用量越来越少,但服务器到未来5G时代,会吃掉很大量的存储器,2018年韩国办冬季奥运会率先展示5G技术,会将大量影片秒速上传,背后需要庞大的存储器容量做支援,预计,未
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DRAM
33 2017年04月18日 星期二Gartner发表超乐观预期 今年芯片市场规模可望成长12%
新电子 (0)近年半导体产业成长趋缓,年成长率常常仅在2~3%之间,甚至还一度出现微幅下滑的局面,但研究机构Gartner认为,自2016下半年起,有利于半导体产业景气复苏的条件开始浮现,尤其是在标准型内存方面,随着这些有利条件持续发酵,2017年全球半导体产业的营收规模可望比2016年大幅增加12.3%,达3,860亿美元, 2018年市场前景同样十分乐观。 不过,由于内存市场变化无常,加上DRAM与NAND Flash产能增加,预期半导体产业景气将在2019年进入修正期。 Gartner研究总监Jon Erensen表示,虽然DRAM与NAND Flash价格双双上涨,让整体半导体市场前景更为看好,但这也对智能型手机、个人计算机(PC)与服务器系统厂商的获利带来压力。 零组件缺货、原物料价格上涨,加上业者可能必须提高平均售价(ASP)做为因应,2017年与2018年市场都将因此动荡。从2016年中以来,个人计算机用的DRAM价格已上涨一倍。 原来只要12.50美元的4GB模块,现在已涨到将近25美元,NAND Flash的平均售价也从2016下半年持续上扬到今年**季。 Gartner预期DRA
DDR4将首度超越DDR3 2017年占整体DRAM58%
DIGITIMES (0)第四代高速DRAM存储器DDR4自2014年上市以来,销售额在整体DRAM存储器总销售额中的占比不断成长。尤其是随着2016年DDR4平均售价(ASP)跌至约与DDR3相同,当年DDR4销售额占比更是飙升至45%,大幅拉近与DDR3占比间的距离。 调研机构IC Insights预估,随着如英特尔(Intel)*新14纳米制程x86 Core系列处理器等都开始向DDR4存储器靠拢,预计2017年全球DDR4销售额占比将会扬升至58%,首度超越DDR3的39%,正式终结过去6年DDR3占比持续维持**的地位。虽然美国电子工程设计发展联合协会(JEDEC)早在2012年9月就已正式公布DDR4标准,但直到2014年DDR4才开始配备在性能强大服务器和少数高阶桌上型电脑中。2015年各数据中心与网路业者为提高服务器效能,与降低功耗,也开始使用DDR4存储器,但当年该存储器销量仍然低,销售额也仅占DRAM存储器总销售额的20%。2016年随着DDR4开始迅速扩展到更多数据中心服务器、大型电脑和高阶PC中,DDR4销售额占比也扬升至45%。预计2017年,将会有更多NB、高阶平板电脑与智能型手机开
机构:DRAM与NAND FLASH价格下半年将下降
TechNews (0)Gartner 表示,在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季将会开始呈现反转,使得全球 NAND Flash 和 SSD 的价格会在 2018 年出现明显下滑,并在 2019 年重新陷入一个相对低点。 Gartner 表示,自 2016 年中期以来,随着 NAND Flash 的涨价,SSD 的每字节的成本也出现了惊人上涨。 不过,这种上涨趋势将在本季达到顶峰。 其原因在于中国厂商大量投入生产的结果,在产能陆续开出后,市场价格就一反过去的涨势,开始出现下跌的情况。Gartner 进一步指出,中国曾在 2014 年表示,将在未来 10 年内花费 1,500 亿美元来扩大半导体产能。 而在大量中国制造的 NAND Flash 涌入市场之后,势必会缓解当前供不应求的情况,价格下降也就成了必然。 Gartner 预估,NAND Flash 方面,2017 年第 2 季将会开始呈现反转,使得全球 NAND Flash 和 SSD 的价格会在 2018 年出现明显下滑,并在 2019 年重新陷入一个相对低点。不过,在 NAND Flash 降价的基础下,Gartner 却不认为消费
