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DRAM
16 2017年07月29日 星期六ICinsights:DRAM、NAND售价已暴涨一年
集微网 (0)集微网消息,IC Insights的报告显示,DRAM及NAND Flash售价已经连续四个季度上涨。 不过因为原厂纷纷提出扩产计划,IC Insights稍早忧心忡忡认为,未来几年包括三星电子、SK海力士、美光、英特尔、东芝、西部数据、武汉新芯、长江存储,都大举提高3D NAND Flash产能,大陆还有新建厂商也会加入战场,3D NAND Flash产能供过于求的可能性相当高。近期SK海力士宣布今年资本支出追加至86.1亿美元,进行3D NAND Flash和DRAM两大内存扩产,让3D NAND存储器战火提前引爆。 市场正密切注意三星和美光的动作,担心DRAM涨势将提前画下句点。SK海力士无锡厂主要以生产DRAM为主;另在南韩清州厂主要生产3D NAND Flash。 这两项新建投资原定完工时间是2019年上半年,如今将提早至明年第4季,比预定时间提早半年。虽然SK海力士强调这是投资只要用于技术升级,即使新厂落成,也不会造成整体内存暴增,估计DRAM和NAND Flash产能只会增加3~5%,不会造成内存供过于求,不过业界担心内存乌云将提前飘至。
华邦总座:NOR Flash下半年仍缺货,Q3营运不错
工商时报 (0)华邦电子(2344)总经理詹东义表示,目前公司的产能全被预定,预计下半年NOR Flash市场延续缺货的状况,其客户第三季随着旺季需求比**季更强,有助于价格再调涨,第三季公司营运仍会不错。 今年投入的资本支出则将在明年确实展现效应。 华邦电主要区分为DRAM及Flash业务;詹东义说,目前看来,DRAM大环境是健康的,价格预计可微幅上调。在Flash方面,华邦预期Flash到今年底都将是缺货的情况,市场新的产能开出将是在2018年;中国大陆明年开出多少产能,以及新产能的质量水平待观察。 在需求方面,明年整体市场需求仍将持续增加。**季各产品线占营收比例方面,利基型内存(Specialty DRAM)占华邦**季营收42%,行动内存(Mobile DRAM)占**季营收13%,闪存(Flash Memory)占**季华邦营收比重提升至45%。今年以来,华邦电子的产能都已充份运用,今年投入巨额的资本支出将可提升月产能由4.4万片增加至4.8万片,其中,DRAM为2.6万片,Flash为2.2万片,新增的4000片产能预计将于第四季开始投片,明年可展现效益。另一方面,第三季公司自行开发的3
华邦电Q2获利符合预期
工商时报 (0)内存厂华邦电子(2344)昨(28)日召开法人说明会,**季归属母公司税后净利季增44.1%达9.90亿元,每股净利0.28元,符合市场预期。 华邦电总经理詹东义表示,第三季进入出货旺季,价格持续上涨,但华邦电产能全被用光,新增产能要到第四季才会开出。 法人预估,华邦电第三季营收与获利可望较上季微增。华邦电公告**季合并营收季增9.5%达114.11亿元,较去年同期成长8.7%,受惠于内存价格上涨,平均毛利率季增3.9个百分点达32.6%,归属母公司税后净利达9.90亿元,较**季明显成长44.1%,与去年同期相较亦大幅成长54.0%,每股净利0.28元,符合市场预期。华邦电上半年合并营收218.36亿元,较去年同期成长6.1%,平均毛利率年增1.5个百分点达30.7%,归属母公司税后净利16.77亿元,较去年同期成长18.2%,每股净利0.47元。詹东义表示,第三季是内存市场传统旺季,需求比**季强,供给端的压力比**季大,内存报价也会上涨,但华邦电的产能已全部被用光。 对华邦电来说,自家产能成长受限,新产能要第四季才会陆续开出。 法人预估,华邦电第三季受限于总产能没有增加,成长动能
三星跃芯片龙头 明年 Intel 恐复仇夺位
精实新闻 (0)存储器需求发烧,三星电子营收暴增,踢下英特尔(Intel),晋身全球芯片龙头。 华尔街日报、美联社报导,过去四分之一世纪以来,英特尔一直是全球芯片霸主,不过随着电脑市场转疲,英特尔光芒不再。今年**季,三星芯片部门营收为 157 亿美元,营益为 71 亿美元。相较之下,英特尔营收为 148 亿美元,营益为 38 亿美元。智能机兴起、个人电脑没落,使得英特尔销售备受打击,三星则从中受惠。野村证券**分析师 Chung Chang-Won 表示,智能机和平板逐渐取代一般电脑,带动三星崛起。三星强项是存储器,包括 DRAM 和 NAND flash,此类芯片毛利低、价格波动剧烈。近来存储器短缺,价格飞涨,分析师估计,今年底前三星应可稳坐芯片王座。英特尔主力是电脑和服务器处理器,此类产品毛利高,但是营收成长放缓。Objective Analysis 存储器芯片分析师 Jim Handy 分析两类芯片,称 16GB NAND 价格约为 4 美元,0.5GB DRAM 则为 2.75 美元。英特尔新 PC 芯片价格在 250~2,000 美元之间,新服务器芯片*高更达 1 万美元。尽管处理器价格高
SK海力士扩产 DRAM涨势或提前结束
联合新闻网 (0)韩国存储器大厂SK海力士(SK Hynix)宣布今年资本支出追加至86.1亿美元,进行3D NAND Flash和DRAM两大存储器扩产,让3D NAND型存储器战火提前引爆。市场正密切注意三星和美光的动作,担心DRAM涨势将提前划下句点。韩国存储器大厂率先提早资本支出的行动,为两大存储器一片缺货声中,投下震撼弹。根据韩国媒体报导,SK海力士追加今年资本支出至9.6万亿韩元(约86.1亿美元),比年初宣布的数字增加37%,比去年的资本支出增逾五成。SK海力士上修资本支出,想让新厂提前完工。SK海力士无锡厂主要以生产DRAM为主;另在南韩清州厂主要生产3D NAND Flash。这两项新建投资原定完工时间是2019年上半年,如今将提早至明年第4季,比预定时间提早半年。虽然SK海力士强调这次投资只要用于技术升级,即使新厂落成,也不会造成整体存储器暴增,估计DRAM和NAND Flash产能只会增加3~5%,不会造成存储器供过于求。不过,SK海力士这项扩大投资,已引起法人圈担心存储器乌云将提前飘至。稍早已有美系外资下修美光营运展望,导致美光股价自32.95美元**,连续五个交易日呈现下跌,上
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DRAM
17 2017年07月24日 星期一SK海力士2017年资本支出将逾60亿美元
DIGITIMES (0)SK海力士(SK Hynix)2017年第2季创下史上*佳业绩表现,季营业利益率也上升至46%,傲视全球科技同业。由于存储器市场持续看好,加上资料中心需求增温,SK海力士决定扩大2017年支本资出规模,目前计划7兆韩元(约62亿美元),但未来不排除往上加码至9.6兆韩元,进行攻击性投资。多家韩媒报导,SK海力士2017年第2季营收约为6.7兆韩元,营业利益约为3.1兆韩元,其中营收较2016年同期增加70%,营业利益更是2016年同期的6.8倍,正式开启营业利益3兆韩元时代的序幕。SK海力士相关人士于2017年第2季法说会中表示,预计2017年DRAM生产规模将较2016年增加3~5%,因此总资本支出规模可能高于原先预期的7兆韩元。此外,大陆无锡厂及韩国清州厂完工时间预计为2018年第4季,也较当初规划的时间提前半年左右。2017年上半SK海力士的资本支出已超过5兆韩元,主要为韩国清州M14厂的3D NAND Flash投资。另一方面,为了确保DRAM竞争力,也进行额外研发投资。由于存储器市况看好,SK海力士也决定展开大规模投资,以延续甜美果实。不过包括三星电子(Samsung Ele
传发生氮气污染事件的美光桃园厂,复工了
集微网 (0)美光桃园N2厂本月初发生氮气厂纯化设备毁坏后,近期陆续复工生产,原预期造成缺货冲击苹果新机供应警报解除,且推升DRAM现货涨势将止歇。据了解,美光桃园厂先前遭污染的芯片还在估算及清理,但据估将有上万片的晶圆将报废,其余则以次级品处理,事件发生后至复工这段时间所招致的晶圆损失,美光将会在未来以增产方式将损害减到*轻,美光复工的进度比预期还快,反应整体DRAM需求强劲,业界对生产线都保持高度警戒和应对。台湾美光桃园厂编号N2厂发生意外,经协助的设备商透露,是供应氮化的纯化关键设备毁坏,导致在输入氧气进行燃烧空中所含水气失效,让含有水气的氮气输送到厂区的机台,导致逾百台机台遭到污染。经设备商进入勘查,由于氮气厂的纯化器,有半数毁坏,经向美光台中厂和设备商调动备品,已在近期复工。 不过,由于纯化过程仍须考虑氮气须达全部纯化,因而还无法回复全能生产,不过,未来美光会以逐月增产方式,填补给客户DRAM的相关缺口,应该可将伤害减至*低。美光稍早也发表声明表示,桃园N2厂已经恢复生产。 这事件对美光的业务与履行客户的承诺并无实质影响,也并未造成环境及员工**相关问题。 美光并持续监控情况,并视需要向客