Gartner:DRAM与NAND FLASH价格下半年将下降
Technews (0)Gartner 表示,在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季将会开始呈现反转,使得全球 NAND Flash 和 SSD 的价格会在 2018 年出现明显下滑,并在 2019 年重新陷入一个相对低点。Gartner 表示,自 2016 年中期以来,随着 NAND Flash 的涨价,SSD 的每字节的成本也出现了惊人上涨。 不过,这种上涨趋势将在本季达到顶峰。 其原因在于中国厂商大量投入生产的结果,在产能陆续开出后,市场价格就一反过去的涨势,开始出现下跌的情况。Gartner 进一步指出,中国曾在 2014 年表示,将在未来 10 年内花费 1,500 亿美元来扩大半导体产能。 而在大量中国制造的 NAND Flash 涌入市场之后,势必会缓解当前供不应求的情况,价格下降也就成了必然。 Gartner 预估,NAND Flash 方面,2017 年第 2 季将会开始呈现反转,使得全球 NAND Flash 和 SSD 的价格会在 2018 年出现明显下滑,并在 2019 年重新陷入一个相对低点。不过,在 NAND Flash 降价的基础下,Gartner 却不认为消费者
韩媒曝三星DRAM发展蓝图、15nm是制程微缩极限?
精实新闻 (0)三星电子为了巩固存储器霸业,制定DRAM发展蓝图,擘划制程微缩进度。业界预估,15纳米可能是DRAM制程微缩的极限,担忧三星遭中国业者追上。韩媒etnews 18日报导,业界消息称,三星去年开始量产18纳米DRAM,目前正研发17纳米DRAM,预定今年底完成开发、明年量产。与此同时,三星也成立16纳米DRAM开发小组,目标*快2020年量产。相关人士透露,微缩难度高,2020年量产时间可能延后。 三星从20纳米制程(28→25→20),转进10纳米制程(18→17),缩小线宽(Line-width)的速度明显放缓。三星尚未成立15纳米制程以下的研发团队,因为由此开始,电流外泄和电容器干扰和情况将更为明显,需要开发新的材质。三星装置解决方案部门的半导体实验室人员Jung Eun-seung说,为了继续缩小线宽,必须开发与当前不同的新材质,并提高制程稳定性,以便进入量产。业界人士估计,15纳米或许是制程微缩的极限,未来三星可能难以透过制程微缩拉大与对手差距,并担忧中国业者急起直追,赶上三星。当下三星DRAM主力为20纳米制程,今年将逐步增加18纳米产出比例,期望明年生产以18纳米为主。Mo
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DRAM
34 2017年04月13日 星期四IC Insights :DRAM价格下半年要下滑
集微网 (0)IC Insights 对DRAM后市提出示警,预期下半年随着供给增加,产品价格恐将下滑,DRAM 市场无可避免将展开周期性修正。IC Insighta 指出,DRAM 价格自 2016 年中以来快速走高,据统计,DRAM 平均售价已自 2016 年 4 月的 2.41 美元,大幅攀高到今年 2 月的 3.7 美元,涨幅高达至 54%。在产品价格大涨带动下,IC Insights 预估,今年 DRAM 产值可望达 573 亿美元规模,将较去年成长达 39%。IC Insights 预期,DDR4 规格 DRAM 比重继去年窜升至 45% 后,今年比重可望进一步突破 5 成大关,将达 58%,将跃居 DRAM 市场主流。IC Insights 看好 DRAM 价格涨势可望延续到今年上半年,只是 IC Insights 认为,DRAM 在经过1年大涨后,随着下半年供应将增加,产品价格恐将下滑,展开周期性修正。
力晶创始人黄崇仁:没**授权大陆发展DRAM难