SK海力士今年投资规模上看62亿美元 致力于技术提升
digitimes (0)以往半导体产业的竞争要素在产能扩大与降低成本,但制程愈趋于先进,研发难度提高,投资规模扩大不保证能带来对等获利。面对产业环境改变,SK海力士(SK Hynix)期盼借由技术**开拓全球市场。据韩媒每日经济报导,SK海力士计划在2017年下半提高10纳米级DRAM生产比例,并持续增加14纳米NAND Flash产量,以取得更具优势的成本竞争力,提高事业获利性。SK海力士将持续以大规模研发投资提高技术竞争力。资通讯技术发达带动存储器需求成长,移动装置用DRAM及NAND Flash产品的容量持续增加,用于大数据及云端资料中心的服务器DRAM、固态硬碟(SSD)需求激增,人工智能(AI)、深度学习(Deep Learning)的技术发展更是带动存储器需求扩大的市场利基。2017年1月SK海力士推出LPDDR4X,是全球*高容量的超低功耗移动装置DRAM;4月开发出超高速绘图DRAM Graphics DDR6(GDDR6),可作为AI、虚拟实境(VR)、自驾车、4K以上高像素显示器的存储器解决方案。在NAND Flash部分,2017年SK海力士成功开发72层3D NAND Flash之后,
美光桃园N2厂复工 DRAM现货涨势将歇
联合新闻网 (0)存储器大厂美光台湾地区桃园N2厂本月初发生氮气厂纯化设备毁坏后,经向台中厂和台湾厂商调用备品更换后,近期陆续复工生产,原预期造成缺货冲击苹果新机供应警报解除,且推升DRAM现货涨势将止歇。据了解,美光桃园厂先前遭污染的芯片还在估算及清理,但据估将有上万片的晶圆将报废,其余则以次级品处理,事件发生后至复工这段时间所招致的晶圆损失,美光将会在未来以增产方式将损害减到*轻,美光复工的进度比预期还快,反应整体DRAM需求强劲,业者对生产线都保持高度警戒和应对。台湾美光桃园厂编号N2厂发生意外,经协助的设备商透露,是供应氮化的纯化关键设备毁坏,导致在输入氧气进行燃烧空中所含水气失效,让含有水气的氮气输送到厂区的机台,导致逾百台机台遭到污染。经设备商进入勘查,由于氮气厂的纯化器,有半数毁坏,经向美光台中厂和台湾设备商调动备品,已在近期复工。不过,由于纯化过程仍须考量氮气须达全部纯化,因而还无法恢复全能生产,不过,未来美光会以逐月增产方式,填补给客户DRAM的相关缺口,应该可将伤害减至*低。美光稍早也发表声明表示,桃园N2厂已经恢复生产。这事件对美光的业务与履行客户的承诺并无实质影响,也并未造成环境
SK海力士Q2季报发布:存储器持续助攻 业绩再创历史新高
Digitimes (0)SK海力士(SK Hynix)第2季业绩再**高,营收、营业利益、净利纷纷刷新历史纪录,达成业绩三冠王。短期内DRAM市场需求将持续成长,NAND Flash事业发展性乐观,第3、4季有希望持续刷新纪录,挑战全年营业利益突破10兆韩元(约89亿美元)。 据韩联社报导,SK海力士公布2017年第2季财报数据,营收为6.69兆韩元,营业利益为3.05兆韩元,净利为2.47兆韩元,纷纷成为历史新高纪录。其中,营收较2016年同期增加70.0%,营业利益更是2016年同期的6.8倍。SK海力士第2季营业利益率为46%,较第1季增加7个百分点,也刷新2004年为40%的纪录。亦即第2季SK海力士每销货100亿韩元,就可获得46亿韩元的高获利。2016年第2季SK海力士营业利益滑落至4,529亿韩元,是连续13季度以来的*低表现,之后随着存储器市场逐渐好转,2016年第4季营业利益重新站上1兆韩元,2017年第1、2季持续攀升。业界表示,全球存储器市场需求持续增加,且产品供不应求,短期内价格还会持续上扬;第3季SK海力士的营业利益有机会上看3.5兆韩元。若加上SK海力士扩大21纳米DRAM量产比例
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DRAM
18 2017年07月20日 星期四发生氮气污染事件的美光桃园厂复工了
集微网 (0)集微网消息,美光桃园N2厂本月初发生氮气厂纯化设备毁坏后,近期陆续复工生产,原预期造成缺货冲击苹果新机供应警报解除,且推升DRAM现货涨势将止歇。 据了解,美光桃园厂先前遭污染的芯片还在估算及清理,但据估将有上万片的晶圆将报废,其余则以次级品处理,事件发生后至复工这段时间所招致的晶圆损失,美光将会在未来以增产方式将损害减到*轻,美光复工的进度比预期还快,反应整体DRAM需求强劲,业界对生产线都保持高度警戒和应对。台湾美光桃园厂编号N2厂发生意外,经协助的设备商透露,是供应氮化的纯化关键设备毁坏,导致在输入氧气进行燃烧空中所含水气失效,让含有水气的氮气输送到厂区的机台,导致逾百台机台遭到污染。经设备商进入勘查,由于氮气厂的纯化器,有半数毁坏,经向美光台中厂和设备商调动备品,已在近期复工。 不过,由于纯化过程仍须考虑氮气须达全部纯化,因而还无法回复全能生产,不过,未来美光会以逐月增产方式,填补给客户DRAM的相关缺口,应该可将伤害减至*低。美光稍早也发表声明表示,桃园N2厂已经恢复生产。 这事件对美光的业务与履行客户的承诺并无实质影响,也并未造成环境及员工**相关问题。 美光并持续监控情况
ASML今年营收成长上看25% EUV累积未出货订单已达27台
财讯快报 (0)半导体微影技术大厂艾司摩尔(ASML)公布2017**季财报。ASML在**季新增8台EUV系统订单,让EUV微影系统的未出货订单累积到27台,总值高达28亿欧元。预估2017第三季营收净额约为22亿欧元,毛利率约为43%。因为市场需求和**季的强劲财务表现,ASML预估2017全年营收成长可达25%。ASML总裁暨执行长温彼得(Peter Wennink)指出:“ASML今年的主要营收贡献来自存储器芯片客户,尤其在DRAM市场需求的驱动下,这部分的营收预估将比去年成长50%,而来自逻辑芯片方面的营收也可望成长15%。在EUV微影系统部分,未出货订单累积金额在**季已经累积到28亿欧元,显示不论逻辑芯片和DRAM客户,都积极准备将EUV导入芯片量产阶段。”此外,ASML近年来积极推行系统升级业务,该部分的营收贡献可望在今年成长20%,也认为成长动能将延续到2018年。**季产品重点摘要部份,在深紫外光(DUV)微影方面,推出*新浸润式微影系统TWINSCAN NXT:2000i,让客户得以在7纳米和5纳米制程节点上,同时用浸润式微影和EUV系统进行量产,并达到2.5纳米的叠对精度(on
ASML今年营收成长上看25%,Q2新增8台EUV订单
工商时报 (0)半导体微影技术大厂艾司摩尔(ASML)公布2017**季财报。 ASML在**季新增8台EUV系统订单,让EUV微影系统的未出货订单累积到27台,总值高达28亿欧元。 预估2017第三季营收净额约为22亿欧元,毛利率约为43%。 因为市场需求和**季的强劲财务表现,ASML预估2017全年营收成长可达25%。 ASML总裁暨执行长温彼得(Peter Wennink)指出:「ASML今年的主要营收贡献来自内存芯片客户,尤其在DRAM市场需求的驱动下,这部分的营收预估将比去年成长50%,而来自逻辑芯片方面的营收也可望成长15%。 除了DUV微影系统的业务持续成长,在EUV微影系统部分,未出货订单累积金额在**季已经累积到28亿欧元,显示不论逻辑芯片和DRAM客户,都积极准备将EUV导入芯片量产阶段。 」此外,ASML近年来积极推行系统升级业务,该部分的营收贡献可望在今年成长20%,也认为成长动能将延续到2018年。**季产品重点摘要部份,在深紫外光(DUV)微影方面,推出*新浸润式微影系统TWINSCAN NXT:2000i,让客户得以在7奈米和5奈米制程节点上,同时用浸润式微影和EUV系
创见:NAND Flash供给缺口仍未见缓减
苹果日报 (0)时序进入第3季传统旺季,存储器的供需情况未见好转,且供货吃紧的程度更转趋严重,创见即表示,NAND Flash供给缺口仍未见缓减,DRAM则因美光桃园厂氮气系统意外事故,影响原料市场供货状况,导致消费型NAND Flash与DRAM出货仍受到原料缺货干扰。创见强调,将配合市场状况控管风险,调整采购及定价策略,维持一贯稳定获利,同时近来积极拓展新产品线,近期发表全新DrivePro 130及DrivePro 110机种,丰富行车记录仪产品线,进一步推升行车记录仪销售量攀升。回顾6月营收,创见6月合并营收新台币17.1亿元,与上月相比成长5.6%;其中工控产品占整体营收比重43.5%、策略性产品占18.8%、消费型 Flash产品占19.3%,标准型DRAM产品则占18.4%。创见表示,工控产品及策略性产品仍为营运重点,工控产品在各区域间的团体战力发挥综效,尤以海外先进市场相较前月有不错的成绩表现。消费型Flash与DRAM出货仍受到原料缺货影响,营收与前期持平。
大陆半导体急补技术缺口 卯起来砸钱抢人