自由时报 (0)台湾DRAM产业过去都跟国外大厂技术授权,没有技术就无法量产;力晶集团创办人黄崇仁直言,DRAM厂有技术与**问题,大陆要得到美光或韩系厂商直接技术授权很难,大陆若没有原厂技术授权,将冒着侵权风险,难以生产DRAM。力晶集团创办人黄崇仁直言,DRAM厂有技术与**问题,大陆要得到美光或韩系厂商直接技术授权很难。工研院早期曾自行研发制造DRAM的「次微米制程技术发展计划」,一九九四年底成立衍生公司世界先进,目标就是实现台湾的DRAM自有生产技术,但受限DRAM市场大起大落,世界先进转型晶圆代工后才转为获利。力晶在DRAM业曾风光一时,但因PC产业盛极而衰,标准型DRAM跟着供过于求,金融海啸后、二○一二年初,力晶技术伙伴日商尔必达因DRAM价格崩盘破产,力晶也因累计积欠银行上千亿元债款,沦落到被迫下柜与财务纾困公司;近几年转型晶圆代工,才转亏为盈。黄崇仁分析,既有的DRAM厂设备已折旧摊提到一定阶段,成本较新进入厂商低,新进入厂商除了投资庞大与成本差异外,DRAM厂还有技术与**的问题,大陆要得到技术原厂美光或韩系厂商直接授权很难,若没有原厂授权,又不能窃取商业机密,将不能生产DRAM。
高启全强调紫光存储自主研发,内存不走台湾授权的老路
数字时代 (0)外界认为高启全到大陆发展内存产业后,带走许多台湾半导体产业的人才,对此,他接受媒体采访时强调,找人才不分地方、国籍,不会特定挖哪一公司的员工。 他解释,长江存储是一家国际化的公司,拥有全球各地的人加入,美国人、日本人、南韩人都有,绝不是只有挖台湾工程师,长江存储内部是规定要用英文沟通,因为外籍主管很多,以国际化的规格在打造企业。高启全说,长江存储2016年7月16日正式成立后,就购并武汉新芯100%股权,现在的武汉新芯约1,200人,另外,长江存储成立至今也招募将近700人,当中的研发人员占500人,台湾人约50名。紫光稍早也发出声明表示,作为一家国际化的高科技公司,紫光一向非常重视与严格遵守相关法律,尊重对知识产权的保护,鼓励技术**。在遵守相关法律和商业惯例的原则下,紫光会在世界各地寻找我们需要的人才,并向他们提供较好的薪资和职业发展的机会另外,谈到2016年7月16成立的长江存储,高启全说,已齐聚500名研发人员在武汉投入3D NAND开发,也考虑研发20/18纳米DRAM,会在技术开发具竞争力后才开始投产,欢迎美光(Micron)加入合作,双方合则两利,且时间会对长江存储有利!
响应东芝案 台积绝不碰DRAM
经济日报 (0)台积电昨(13)日**公开说明内存发展策略,响应法人对东芝案提问。 台积电强调,绝不会跨足标准型内存(包括DRAM和NAND Flash),但已具备量产磁阻式随机存取内存(MRAM)及电阻式动态随机存取内存(RRAM)等新型内存技术。 台积电表示,这两项内存都是嵌入式内存,而且台积电也是提供逻辑芯片和嵌入式闪存整合技术*完成的晶圆代工厂。台积电董事长张忠谋稍早曾表示评估是否入股东芝半导体案,受到法人关注。 共同执行长魏哲家强调,台积电**不会进入标准型DRAM市场。
未来两年三大厂先后进入量产 中国存储业的“春天”来了?
中国电子报 (0)据目前的报道,中国已有四家公司欲做存储器,分别是长江存储,投资240亿美元,到2020年月产能将达30万片,目标是自己研发的3D NAND闪存;另一家是泉州晋华存储器项目,投资约60亿美元,做利基型DRAM,技术来源于UMC;还有一家是合肥智聚,投资80亿美元,已于2016年6月开工,由王宁国博士执掌,计划在今年年底左右进入设备安装阶段,由于项目尚未正式公布,产品不详;*后是南京紫光,投资300亿美元。从公布的进度看,除南京紫光没有详细计划之外,其他3家的进度似乎差异并不大,基本上都是在2018~2019年进入量产阶段。据个人看法,可能有两个指标是看点,一个是什么时间那家公司能达成10亿美元以上的销售额;另一个是产品的市场份额。因为从全球市场份额能看出真本事,目前我国台湾地区的DRAM约占全球总市场份额的5%。至于什么时间企业能实现赢利,这是个不可焦急的目标。显然,长江存储受到了国家资金的支持,实力强大。然而按照中国半导体业的发展特点,依赖政府资金有它的不足之处,例如,增加了企业对政府的依附性,在****无人敢于承担责任。对于地方政府等支持项目,它们的难度比较大。首先是变数多,涉及了太
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DRAM
35 2017年03月30日 星期四中国IC设计业还需要怎样的加速器?