商业周刊 (0)7 月 12 日,在与台湾隔海相望的福建省晋江市,大陆首座半导体培训中心正式开幕,出任校长的竟是台湾清华大学前校长刘炯朗。 「我们希望晋江芯华人才培训中心,成为这方面人才培训的武当山、少林寺。 」开幕当天,刘炯朗接受大陆媒体访问时说。大陆出资、台湾师资还可以到台企受训实习近年大陆挖角台湾半导体业界人才已不稀奇,但标榜大陆政府出资、台湾师资授课,还有机会到台湾企业实习、受训,如此系统性由两岸连手打造的人才产业链,却是头一次见到。其中,由刘炯朗担任董事长的台湾民间研究机构集邦科技,更是从一开始的招聘阶段到规画,几乎全程参与,是芯华*主要的合作单位。连以制鞋、纺织业为主的晋江都动起来,可见现在大陆各地政府发展半导体积极程度。「大陆半导体产业是残缺的,这也是他们发展大基金的原因。 」一位长期观察两岸半导体产业的前外资分析师说,大陆占全球芯片使用量的 4 成,其中却有高达 9 成来自进口,等于被国际大厂掐住咽喉。因此,2014 年,大陆政府成立「国家集成电路产业基金」(简称大基金),基金总额近人民币 1,400 亿元,藉此打造本土半导体产业链。 据统计,光是 15 到 16 年间,大陆 IC 设
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DRAM
19 2017年07月16日 星期日下半年ASP涨势降温 DRAM/NAND将别景气荣景
新电子 (0)市场研究机构IC Insights预估,DRAM ASP涨势会持续到2017年第三季,第四季则微幅转负,象征着这波产业景气上升的周期将进入尾声。 尽管下半年DRAM ASP成长力道减弱,全年DRAM ASP涨幅仍将高达64%,是1993年以来年涨幅*高的一年;NAND Flash的ASP年涨幅则为33%,亦是新高纪录。 另外,IC Insights也预估,2017年动态随机存取内存(DRAM)出货量将会下滑,而NAND Flash内存出货量则微增2%,但由于两种内存产品的平均销售价格(ASP)自2016年下半年开始快速攀升,且涨势持续至2017年上半年,因此整体销售额仍可望在今年创下新高纪录。
DRAM万里无云 威刚本季ASP增辉
经济日报 (0)DRAM市场荣景持续,威刚(3260)董事长陈立白认为,目前市况可谓「万里无云」,甚至可延续到明年上半。 另外,研调机构集邦科技则预期,由于DRAM供货吃紧状态延续,价格将持续上扬,本季整体DRAM平均销售单价(ASP)估计将上涨约5%左右,供货商的获利水平也将进一步提升。 针对DRAM市场供需,陈立白表示,DRAM需求由数据中心、电竞产品与手机内建容量增加等力道所驱动,但原厂只进行制程升级,并没有大幅增加新产能。陈立白也指出,近期DRAM价格又开始涨,之前有些厂商抛货或库存消化后又开始回补,估计本季合约价会再上涨10%,现货价可能涨幅更大些,整体下半年的价格应会维持平稳或上涨的局面。集邦提到,虽然今年在需求端,智能手机领域的需求并没有特别强劲,但DRAM产业受惠于制程转进不易所造成的供货紧缩,平均销售单价居高不下。 在短期之内业界没有大幅新增产能的前提下,预计DRAM供货吃紧状态将延续至2018年。集邦表示,由于过去产业是以PC或智能型手机为大宗,所以DRAM种类较为单纯,也容易因为景气影响而造成价格的剧烈波动。 但现在不论是绘图运算、云端应用、车用或人工智能都处于生命周期的初始阶段
南亚科Q2获利季增2倍 20纳米投片量已提升至1万片
联合新闻网 (0)DRAM大厂南亚科今(17)日法说会登场,受惠DRAM价格上扬毛利率提升,以及处分美光股票业外挹注,法人预估上季每股纯益将逾新台币3元,获利较首季两倍增幅。下半年进入DRAM备货旺季,存储器业者普遍认为,到明年上半年仍会缺货,南亚科获利也可逐季攀高。南亚科今日的法说会,法人关注未来DRAM供需和价格动向的指标,加上上季底连续处分美光股票,现有美光持股是否会持续调节,也是今天观察重点。南亚科第2季合并营收新台币126.25亿元,季增3.2%,反映DRAM制程转换产出减少,抵销DRAM涨势;累计上半年合并营收新台币248.56亿元,比去年同期增加28.58%。不过,因DRAM合约价涨幅近5%,南亚科上季毛利率仍可略优于首季的40.1%,站稳四成之上,虽然有新台币升值等不利因素,但预料本业获利仍逾新台币1元。因上季出脱美光股份1,160万股,约占原持有股票二成,持股比率由5.22%降至4.17%,处分利益估新台币51亿元,每股挹注逾新台币1.85元。法人预估,在业外挹注及DRAM本业不俗下,第2季每股纯益可逾新台币3元,比首季的新台币1.19元有两倍增幅。展望下半年DRAM供需和价格走势,存
南亚科李培英:第三季DRAM价格涨幅约4%-6%
全球半导体观察 (0)存储器大厂南亚科在17日法说会中,针对存储器后市与公司营运的展望,总经理李培瑛表示,当前DRAM产能没有大幅度增加,整体DRAM缺货的情况在2018年会维持与2017年相差不多。而2017年下半年在传统旺季的带动下,预计DRAM价格涨幅第3季将会较第2季上升4%到6%。而南亚科在第3季的营运,受惠于DRAM价格的持续攀升,对成长有把握。第4季的情况也约略于第3季持平,整体下半年营运状况将优于上半年。李培瑛指出,南亚科20纳米制程在5月已取得客户验证,并且第2季提前量产,预计2017年第4季的平均投片量可达3万片水准,超前原本预估到2018年第1季才有这样数量的进度。之后,2018年上半年20纳米每月的投片量更将再提升至3.8万片,若加上30纳米制程的3万片产能,合计届时月投片量将达6.8万片。李培瑛表示,20纳米于2017年第4季将可达到成本交叉,也就是说20纳米的产出成本会比原有的30纳米好,再加上届时已有许多新产品问世,包括未来将推出DDR4、LPDDR4产品,以及高密度LPDDDR3产品等,在产品线更齐全的情况下,相对于其他对手,南亚科将更有竞争力。另外,针对2017年下半年整个
2017年下半年DRAM、NAND ASP增速放缓 年度增长**高
达普芯片交易网 (0)日前,ICInsights发布*新McClean报告中指出,2017年DRAM和NAND的平均售价(ASP)的增长速度将于第三季度逐渐放缓,但以全年来看,DRAMASP的年增长率达63%,NANDASP增长33%,均创下了历史新高。经ICinsights预测,DRAM和NAND存储器的销量预计今年将创历史新高,究其原因是因为产品平均售价(ASP)的快速增长。具体来看,2017年DRAM的实际出货量预计会有所下滑,而NAND出货量仅增长2%,但足够推动闪存市场的增长势头。图中显示了DRAM、NAND的季度ASP增长率:从2016年第三季度开始到2017年**季度,DRAM的平均售价(ASP)上涨了16.8%,NAND上涨了11.6%,保持了持续增长态势。随着DRAM平均售价的快速增长,DRAM厂商将再次加大对这一领域的支出。然而,技术研发的投入占比远远大于量产的投入。ICInsights预测2017年所有闪存的支出将用于3DNAND技术而非2D闪存。因此今年在NAND闪存的*大投入来自三星,7月4日,三星电子平泽工厂全球*大规模半导体生产线正式投产,将生产第四代64位V-NAND,月产能
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DRAM
20 2017年07月10日 星期一美光桃园厂短期难复工,该产线**苹果
集微网 (0)集微网消息,据台媒报道,美光科技桃园厂区氮气纯化厂意外,经调查厂内纯化氮气的关键设备纯化器毁坏,必须停工更换。 美光正寻求台湾备品更换,但应非短期可复工。 由于该产线为供应苹果手机重要移动内存,估计数万片的缺口,正寻求其他厂供应,对正处于缺货的DRAM供应更雪上加霜。 苹果DRAM供货商除了美光外,还包括三星和SK海力士,业界预料,苹果将会要求三星和SK海力士多供货支应,或在美光复工后加速赶货补足相关缺口,此事件在美光N2厂未复工前,对全球DRAM缺口冲击愈大。台湾美光在桃园厂发生意外后,虽然坦承厂务系统确实出现些微错误,公司迅速解决并恢复正常运作,对产出没有影响。 但美光对外未吐露实情,主要认为这是内部厂务系统故障,未造成工安事件,因此不须向主管机关提报或向外说明。不过,根据协助的设备商透露,在台湾美光桃园厂编号N2厂是供应氮化的纯化关键设备毁坏,导致在输入氧气进行燃烧空中所含水气失效,让含有水气的氮气输送到厂区的机台,导致逾百台机台遭到污染。经设备商进入勘查,由于氮气厂的纯化器毁坏,必须停工更换,因此美光N2厂何时复工,完全取决氮气厂纯化器何时能更换完毕。 据设备商估计,原本担心必
美光桃园厂出包后DRAM均价连续上涨
集微网 (0)集微网消息,美光桃园厂旗下N2厂发生氮气供应出包意外,冲击供应苹果DRAM货源,业界推测,可能先相关内存厂优先支持,但会排挤安卓阵营供应,恐会衍生另一波DRAM抢货潮。 根据集邦*新的现货报价,美光桃园N2厂出包后,已让市场高度敏感的现货报价应声上扬,上周四及周五二个交易日,均价上涨2.8~3.5%,预料在N2厂复工期拉长下,DRAM现货价格仍会呈现上扬局面。由于本季是传统电子产品出货旺季,内存业界原本就预估缺口将达2~3%,如今美光供货缩减,业者直言,缺货将蔓延到第4季。