维库电子市场网 (0)2017年度大中华IC**峰会上,由电子工程专辑主分析师张迎辉主持的圆桌论坛,就现在中国半导体产业是否投资过热、新创业IC设计公司如何获得市场的认可、中国公司如何避免内部的价格、小米做芯片是否说明IDM模式会成为趋势等热门话题…… 2017年度大中华IC**峰会上,由电子工程专辑主分析师张迎辉主持的圆桌论坛,就现在中国半导体产业是否投资过热、新创业IC设计公司如何获得市场的认可、中国公司如何避免内部的价格、小米做芯片是否说明IDM模式会成为趋势等热门话题,邀请芯原董事长兼总裁戴伟民、新思科技亚太区副总裁林荣坚、华虹宏力执行副总裁范恒、Kilopass公司CEO Charlie Cheng、联芯科技副总裁成飞、上海灵动微MCU产品事业部总经理娄方超、苏州易能微电子总裁吴钰淳参与。活动上各位嘉宾积极发言,坦率真诚地发表了他们的看法。海归创业故事多,中国勇敢的IC行业创业者们,需要什么样的建议? 魏少军教授的数据显示,2016年的本土IC设计公司数量达到了1362家,较上一年数量上增长超过600家。魏少军教授解释,其中一部分公司的成立,在国家政策与资金的支持下,很多海归IC设计人才在过去两三
IC Insights:存储器市场前景好,DRAM、NAND报价调升两倍
精实新闻 (0)DRAM、NAND 快闪存储器价格涨不停,促使半导体研究机构 IC Insights 将今年全球芯片成长预估调升两倍。 IC Insights *新预期 2017 年全球芯片产值将成长 11%,两倍高于原先估计的 5%。IC Insights 解释原因为 DRAM、NAND 快闪存储器展望明显上修。IC Insights 现在预期今年 DRAM 销售额有望跳增 39%、NAND 快闪存储器有望成长 25%,随着报价走扬,未来两者都还有进一步上修的可能。IC Insights 指出对照去年,DRAM 平均售价预估将大幅调涨 37%,NAND 快闪存储器今年也有 22% 的涨价空间。DRAM 价格走扬,是因为供需有明显落差。据 IC Insights 表示,DRAM 按容量计,今年总需求预估将成长 30%,但供应商产能预估仅成长 20%。
DDR5内存标准正在制定:比DDR4快两倍!
快科技 (0)内存标准制定组织JEDEC周四表示,新一代DDR5内存的规格制定工作已经开始,计划明年定稿。据悉,用于服务器和台式PC上的DDR5内存速度将是DDR4内存的两倍之多,执行效率也更高。同时,针对智能手机以及笔记本电脑等对续航有更高要求的设备,还会推出低电压版的LPDDR5内存。虽然看起来DDR5内存非常值得期待,但分析师却对其前景并不看好,反而认为DDR内存时代将在DDR4生命周期结束时谢幕。分析师认为,DDR5会首先被应用于服务器和**PC领域,随后才会逐渐向下普及。但近些年,无论是大型服务器还是游戏PC,其设计都没有根本性的变化,DDR4内存依旧可以满足需求。所以内存和主板厂商升级DDR5的动力并不充足。另一方面,随着Intel傲腾这样的新一代存储技术推出,DDR内存的地位正在被取代。就连JEDEC自己也正在制定名为NVDIMM-P替代传统DDR内存的新一代整合式存储标准。据JEDEC介绍,NVDIMM-P是一种**性的存储器,其将易失性DRAM和非易失性DRAM芯片整合在一起,然后插入DIMM插槽。这种新型存储器未来主要针对数据库应用。
台湾逻辑芯片人才 恐成大陆下个挖角目标
经济日报 (0)大陆全力发展半导体产业,朝建立自主存储器和逻辑芯片目标前进,在主要三大DRAM厂三星、SK海力士及美光全力防堵技术流向陆厂外,对岸挖角行动也伸向逻辑芯片代工厂,台厂也得提高警觉。 大陆已将半导体产业列为国家重点发展产业,并揭示到二○二○年自制率要达到百分之五十,到二○二五年自制率更推升至百分之七十五。大陆各省为争取国家产业发展基金挹注,也积极朝自建晶圆厂目标前进,发展目标除了内存外,还包括应用范围更广的逻辑芯片。据统计,大陆目前宣布投入兴建十二吋晶圆厂投资多达廿六件,其中已有十二座进入建厂;大陆全力发展半导体的企图,已让全球不敢小觑。陆厂为达相关政策目标,不惜砸重金,抢人才、抢技术。 其中DRAM产业被列为国家政策指针厂紫光集团,已相继宣示在武汉及南京各自兴建年产卅万到卅五万片的内存生产重镇;合肥长鑫和福建晋华也都相继展开建厂行动。但DRAM目前技术只剩三星、SK海力士和美光三大厂,尽管陆厂大手笔挖角,但在三大厂反制下,研发时程恐难如预期在明年大举投入DRAM生产,倒是NAND Flash突破防线机率高。至于被列为逻辑芯片指针中芯,近来面临廿八奈米良率一直无法突破,也把挖角行动伸向台厂
这家企业为了一颗中国“芯”投入千亿
维库电子市场网 (0)中国是世界上*大的芯片消费国,我们一年制造11.8亿部手机,3.5亿台电脑,1.3亿台彩电,牢牢占据****。但遗憾的是,当中90%的芯片都是依赖进口,2016年,中国集成电路的进口总额高达2271亿美元,出口却只有693.1亿美元,进出口逆差达1613.9亿美元。中国在半导体行业对进口的高度依赖,给国内电子信息产业**带来了极大隐患。为了推动中国集成电路产业的发展,2014年6月,《国家集成电路产业发展推进纲要》正式出台,千亿元规模的国家集成电路产业投资基金成立;2015年**两会期间,集成电路产业头一次被写进政府工作报告。谁能破解中国的无“芯”之痛呢?通过“买买买”缔造芯片帝国的紫光集团也许是齐总一个好的选择。缺“芯”让中国终端产业失去话语权从2016年下半年开始,围绕在智能手机等智能终端领域的关键词是“涨价”,国产的千元机均纷纷涨价100元,这是史上**千元机的涨价潮。当中主要的原因是以手机内的DRAM和NAND Flash为代表的手机必要零部件涨价造成的。业内人士接受央视财经《经济半小时》记者采访时说,芯片占手机成本的比重应该在20%左右,2016年芯片价格大涨15-20%,而
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DRAM
36 2017年03月17日 星期五韩国半导体出口额飙增,中国占六成以上