KBS:聚焦韩国半导体产业
kbs (0)韩国半导体产业发展风生水起。世界上*大的内存芯片供应商三星电子公司宣布,其在韩国平泽的新建半导体生产线已经开始量产。NAND闪存技术开发商SK海力士公司已经加入了一个同盟,将投标收购日本东芝的内存部门。今天,我们邀请到了韩国真好经济研究院的李仁喆(音译:이인철)先生,与他共同聊一聊韩国半导体产业的未来。首先,我们了解一下7月4日三星电子公司在平泽投产的半导体工厂的意义。 根据IT市场研究公司的数据,**季度三星电子公司在NAND闪存市场上的份额为35.4%。 这个数字具有**优势,但平泽半导体厂的投产将会扩大三星公司与**名公司之间的差距。V-NAND技术通过垂直堆叠单元来增加存储容量。虽然传统的半导体是二维的,但是新开发的半导体是三维的。目前,三星电子是世界上**批量生产64层V-NAND闪存芯片的公司。NAND闪存芯片的需求预计将因为其在云服务、增强现实和无人驾驶汽车等领域的使用而大幅攀升。三星电子决心在与对手的竞争中**一步,成为名副其实的全球**IT公司。正如韩国真好经济研究院李仁喆先生的介绍,三星电子公司在平泽新工厂投资了15.6万亿韩元。平泽半导体厂占地面积为289万平方米
存储器产业首现DRAM、NAND/NOR Flash价格齐涨
中时电子报 (0)存储器产业首度出现DRAM、NAND Flash连袂上涨,甚至连NOR Flash也同步跟涨,且涨价原因不同于以往,并非厂房火灾或产能受损等因素,只因太久没有厂商大扩产,市场看好今年DRAM、NAND Flash第三季合约价格可望价涨1成。业界普遍看好,这波价格强势将可望因智能手机及服务器需求一路延续至明年上半年,威刚董座陈立白形容当前存储器产业是“万里无云”。去年以智能手机为主掀起需求,带动DRAM及NAND Flash同步涨价,且本次完全没有天灾或跌深反弹因素,纯粹因为市场需求兴起的涨价潮;陈立白指出,这是史上**次面临这种盛况,且DRAM价格看俏到年底,他甚至用“万里无云”形容这波市况,预期本季DRAM合约价可望上涨1成,现货价涨幅将比合约价还高。至于NAND Flash市场,在各大厂3D制程产能开出后,加上TLC制程压低生产成本,**带起一波取代传统硬盘(HD)的浪潮,目前不论是笔电或PC至少都会搭载一颗固态硬盘(SSD),加上目前智能手机也以eMMC或UFS规格为主,容量需求将只升不减,群联董事长潘健成形容,第三季将会是NAND Flash史上*缺的一季。值得注意的是,三星平
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DRAM
21 2017年07月03日 星期一美光华亚科厂氮气出状况, 厂房停工,DRAM供货吃紧
TechNews (0)内存缺货状况将雪上加霜? 已与台湾美光半导体合并的 DRAM 厂华亚科,近日传出厂房制程所需的氮气出状况,造成逾半晶圆报废,厂房目前仍处停工状态,接下来 DRAM 供货恐受影响。 根据科技新报取得的消息,华亚科厂房近日传出制程所需氮气出现状况,气体污染造成约 6 万片晶圆报废,华亚科厂房为双子星结构,一厂可容纳两座 12 吋厂,两厂月产能可达 12 万片以上,此次逾半产能晶圆报废,影响不可谓小。华亚科与美国 DRAM 大厂美光于去年 12 月初正式合并,华亚科于去年初即逐步转进 20纳米,为美光体系中,*早开始转进 20nm的厂房,其中产品线也扩充至移动式内存 LPDDR4。 美光与三星、SK 海力士今年都以 3GB LPDDR4 供货,跻身苹果 iPhone 8 供应链,此次事件是否将对 iPhone 8 供货造成冲击值得观察。而事件难保不对整体 DRAM 市场造成影响,据调研机构集邦科技内存储存研究 DRAMeXchange 先前预估,受到 DRAM 厂商制程转进不易、短期缺乏大幅新增产能下,估第三季 DRAM 平均销售单价(ASP)将上扬 5%,此事件冲击下,这波内存涨价潮短期恐
制程良率影响产能提升,美光看好DRAM价格维持**
经济日报 (0)美光2017年第3季财报营收大幅优于预期,这要因DRAM、NAND Flash价格上涨,美光认为存储器产业需求稳定,价格可稳定维持至2018年下半年。法人表示,国内相关个股中,华邦电目前DRAM产能约22K,估下半年 DRAM价格维持**,2018年上半年在供给改善后将趋缓,因此维持族群中立建议。 永丰投顾表示,今年上半年存储器业务需求强劲,DRAM报价从去年第3季的起涨点已累积约40%的涨幅,虽然Gartner预估供给速度还未在第3季追上需求,但下半年报价的涨幅由于各大厂扩产完成使货源逐渐充足,预计DRAM报价应会进入**震荡的态势,加上各家大厂新的微缩制程将起开始贡献营收后供不应求的状况应可进一步改善,估2018年上半年将会供给将会逐渐补上需求,价格涨幅将会趋缓。群益投顾表示,智能手机或笔电开始进入出货高峰,再加Mobile DRAM产出扩大至整体DRAM产出的40%以上,排挤效应下,目前标准型DRAM产出仅剩 20%,追价与追量的情况将使存储器报价续涨。此波的抢货作战,产生连锁效应,如Sever DRAM也呈现上涨的趋势,DRAM和NAND Flash产品同时缺货,近期存储器报价
美光财报优于预期 DRAM价格维持**
经济日报 (0)美光2017年第3季财报营收大幅优于预期,这要因DRAM、NAND Flash价格上涨,美光认为内存产业需求稳定,价格可稳定维持至2018年下半年。 法人表示,台湾相关个股中,华邦电(2344)目前DRAM产能约22K,估下半年 DRAM价格维持**,2018年上半年在供给改善后将趋缓,因此维持族群中立建议。 永丰投顾表示,今年上半年内存业务需求强劲,DRAM报价从去年第3季的起涨点已累积约40%的涨幅,虽然Gartner预估供给速度还未在第3季追上需求,但下半年报价的涨幅由于各大厂扩产完成使货源逐渐充足,预计DRAM报价应会进入**震荡的态势,加上各家大厂新的微缩制程将起开始贡献营收后供不应求的状况应可进一步改善, 估2018年上半年将会供给将会逐渐补上需求,价格涨幅将会趋缓。群益投顾表示,智能手机或笔电开始进入出货高峰,再加Mobile DRAM产出扩大至整体DRAM产出的40%以上,排挤效应下,目前标准型DRAM产出仅剩 20%,追价与追量的情况将使内存报价续涨。此波的抢货作战,产生连锁效应,如Sever DRAM也呈现上涨的趋势,DRAM和NAND Flash产品同时 缺货近期
福建晋华获国家大基金首笔30亿元支持
晋江新闻网 (0)晋江新闻网7月3日讯 自2016年中旬全球半导体行业迎来上升拐点以来,集成电路产业市场销售额稳步提升,至2017年**季度,仍保持两位数增长,其中,存储芯片对行业带动明显,直接表现就是前一段时间包括以性价比著称的小米在内的国产手机不同程度涨价。 行业数据显示, 2017年**季度全球半导体销售额为926亿美元,当季同比增长18.10%。全球半导体月销售额同比增长率从2016年中旬开始快速上升。事实上,移动智能终端产品产量和大数据等应用集成电路存储器应用终端产品的持续增长,推动DRAM(内存)和NAND(闪存)等存储芯片平均价格在过去一年快速攀升。其中,2016年**季度DRAM的平均出货价为2.63美元,2017年**季度上涨到3.82美元,同比增长45%。同时期NAND的平均出货价从2.79跳涨至3.79美元,同比增长40%。存储芯片价格不断上涨的根本原因在于产能不足,出货量难以赶超需求的增长速度。存储芯片价格快速上涨提高了SK海力士等公司业绩,去年即使三星电子由于Note7手机爆炸饱受负面新闻的困扰,但其凭借在内存芯片市场占据的高市场份额同样实现业绩的高速增长。全球产能的不足知识一
郭明錤:iPhone 8采用虚拟Home键 不支持Touch ID
新浪科技 (0)北京时间7月3日晚间消息,凯基证券(KGI)分析师郭明錤(Ming-Chi Kuo)周一发布*新报告称,今年即将发布的iPhone 8将采用虚拟Home键,但不支持Touch ID指纹识别传感器。 郭明錤在报告中对苹果今年下半年将发布三款新iPhone进行了十大预测。报告称,iPhone 8采用“**屏设计”,屏占比将高于当前任何一款智能手机。为了保持“高大上”形象,iPhone 8颜色可选项将少于iPhone 7s和iPhone 7s Plus。这三款手机都将于今年9月发布,但iPhone 8的上市日期将有所推迟。以下为郭明錤对三款新iPhone作出的十大预测:1)苹果今年下半年将发布三款新iPhone,分别为4.7英寸的iPhone 7s、5.5英寸的iPhone 7s Plus、5.8英寸(使用面积5.2英寸)的OLED版iPhone 8。2)iPhone 8采用“**屏设计”,屏占比将高于当前全球任何一款智能手机。该款手机采用虚拟Home键设计,但不支持Touch ID指纹识别传感器。这意味着“屏幕整合Touch ID”至少在今年无法实现。3)iPhone 8将配备3D面部识别