集微网 (0)集微网消息,日经新闻报导,韩国产业通商资源部15日宣布,因来自中国的内存需求旺盛,带动2017年2月份南韩半导体出口额较去年同月飙增近6成(增加57%)至65亿美元,金额连续第2个月创下史上新高纪录。 就项目别来看,2月份南韩DRAM、NAND Flash等「内存」产品出口额达42亿美元、较去年同月飙增超过8成;LSI等「系统半导体」产品出口额为18亿美元。就出口国别来看,2月份南韩出口至中国的半导体金额达43亿美元、占整体比重高达近7成。南韩半导体月出口额在截至2016年7月为止、大多维持在40-55亿美元左右水平,不过自去年8月起开始踏上走升基调,今年1月份扬升至64亿美元。BusinessKorea 15日报导,三星电子决定砸下87亿美元,扩充南韩华城厂的DRAM产能。 三星人员表示,新产线约需两年时间建造,将视研发进度和制程转换良率,决定生产18nm制程DRAM,或更先进制程的DRAM。三星电子代表说,三星DRAM的毛利率超过45%,尽管三星产品售价高,但是由于质量出众,优于竞争对手,在市场供不应求。 三星是内存霸主,去年在全球DRAM市占高达48%。
2017年有望成为**存储芯片国产化元年 长江存储进展*快
中国证券网 (0)中国证券网讯(记者 阮晓琴)记者24日从中国半导体协会主办、赛迪顾问承办的“2017中国半导体市场年会暨第六届中国集成电路产业**大会”获悉,2017年有望成为国产存储器大规模主流化发展元年。 3D NAND Flash、DRAM是智能手机存储芯片,中国企业一直缺席这两个主要市场。记者从2017中国半导体市场年会获悉,这一状况有望改变。目前国内存储器芯片主要参与者有三个,分别是湖北武汉的长江存储、福建泉州的晋华存储以及紫光集团。其中,长江存储初期定位Flash 产品,后期将扩展DRAM产品,晋华存储项目定位DRAM产品。紫光集团除直接入股长江存储外,还将在不同地点布局Flash、DRAM产品。赛迪顾问人士透露,在两年的准备期之后,2017年上述项目将进入实质性项目建设阶段。长江存储目前是进展*快的一方,其本身在Flash领域已经有较丰富的经验,有望率先量产。晋华项目已经开工建设,项目运营由经验丰富的台湾台积电负责,技术则委托联电进行开发。紫光集团目前在南京开工新建Flash产线。
DRAM市况旺!美光业绩强强滚、盘后猛涨
精实新闻 (0)美光周四于美股盘后公布前季(截至3/2)财报,不仅获利强劲,展望也远高于市场预期,激励股价盘后狂喷。 美光两周前在一场会议上已提早暗示营收可达高标,实际数字果然不差,来到46.5亿美元,较前季成长17%、较去年同期高出58%。(Barrons.com)非依据国际公认会计原则(Non-GAAP)认列之每股盈余(EPS)缴出0.9美元、���利率达38.5%,对照去年同期EPS仅0.01美元、毛利率20.4%,获利绩效均大幅改善。据路透社调访,分析师原预估营收、EPS分别为46.5亿美元与0.86美元。美光执行长Mark Durcan说DRAM与NAND存储器需求强劲,而供给有限,透露当前市况能见度**。 展望本季,美光预期营收54亿美元(中间值)、EPS可达1.5美元(中间值),均较分析师预估营收47.2亿美元、EPS 0.9美元高出甚多。美光当日于正常交易时段收涨1.57%,盘后受财报利多消息激励更是大涨10.09%、暂报29.14美元。
美光业绩连超预期 DRAM芯片Q2涨价21%
新浪科技 (0)北京时间3月24日上午消息,由于供应趋紧和需求旺盛导致存储芯片价格上升,美光科技预计当前季度的营收和利润远超分析师预期。该公司**财季利润也超出分析师预期,促使其股价在周四盘后交易中大涨9.4%。由于各大企业都在争相开发体积更小、效率更高的芯片,引发了供应瓶颈,但与此同时,智能手机、人工智能、无人驾驶汽车和物联网的数据存储需求却在飙升,导致全球存储芯片制造商正在经历分析师所谓的“超级周期”。美光科技周四表示,该公司的DRAM芯片**季度涨价21%,此前一个季度已经涨价5%。DRAM芯片大约占到美光科技上季度营收的64%。与此同时,该公司的NAND芯片业务也表现不俗,把握了智能手机的存储容量的爆发趋势。在截至3月2日的**财季内,美光科技的NAND销量增长18%。美光科技CEO马克·邓肯(Mark Durcan)在分析师电话会议上说:“我们看到客户端DRAM价格持续攀升,但也受益于移动、云计算和企业端涨价的影响。”邓肯表示,一旦找到接班人,他就会退休。他曾在去年12月表示,PC DRAM平均售价较低谷期上涨50%至60%。美光科技预计当前季度调整后每股收益为1.43至1.57美元,远超分